Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

Vishay Semiconductor TrenchFET^® Gen III Power MOSFETs offer low on-resistance and on-resistance times gate charge in PowerPAK^® SO-8, PowerPAK 1212-8, and SO-8 package types. The lower on-resistance and gate charge of TrenchFET Gen III Power MOSFETs translate into lower conduction and switching losses. Several devices in the TrenchFET family are also equipped with TurboFET™ technology. Vishay Semiconductor TrenchFET devices are used as the low-side MOSFET in synchronous buck converters and in secondary synchronous rectification and OR-ing applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 37

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS412DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
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SIS412DN-T1-GE3

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781-SIS412DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/3.70

S/2.30

S/1.50

S/1.15

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S/0.903

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

12 A

24 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

10 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4134DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.55
10,215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4134DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4134DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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10,215En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.83

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.17

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4136DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
4,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4136DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4136DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

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S/8.45

S/5.41

S/3.67

S/2.93

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S/2.54

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

20 V

46 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V

SI7192DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.17
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N.º de artículo del Fabricante
SI7192DP-T1-GE3

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781-SI7192DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V

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S/14.17

S/9.73

S/7.28

S/6.70

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S/5.53

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR414DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.15
8,737En existencias

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SIR414DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR414DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/9.15

S/5.88

S/4.01

S/3.21

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S/2.62

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR424DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.53
10,959En existencias

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SIR424DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR424DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/3.48

S/2.32

S/1.86

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S/1.48

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

20 V

30 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

41.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 60A 83W

SIR438DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.47
1,604En existencias

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SIR438DP-T1-GE3

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781-SIR438DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 60A 83W

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S/10.47

S/6.77

S/4.67

S/4.05

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S/3.07

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7716ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7716ADN-T1-GE3

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781-SI7716ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/6.89

S/4.40

S/2.93

S/2.32

S/2.12

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S/1.90

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.4 nC

- 55 C

+ 150 C

27.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR416DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.40
1,880En existencias
3,000Se espera el 2/03/2026

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SIR416DP-T1-GE3

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781-SIR416DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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3,000Se espera el 2/03/2026

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S/7.40

S/4.71

S/3.16

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.02

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS438DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.79
1,608En existencias
3,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIS438DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS438DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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3,000Se espera el 23/02/2026

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S/4.79

S/3.01

S/1.99

S/1.55

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S/1.22

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

20 V

16 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

27.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR460DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.70
1,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR460DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR460DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.90

S/2.38

Envase tipo carrete

S/1.80

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V

SIR464DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.67
58En existencias
3,000Se espera el 11/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
SIR464DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR464DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V

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58En existencias

3,000Se espera el 11/02/2027

Cinta cortada

S/7.67

S/4.90

S/3.39

S/2.87

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.21

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7.5 A
10.9 A
12 A
14 A
14.3 A
16 A
17 A
18 A
19.3 A
20 A
24 A
25.4 A
30 A
30.5 A
35 A
36 A
39 A
40 A
46 A
50 A

1.55 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms
3.9 mOhms
4.7 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5.5 mOhms
5.7 mOhms
6 mOhms

7.5 nC
8 nC
12 nC
15.4 nC
19.8 nC
20 nC
21 nC
21 nC, 65 nC
23 nC
27 nC
31 nC
35 nC
41 nC
42 nC
44 nC
54 nC
65 nC
70 nC
90 nC
95 nC

3.1 W
3.29 W
5 W
5.7 W
6 W
6.5 W
7.8 W
10 W
27.7 W
29 W, 66 W
29.8 W
36 W
39 W
39.1 W
41.7 W
48 W
52 W
54 W
69 W
83 W