Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

CSD87330Q3D
Texas Instruments
1: S/5.68
51,842En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87330Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87330Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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51,842En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/3.76

S/3.13

S/2.98

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

- 8 V, 10 V

1 V, 750 mV

4.8 nC, 9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

CSD16570Q5BT
Texas Instruments
1: S/14.44
10,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16570Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16570Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

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Hoja de datos

10,440En existencias

Cinta cortada

S/14.44

S/9.46

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.98

S/4.75

S/4.67

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

680 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

192 nC

- 40 C

+ 85 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NexFET N Ch Pwr MosFET

CSD16556Q5B
Texas Instruments
1: S/11.87
3,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16556Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16556Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NexFET N Ch Pwr MosFET

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3,798En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/7.71

S/5.33

S/4.48

Envase tipo carrete

S/3.65

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A

CSD17552Q3A
Texas Instruments
1: S/5.80
16,182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17552Q3A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17552Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A

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16,182En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.66

S/2.43

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

48 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT

CSD19506KTTT
Texas Instruments
1: S/24.41
989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19506KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19506KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT

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989En existencias

Cinta cortada

S/24.41

S/12.46

Envase tipo carrete

S/12.46

S/11.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19535KTT

CSD19535KTTT
Texas Instruments
1: S/22.69
519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19535KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19535KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19535KTT

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519En existencias

Cinta cortada

S/22.69

S/10.70

Envase tipo carrete

S/10.70

S/9.89

S/9.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18502Q5BT

CSD18502Q5B
Texas Instruments
1: S/12.92
3,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18502Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18502Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18502Q5BT

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3,778En existencias

Cinta cortada

S/12.92

S/8.41

S/5.88

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.24

Ver

MouseReel Disponible

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VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q5A

CSD17522Q5A
Texas Instruments
1: S/7.40
4,559En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17522Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17522Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q5A

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4,559En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.17

S/2.51

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

12.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

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+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19532Q5B

CSD19532Q5BT
Texas Instruments
1: S/15.34
3,282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19532Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19532Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19532Q5B

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3,282En existencias

Cinta cortada

S/15.34

S/10.08

S/6.31

Envase tipo carrete

S/6.31

S/5.53

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET

CSD87352Q5D
Texas Instruments
1: S/6.62
2,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87352Q5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87352Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET

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2,985En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.40

S/3.68

S/3.36

Envase tipo carrete

S/2.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A

9 mOhms, 2.8 mOhms

- 8 V, 10 V

2.1 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

8.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16413Q5A
Texas Instruments
1: S/7.55
3,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16413Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16413Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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Hoja de datos

3,383En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.83

S/3.26

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

4.1 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

CSD19506KTT
Texas Instruments
1: S/19.77
1,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19506KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19506KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

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Hoja de datos

1,796En existencias

Cinta cortada

S/19.77

S/14.48

S/11.48

Envase tipo carrete

S/9.58

S/8.91

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

CSD87502Q2T
Texas Instruments
1: S/4.09
6,095En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87502Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87502Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

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Hoja de datos

6,095En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.67

S/2.20

Envase tipo carrete

S/2.20

S/2.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

2 Channel

30 V

5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

CSD17311Q5
Texas Instruments
1: S/10.59
1,738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17311Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17311Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

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Hoja de datos

1,738En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.85

S/4.71

S/3.82

Envase tipo carrete

S/3.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 8 V, 10 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

CSD18514Q5AT
Texas Instruments
1: S/6.19
19,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18514Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18514Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

Obtenga más información

Hoja de datos

19,176En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/4.79

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.88

S/2.38

S/2.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

CSD16342Q5A
Texas Instruments
1: S/6.42
4,743En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16342Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16342Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

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Hoja de datos

4,743En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/4.09

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.69

S/1.58

S/1.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

5.5 mOhms

- 8 V, 10 V

600 mV

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs

CSD85312Q3E
Texas Instruments
1: S/6.31
919En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD85312Q3E

N.º de artículo de Mouser
595-CSD85312Q3E

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs

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Hoja de datos

919En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.67

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-8

N-Channel

2 Channel

20 V

12 A

14 mOhms

- 10 V, 10 V

1.1 V

11.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

CSD16325Q5
Texas Instruments
1: S/10.59
4,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16325Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16325Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

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Hoja de datos

4,355En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.85

S/4.75

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

2.2 mOhms

- 8 V, 10 V

1.1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

CSD16327Q3T
Texas Instruments
1: S/6.03
2,791En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16327Q3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16327Q3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

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Hoja de datos

2,791En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/4.67

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.75

S/2.35

S/2.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

4.8 mOhms

- 8 V, 10 V

1.4 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch NexFET Powe r Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) A 595-CSD A 595-CSD17556Q5BT

CSD17556Q5B
Texas Instruments
1: S/10.39
2,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17556Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17556Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch NexFET Powe r Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) A 595-CSD A 595-CSD17556Q5BT

Obtenga más información

Hoja de datos

2,203En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/7.75

S/5.45

S/4.59

Ver

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

28.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595-CSD17577Q5A

CSD17577Q5AT
Texas Instruments
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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

27 nC

- 40 C

+ 85 C

53 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET si

CSD19538Q2R
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S/2.02

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Carrete: 10,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16401Q5

CSD16401Q5T
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S/9.23

S/6.66

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S/6.66

S/5.96

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16414Q5
Texas Instruments
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CSD16414Q5

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595-CSD16414Q5

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S/4.90

S/4.05

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S/3.13

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

2.1 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

16.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD17578Q5A

CSD17551Q5A
Texas Instruments
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595-CSD17551Q5A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD17578Q5A

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S/3.60

S/2.39

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Envase tipo carrete

S/1.43

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1 V, 750 mV
1.1 V
1.1 V, 750 mV
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W