Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
506En existencias

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IPA80R360P7XKSA1

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726-IPA80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/5.53

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1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.58
1,597En existencias

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IPA80R450P7XKSA1

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726-IPA80R450P7XKSA1

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S/9.58

S/4.75

S/4.48

S/3.76

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1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
770En existencias

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IPA80R900P7XKSA1

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726-IPA80R900P7XKSA1

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S/7.24

S/4.20

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S/2.78

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+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
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IPA95R1K2P7XKSA1

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726-IPA95R1K2P7XKSA1

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S/8.21

S/5.22

S/3.64

S/3.08

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2.5 V

15 nC

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27 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.54
448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R750P7XKSA1

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726-IPA95R750P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/4.67

S/4.20

S/3.36

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1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

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28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
288En existencias
1,500Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R125PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R125PFD7SX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/11.79

S/5.72

S/5.33

S/4.28

S/3.76

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600 V

25 A

235 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

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+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

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726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.97

S/3.69

S/3.00

S/2.44

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700 V

12.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.68
412En existencias
1,000Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R230CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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412En existencias

1,000Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/11.68

S/8.80

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.52

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

11 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
263En existencias
12,500Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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12,500Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.15

S/2.52

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
2,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5PFD7SAU

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/4.13

S/2.57

S/1.72

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.9 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.08
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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141En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.71

S/3.18

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

549 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15.3 nC

- 40 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
3,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA

Infineon Technologies

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3,012En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.02

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
2,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360PFD7SAU

Infineon Technologies

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2,505En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.89

S/2.60

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

715 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 40 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
95En existencias
7,500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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95En existencias

7,500Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/4.09

S/2.57

S/1.70

S/1.31

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.946

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
1,358En existencias
2,500Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,358En existencias

2,500Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/4.90

S/3.11

S/2.06

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.58
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

21En existencias

Cinta cortada

S/35.58

S/25.42

S/20.79

S/19.46

S/16.97

Envase tipo carrete

S/16.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
307En existencias
3,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

307En existencias

3,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/22.58

S/17.05

S/13.82

S/12.26

S/10.51

Envase tipo carrete

S/10.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

53 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R115CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.17
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R115CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R115CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

490En existencias

Cinta cortada

S/17.17

S/11.37

S/8.06

S/7.43

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 40 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.66
1,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,498En existencias

Cinta cortada

S/3.66

S/2.29

S/1.49

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.884

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.54
3,104En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,104En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.21

S/1.44

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.833

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
4,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,741En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.55

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.26
368En existencias
3,000Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

368En existencias

3,000Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/2.26

S/2.07

S/1.63

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

8.5 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.28
3,298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,298En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.69

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

6.9 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
2,077En existencias
3,000Se espera el 25/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2,077En existencias

3,000Se espera el 25/03/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
3,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,958En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.67

S/1.74

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
3.6 A
4 A
4.5 A
4.7 A
5.2 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A

18 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
73 mOhms
77 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC
15.3 nC
16.4 nC
17 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W