Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

CSD16570Q5BT
Texas Instruments
1: S/14.44
10,627En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16570Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16570Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

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10,627En existencias

Cinta cortada

S/14.44

S/9.46

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

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: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

680 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

192 nC

- 40 C

+ 85 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

CSD19538Q2T
Texas Instruments
1: S/7.71
28,300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

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28,300En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.94

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.88

S/2.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

CSD87330Q3D
Texas Instruments
1: S/5.84
48,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87330Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87330Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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48,798En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.87

S/3.23

S/2.74

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

- 8 V, 10 V

1 V, 750 mV

4.8 nC, 9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

CSD17311Q5
Texas Instruments
1: S/11.72
1,653En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17311Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17311Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

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1,653En existencias

Cinta cortada

S/11.72

S/7.55

S/5.41

S/4.52

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

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VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 8 V, 10 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A

CSD17527Q5A
Texas Instruments
1: S/5.02
4,603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17527Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17527Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A

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4,603En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.34

S/2.48

S/2.09

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

10.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

CSD18514Q5AT
Texas Instruments
1: S/8.33
19,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18514Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18514Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

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19,126En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.37

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.88

S/2.67

S/2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T

CSD16401Q5
Texas Instruments
1: S/11.25
1,874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16401Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16401Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T

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1,874En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.98

S/5.72

S/4.98

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16413Q5A
Texas Instruments
1: S/8.10
3,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16413Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16413Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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3,383En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.46

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

4.1 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18511Q5A

CSD18511Q5AT
Texas Instruments
1: S/8.72
5,078En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18511Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18511Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18511Q5A

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5,078En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.61

S/3.32

Envase tipo carrete

S/3.32

S/2.88

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

CSD19506KTT
Texas Instruments
1: S/19.81
1,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19506KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19506KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

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1,750En existencias

Cinta cortada

S/19.81

S/14.52

S/11.48

Envase tipo carrete

S/9.58

S/9.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

CSD87351Q5D
Texas Instruments
1: S/7.98
3,525En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87351Q5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87351Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

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3,525En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.37

S/4.55

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

32 A

7.4 mOhms, 1.6 mOhms

- 8 V, 10 V

2.1 V, 1.15 V

5.9 nC, 17 nC

- 55 C

+ 150 C

12 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

CSD87502Q2T
Texas Instruments
1: S/4.09
5,270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87502Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87502Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

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5,270En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.67

S/2.20

Envase tipo carrete

S/2.20

S/2.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

2 Channel

30 V

5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

CSD16342Q5A
Texas Instruments
1: S/7.32
4,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16342Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16342Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

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4,540En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.11

S/2.45

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

5.5 mOhms

- 8 V, 10 V

600 mV

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

CSD17322Q5A
Texas Instruments
1: S/6.70
6,093En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17322Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17322Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

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Hoja de datos

6,093En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.84

S/2.24

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

12.4 mOhms

- 10 V, 10 V

1.6 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD87312Q3E
Texas Instruments
1: S/7.90
2,446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87312Q3E

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87312Q3E

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

2,446En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.42

S/2.76

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

27 A

33 mOhms

- 8 V, 8 V

800 mV

6.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

CSD16327Q3T
Texas Instruments
1: S/8.60
2,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16327Q3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16327Q3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

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Hoja de datos

2,753En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.53

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.16

S/2.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

4.8 mOhms

- 8 V, 10 V

1.4 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16407Q5
Texas Instruments
1: S/9.69
2,883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16407Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16407Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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2,883En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/6.27

S/4.28

S/3.47

Envase tipo carrete

S/3.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

2.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

13.3 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A

CSD17577Q5AT
Texas Instruments
1: S/7.98
5,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17577Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17577Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A

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5,369En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.75

S/2.55

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

27 nC

- 40 C

+ 85 C

53 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17306Q5A
Texas Instruments
1: S/7.32
2,524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17306Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17306Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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Hoja de datos

2,524En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.14

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

4.2 mOhms

- 8 V, 10 V

1.1 V

11.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A A 595-CSD17577Q3A

CSD17552Q3A
Texas Instruments
1: S/6.66
16,182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17552Q3A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17552Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A A 595-CSD17577Q3A

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Hoja de datos

16,182En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.20

S/2.80

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

48 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT

CSD19506KTTT
Texas Instruments
1: S/28.73
927En existencias

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CSD19506KTTT

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595-CSD19506KTTT

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S/14.48

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: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD16322Q5
Texas Instruments
1: S/7.55
2,337En existencias

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CSD16322Q5

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595-CSD16322Q5

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S/3.36

S/2.66

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S/2.19

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

5.8 mOhms

- 8 V, 10 V

1.1 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET

CSD87352Q5D
Texas Instruments
1: S/6.62
2,633En existencias

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CSD87352Q5D

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595-CSD87352Q5D

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S/4.40

S/3.68

S/3.54

Envase tipo carrete

S/3.15

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A

9 mOhms, 2.8 mOhms

- 8 V, 10 V

2.1 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

8.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET si

CSD19538Q2R
Texas Instruments
1: S/4.90
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CSD19538Q2R

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595-CSD19538Q2R

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S/3.07

S/2.02

S/1.60

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S/1.42

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Min.: 1
Mult.: 1
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: 10,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17578Q5A

CSD17552Q5A
Texas Instruments
1: S/6.97
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CSD17552Q5A

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595-CSD17552Q5A

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S/4.44

S/2.95

S/2.32

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S/1.95

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1 V, 750 mV
1.1 V
1.1 V, 750 mV
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W