Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

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Resultados: 191

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.42
1,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

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726-IPB60R055CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,983En existencias

Cinta cortada

S/28.42

S/21.18

S/17.13

S/15.22

Envase tipo carrete

S/13.04

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.00
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

Infineon Technologies

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1,993En existencias

Cinta cortada

S/19.00

S/14.56

S/10.47

S/10.20

Envase tipo carrete

S/8.56

S/8.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.11
6,880En existencias

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IPB60R120P7ATMA1

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726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/12.11

S/8.37

S/6.58

S/5.88

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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1 Channel

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26 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
7,098En existencias

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IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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7,098En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.88

S/4.01

S/3.36

Envase tipo carrete

S/2.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.33
785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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785En existencias

Cinta cortada

S/31.33

S/21.80

S/16.93

Envase tipo carrete

S/13.82

Min.: 1
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D2PAK-3 (TO-263-3)

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650 V

45 A

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- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

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Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
2,378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,378En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/8.17

S/6.03

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

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1 Channel

800 V

17 A

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- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

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101 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.33
2,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,050En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.32

S/5.22

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

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+ 150 C

84 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
5,394En existencias
9,000Se espera el 30/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

5,394En existencias

9,000Se espera el 30/04/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.16

S/2.16

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

7.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/1.95
32,259En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R1K4P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

32,259En existencias

S/1.95

S/1.31

S/1.17

S/1.09

Min.: 1
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1 Channel

700 V

4 A

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- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

22.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.86
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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465En existencias

S/29.86

S/17.36

S/14.60

S/13.12

Min.: 1
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1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

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3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAW60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
906En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAW60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AW60R180P7SXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

906En existencias

S/8.84

S/4.05

S/3.38

S/2.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
191En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R105CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R105CFD7XKS

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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191En existencias

S/19.07

S/13.97

S/11.29

S/10.04

S/8.60

Min.: 1
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Through Hole

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1 Channel

600 V

21 A

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3.5 V

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+ 150 C

106 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.77
727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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727En existencias

S/19.77

S/11.13

S/10.16

S/8.41

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.09
1,594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

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1,594En existencias

S/14.09

S/7.16

S/6.50

S/5.41

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

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+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
4,057En existencias
1,500Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,057En existencias

1,500Se espera el 16/07/2026

S/7.16

S/3.43

S/3.07

S/2.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.11
3,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,296En existencias

S/6.11

S/2.65

S/2.08

S/1.75

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
15,558En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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15,558En existencias

60,000En pedido

S/4.36

S/2.21

S/2.06

S/1.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

600 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

24.9 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.96
840En existencias
2,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

840En existencias

2,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/31.96

S/21.95

S/17.09

S/17.05

Envase tipo carrete

S/13.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.60
1,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,073En existencias

Cinta cortada

S/24.60

S/18.84

S/15.22

S/13.55

Envase tipo carrete

S/11.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

860En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/8.37

Envase tipo carrete

S/7.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.53
4,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4,315En existencias

Cinta cortada

S/12.53

S/8.37

S/6.03

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.50
3,806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,806En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.11

S/4.20

S/3.34

S/3.20

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.43
3,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R210PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R210PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,214En existencias

Cinta cortada

S/3.43

S/3.06

S/2.86

S/2.85

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
3,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,494En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.50

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
5,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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5,347En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.74

S/2.55

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
3.6 A
4 A
4.5 A
4.7 A
5.2 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A

18 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
73 mOhms
77 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC
15.3 nC
16.4 nC
17 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W