Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. These ROHM devices combine high-speed switching with an internal diode and high reverse recovery time (t_rr) characteristics for optimized efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.

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Resultados: 71

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

R6535KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/34.53
258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6535KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6535KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

258En existencias

S/34.53

S/20.24

S/18.88

S/18.68

S/15.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

102 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

R6530KNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/25.89
779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6530KNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6530KNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

779En existencias

S/25.89

S/13.90

S/13.47

S/13.43

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

307 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

R6535ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/32.19
526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6535ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6535ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

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Hoja de datos

526En existencias

S/32.19

S/20.82

S/15.18

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

379 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise

R6030ENZC17
ROHM Semiconductor
1: S/31.53
184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6030ENZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6030ENZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise

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184En existencias

S/31.53

S/18.33

S/16.47

S/16.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

R6515KNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/13.86
934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6515KNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6515KNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

934En existencias

S/13.86

S/8.41

S/7.98

S/7.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

315 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

27.5 nC

- 55 C

+ 150 C

161 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

R6520ENZC17
ROHM Semiconductor
1: S/26.55
285En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6520ENZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6520ENZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

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285En existencias

S/26.55

S/15.22

S/13.12

S/13.08

S/12.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

205 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

R6520KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/25.42
282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6520KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6520KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

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282En existencias

S/25.42

S/14.56

S/12.46

S/12.42

S/11.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

205 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

R6535KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/32.19
513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6535KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6535KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

513En existencias

S/32.19

S/20.86

S/15.22

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

379 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover

R6009JND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/12.85
2,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6009JND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6009JND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover

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2,296En existencias

Cinta cortada

S/12.85

S/8.37

S/5.84

S/5.02

S/4.98

Envase tipo carrete

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

585 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

PrestoMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252

R6004JND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/10.12
2,394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6004JND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6004JND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252

Obtenga más información

Hoja de datos

2,394En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.52

S/3.62

Envase tipo carrete

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.43 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch

R6030KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/33.48
289En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6030KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6030KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

289En existencias

S/33.48

S/19.03

S/17.71

S/17.63

S/17.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

R6530KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/29.93
288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6530KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6530KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

288En existencias

S/29.93

S/17.32

S/15.38

S/15.34

S/15.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover

R6025JNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/32.35
289En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6025JNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6025JNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover

Obtenga más información

Hoja de datos

289En existencias

S/32.35

S/19.85

S/16.27

S/16.23

S/16.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

R6524KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/27.21
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6524KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6524KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

298En existencias

S/27.21

S/15.65

S/13.55

S/13.51

S/13.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

185 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Fast Switch

R6024KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/27.17
237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6024KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

237En existencias

S/27.17

S/15.61

S/13.55

S/13.51

S/13.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch

R6507KNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/12.81
863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6507KNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6507KNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

863En existencias

S/12.81

S/8.33

S/5.76

S/4.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

665 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 0A 3rd Gen, Low Noise

R6000ENHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/5.88
2,375En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
R6000ENHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-R6000ENHTB1

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 0A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

2,375En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.71

S/2.46

S/1.93

Envase tipo carrete

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

600 V

500 mA

8.8 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 70A 3rd Gen, Fast Recover

R6070JNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/74.77
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6070JNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6070JNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 70A 3rd Gen, Fast Recover

Obtenga más información

Hoja de datos

213En existencias

S/74.77

S/55.86

S/48.31

S/45.74

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

600 V

70 A

58 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

165 nC

- 55 C

+ 150 C

770 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Fast Switch

R6511KND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/12.57
1,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6511KND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6511KND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

1,700En existencias

Cinta cortada

S/12.57

S/8.17

S/5.64

S/4.59

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover

R6004JNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/11.64
1,211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6004JNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6004JNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover

Obtenga más información

Hoja de datos

1,211En existencias

S/11.64

S/5.80

S/5.22

S/4.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.43 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

PrestoMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Fast Switch

R6015KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/22.58
254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6015KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6015KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

254En existencias

S/22.58

S/12.81

S/12.73

S/11.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

27.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Low Noise

R6020ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/25.30
82En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6020ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

82En existencias

S/25.30

S/14.44

S/12.49

S/11.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

196 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

231 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Low Noise

R6020ENZC17
ROHM Semiconductor
1: S/26.55
176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020ENZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6020ENZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Low Noise

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TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

196 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 42A 3rd Gen, Fast Recover

R6042JNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/51.38
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R6042JNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6042JNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 42A 3rd Gen, Fast Recover

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N-Channel

1 Channel

600 V

42 A

104 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

100 nC

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+ 150 C

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Enhancement

PrestoMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

R6515KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/22.58
269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6515KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6515KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

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TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

315 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

27.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Tube

R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

46 mOhms
58 mOhms
80 mOhms
83 mOhms
102 mOhms
104 mOhms
115 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
143 mOhms
165 mOhms
182 mOhms
185 mOhms
196 mOhms
205 mOhms
234 mOhms
286 mOhms
290 mOhms
315 mOhms
390 mOhms

4.3 nC
10 nC
10.5 nC
14.5 nC
15 nC
15.5 nC
16.5 nC
17.5 nC
20 nC
22 nC
24 nC
27.5 nC
28 nC
32 nC
40 nC
42 nC
45 nC
56 nC
57 nC
60 nC

2 W
35 W
46 W
53 W
58 W
60 W
68 W
72 W
74 W
76 W
78 W
85 W
86 W
93 W
94 W
95 W
96 W
102 W
120 W
124 W