Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

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Resultados: 182

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.88
2,153En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2,153En existencias

S/5.88

S/2.60

S/2.33

S/2.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
5,050En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R3K3P7ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

Hoja de datos

5,050En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.38

S/1.67

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

6.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.42
61En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

61En existencias

Cinta cortada

S/32.42

S/20.09

S/16.23

S/16.04

Envase tipo carrete

S/13.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/37.60
3,134En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,134En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/37.60

S/21.06

S/19.62

S/19.27

Envase tipo carrete

S/18.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
358En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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358En existencias

25,000En pedido

S/22.58

S/11.83

S/10.78

S/9.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

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+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/72.01
1,972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R028G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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1,972En existencias

Cinta cortada

S/72.01

S/51.15

S/44.69

S/41.73

Envase tipo carrete

S/41.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

75 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.77
9,056En existencias
3,840Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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9,056En existencias

3,840Se espera el 20/08/2026

S/41.77

S/24.72

S/20.98

S/20.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.15
23,007En existencias
23,760Se espera el 25/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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23,007En existencias

23,760Se espera el 25/02/2027

S/16.15

S/7.98

S/7.28

S/6.03

S/5.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.00
7,585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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7,585En existencias

Cinta cortada

S/13.00

S/6.50

S/5.88

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.36

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
5,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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5,488En existencias

Cinta cortada

S/10.82

S/5.33

S/4.79

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.54

S/3.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.96
1,152En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R230CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

1,152En existencias

Cinta cortada

S/15.96

S/8.10

S/7.36

S/6.58

Envase tipo carrete

S/6.07

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
3,184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R210PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R210PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,184En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/5.18

S/4.67

S/3.73

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
4,902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

4,902En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.52

S/5.92

S/4.79

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.12
642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

642En existencias

S/26.12

S/15.22

S/12.61

S/11.17

S/9.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/75.79
190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

190En existencias

S/75.79

S/45.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

251 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.55
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

428En existencias

S/36.55

S/24.91

S/20.55

S/17.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.56
2,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,993En existencias

S/27.56

S/14.64

S/13.39

S/11.17

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.01
824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

824En existencias

S/20.01

S/10.39

S/9.46

S/7.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
1,873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,873En existencias

S/17.24

S/8.84

S/8.02

S/6.54

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.36
1,254En existencias
1,000Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R125PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R125PFD7SX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1,254En existencias

1,000Se espera el 3/12/2026

S/14.36

S/7.24

S/6.54

S/5.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

235 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.93
728En existencias
4,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

728En existencias

4,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/29.93

S/19.81

S/16.50

S/15.03

Envase tipo carrete

S/13.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.57
1,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,255En existencias

Cinta cortada

S/25.57

S/14.48

S/13.16

S/11.64

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.18
1,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,202En existencias

Cinta cortada

S/21.18

S/10.98

S/9.96

S/8.25

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
5,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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5,255En existencias

Cinta cortada

S/17.24

S/8.84

S/8.02

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/38.03
495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

495En existencias

Cinta cortada

S/38.03

S/20.90

S/19.46

Envase tipo carrete

S/18.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
3.6 A
4 A
4.5 A
4.7 A
5.2 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A

18 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
73 mOhms
77 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12.7 nC
13 nC
15 nC
15.3 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W