Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. These ROHM devices combine high-speed switching with an internal diode and high reverse recovery time (t_rr) characteristics for optimized efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.

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Resultados: 72

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover

R6009JNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/16.08
1,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6009JNXC7G

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755-R6009JNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover

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1,957En existencias

S/16.08

S/8.25

S/7.47

S/6.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

585 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

PrestoMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover

R6030JNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/45.62
449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6030JNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6030JNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover

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449En existencias

S/45.62

S/27.21

S/23.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

143 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

370 W

Enhancement

PrestoMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

R6520KNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/18.80
757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6520KNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6520KNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

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757En existencias

S/18.80

S/11.79

S/10.55

S/9.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

205 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

220 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover

R6012JNJGTL
ROHM Semiconductor
1: S/18.41
1,738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6012JNJGTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6012JNJGTL

ROHM Semiconductor

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Cinta cortada

S/18.41

S/12.03

S/8.60

S/7.43

Envase tipo carrete

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

390 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

PrestoMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover

R6018JNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/23.28
744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6018JNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6018JNXC7G

ROHM Semiconductor

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744En existencias

S/23.28

S/12.22

S/11.17

S/10.00

S/9.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

286 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

PrestoMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise

R6530ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/27.60
410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6530ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6530ENZ4C13

ROHM Semiconductor

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410En existencias

S/27.60

S/17.75

S/14.87

S/13.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover

R6007JNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/14.44
1,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6007JNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6007JNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover

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1,855En existencias

S/14.44

S/7.32

S/6.62

S/5.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

780 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

PrestoMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise

R6035ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/33.36
399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6035ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6035ENZ4C13

ROHM Semiconductor

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399En existencias

S/33.36

S/19.50

S/18.02

S/17.91

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

379 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch

R6507KND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/10.20
2,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6507KND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6507KND3TL1

ROHM Semiconductor

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Cinta cortada

S/10.20

S/6.07

S/4.32

S/3.59

Envase tipo carrete

S/2.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

665 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch

R6509KND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/10.74
4,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6509KND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6509KND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch

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4,925En existencias

Cinta cortada

S/10.74

S/6.58

S/4.71

S/3.81

Envase tipo carrete

S/3.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9 A

585 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise

R6035ENZC17
ROHM Semiconductor
1: S/36.94
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6035ENZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6035ENZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise

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487En existencias

S/36.94

S/21.64

S/18.29

S/18.26

S/17.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch

R6576KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/63.41
579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6576KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6576KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch

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579En existencias

S/63.41

S/41.65

S/41.42

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

650 V

76 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

165 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover

R6020JNJGTL
ROHM Semiconductor
1: S/23.86
832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020JNJGTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6020JNJGTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover

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832En existencias

Cinta cortada

S/23.86

S/15.96

S/11.48

S/10.51

Envase tipo carrete

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

234 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

252 W

Enhancement

PrestoMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise

R6024ENZC17
ROHM Semiconductor
1: S/29.08
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024ENZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6024ENZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise

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300En existencias

S/29.08

S/16.74

S/14.01

S/12.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Fast Switch

R6035KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/34.53
596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6035KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6035KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

596En existencias

S/34.53

S/20.24

S/18.88

S/18.22

S/17.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

102 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

R6524KNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/23.32
668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6524KNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6524KNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

668En existencias

S/23.32

S/14.17

S/11.09

S/10.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

185 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

253 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

R6524KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/26.31
541En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6524KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6524KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

541En existencias

S/26.31

S/15.88

S/13.27

S/12.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

185 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

R6535KNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/34.53
258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6535KNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6535KNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

258En existencias

S/34.53

S/20.24

S/18.88

S/18.68

S/17.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

102 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 70A 3rd Gen, Fast Recover

R6070JNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/67.57
453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6070JNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6070JNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 70A 3rd Gen, Fast Recover

Obtenga más información

Hoja de datos

453En existencias

S/67.57

S/46.05

S/43.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

600 V

70 A

58 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

165 nC

- 55 C

+ 150 C

770 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise

R6509END3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/12.18
6,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6509END3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6509END3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

6,983En existencias

Cinta cortada

S/12.18

S/7.40

S/5.37

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9 A

585 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise

R6547ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/42.58
514En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6547ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6547ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

514En existencias

S/42.58

S/25.26

S/21.45

S/21.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

R6530KNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/27.13
779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6530KNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6530KNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

779En existencias

S/27.13

S/14.56

S/13.74

S/13.70

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

307 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

R6535ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/35.66
526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6535ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6535ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

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Hoja de datos

526En existencias

S/35.66

S/20.86

S/17.59

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

379 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

R6504END3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/9.38
1,385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6504END3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6504END3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

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1,385En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/5.57

S/3.97

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover

R6009JNJGTL
ROHM Semiconductor
1: S/16.23
983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6009JNJGTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6009JNJGTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover

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983En existencias

Cinta cortada

S/16.23

S/10.55

S/7.51

S/6.27

Envase tipo carrete

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

585 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

PrestoMOS

Reel, Cut Tape

R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

46 mOhms
58 mOhms
80 mOhms
83 mOhms
102 mOhms
104 mOhms
115 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
143 mOhms
165 mOhms
182 mOhms
185 mOhms
196 mOhms
205 mOhms
234 mOhms
286 mOhms
290 mOhms
315 mOhms
390 mOhms

4.3 nC
10 nC
10.5 nC
14.5 nC
15 nC
15.5 nC
16.5 nC
17.5 nC
20 nC
22 nC
24 nC
27.5 nC
28 nC
32 nC
40 nC
42 nC
45 nC
56 nC
57 nC
60 nC

2 W
35 W
46 W
53 W
58 W
60 W
68 W
72 W
74 W
76 W
78 W
85 W
86 W
93 W
94 W
95 W
96 W
102 W
120 W
124 W