Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R160P7XKSA1
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370En existencias

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S/11.29

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S/5.06

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
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741En existencias

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S/3.08

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/4.28

S/3.84

S/3.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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611En existencias
1,000Se espera el 10/03/2026

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IPB60R080P7ATMA1

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726-IPB60R080P7ATMA1

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S/8.99

S/8.49

Envase tipo carrete

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Cinta cortada

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S/12.22

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S/8.14

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S/6.62

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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980En existencias
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980En existencias

2,000Se espera el 16/02/2026

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S/10.78

S/7.05

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Envase tipo carrete

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IPD60R1K0PFD7SAUMA1

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726-IPD60R1K0PFD7SAU

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Cinta cortada

S/3.70

S/2.71

S/1.83

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Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
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Cinta cortada

S/5.02

S/3.16

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Envase tipo carrete

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N-Channel

1 Channel

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2.5 V

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+ 150 C

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CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.20
924En existencias
2,500Se espera el 16/04/2026

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IPD80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
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S/4.20

S/2.57

S/1.67

S/1.29

Envase tipo carrete

S/0.958

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

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3 V

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+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
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7,759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

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7,759En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/2.00

S/1.30

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

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4 A

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- 16 V, 16 V

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+ 150 C

6.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.66
4,410En existencias
6,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

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4,410En existencias

6,000Se espera el 2/03/2026

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S/3.66

S/2.28

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.864

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

3.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

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6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

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263En existencias

S/11.29

S/5.61

S/5.06

S/4.05

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.94
212En existencias
500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

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212En existencias

500Se espera el 2/03/2026

S/10.94

S/10.90

S/5.45

S/4.98

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
1,451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

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1,451En existencias

S/6.46

S/2.88

S/2.58

S/2.15

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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.47
642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

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642En existencias

S/16.47

S/8.10

S/7.67

S/7.32

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

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+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.83
218En existencias
500Se espera el 24/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

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218En existencias

500Se espera el 24/02/2026

S/14.83

S/6.81

S/6.73

S/6.54

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
1,593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,593En existencias

S/8.02

S/3.87

S/3.42

S/2.76

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.59
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7XKSA1

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862En existencias

S/10.59

S/5.25

S/4.79

S/3.80

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280CFD7XKS

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358En existencias

S/10.82

S/5.37

S/4.87

S/3.89

S/3.35

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
1,509En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,509En existencias

S/6.27

S/1.78

S/1.74

S/1.70

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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363En existencias

S/7.94

S/4.40

S/3.35

S/2.30

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
1,795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,795En existencias

S/5.37

S/2.53

S/2.25

S/1.83

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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913En existencias

S/6.73

S/4.24

S/2.85

S/2.34

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
3.6 A
4 A
4.5 A
4.7 A
5.2 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A

18 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
73 mOhms
77 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC
15.3 nC
16.4 nC
17 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W