Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

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Resultados: 190

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R022S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.56
25En existencias
500Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R022S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R022S7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

25En existencias

500Se espera el 16/02/2026

S/40.56

S/25.50

S/22.65

S/20.24

Min.: 1
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1 Channel

600 V

23 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.56
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

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648En existencias

S/11.56

S/7.16

S/6.50

S/5.25

S/4.79

Min.: 1
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600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
25En existencias
500Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R145CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R145CFD7XKS

Infineon Technologies

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25En existencias

500Se espera el 26/11/2026

S/14.95

S/8.80

S/6.66

S/5.37

Ver

Min.: 1
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1 Channel

600 V

16 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
598En existencias

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IPP60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

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598En existencias

S/9.23

S/5.88

S/4.01

S/3.36

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Min.: 1
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600 V

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+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

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3,000En existencias

S/4.09

S/2.56

S/1.67

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Ver

Min.: 1
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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R750P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R750P7AKMA1

Infineon Technologies

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516En existencias

S/9.23

S/5.88

S/4.09

S/3.46

Ver

Min.: 1
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TO-251-3

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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73 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/52.12
178En existencias
240Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

178En existencias

240Se espera el 16/02/2026

S/52.12

S/31.33

S/27.13

S/27.09

S/26.20

Min.: 1
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1 Channel

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77 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.86
217En existencias
240Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

217En existencias

240Se espera el 16/02/2026

S/10.86

S/10.63

S/9.11

S/7.86

S/6.11

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

298En existencias

S/19.07

S/12.65

S/10.04

S/8.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R115CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.54
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R115CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R115CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

215En existencias

S/22.54

S/15.73

S/12.73

S/11.33

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.16
130En existencias
240Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

130En existencias

240Se espera el 28/01/2027

S/39.16

S/38.26

S/22.27

S/19.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.59
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

174En existencias

S/23.59

S/14.13

S/11.79

S/10.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
73En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R145CFD7ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

S/14.87

S/9.77

S/6.85

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.18

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.63
1,494En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R600P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

1,494En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.38

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

7.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
328En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

328En existencias

S/12.73

S/6.85

S/5.02

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
538En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R900P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R900P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

538En existencias

S/4.24

S/3.89

S/3.56

S/2.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
196En existencias
4,500Se espera el 23/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R600P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R600P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

196En existencias

4,500Se espera el 23/07/2026

S/4.59

S/2.88

S/1.90

S/1.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

43.1 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.17
15En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R145CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R145CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

15En existencias

S/17.17

S/16.54

S/9.11

S/7.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.79
231En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

231En existencias

S/14.79

S/8.14

S/6.66

S/5.14

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R125CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
38En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R125CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125CFD7ATM

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

38En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/16.58

S/10.74

S/10.35

Envase tipo carrete

S/5.96

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.27
42,720En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

42,720En pedido

S/13.27

S/7.24

S/5.92

S/4.55

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.50
2,999Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,999Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/19.50

S/12.96

S/9.89

S/9.03

S/8.76

Envase tipo carrete

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
2,990Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R160CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,990Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/9.89

S/8.14

S/6.42

S/5.64

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.22
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N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

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726-IPP60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/18.22

S/10.67

S/10.16

S/8.41

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
5,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/18.45

S/9.30

S/8.68

S/7.16

S/6.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
3.6 A
4 A
4.5 A
4.7 A
5.2 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A

18 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
73 mOhms
77 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC
15.3 nC
16.4 nC
17 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W