Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

Vishay Semiconductor TrenchFET^® Gen III Power MOSFETs offer low on-resistance and on-resistance times gate charge in PowerPAK^® SO-8, PowerPAK 1212-8, and SO-8 package types. The lower on-resistance and gate charge of TrenchFET Gen III Power MOSFETs translate into lower conduction and switching losses. Several devices in the TrenchFET family are also equipped with TurboFET™ technology. Vishay Semiconductor TrenchFET devices are used as the low-side MOSFET in synchronous buck converters and in secondary synchronous rectification and OR-ing applications.

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Resultados: 37

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR470DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.66
29,156En existencias

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SIR470DP-T1-GE3

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781-SIR470DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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29,156En existencias

Cinta cortada

S/13.66

S/8.91

S/6.27

S/5.45

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

155 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4166DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.79
2,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4166DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4166DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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2,499En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30.5 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4168DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.70
3,262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4168DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4168DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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3,262En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.84

S/2.24

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

5.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4126DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.30
6,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4126DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4126DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/12.30

S/7.98

S/5.64

S/4.79

S/4.59

Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

39 A

2.75 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ902DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.90
2,417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ902DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ902DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.42

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.20

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

16 A

12 mOhms, 6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

21 nC, 65 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7658ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.22
3,244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7658ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7658ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/15.22

S/10.00

S/7.01

S/6.27

Envase tipo carrete

S/5.29

S/5.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4164DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
14,602En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4164DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4164DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/8.45

S/5.41

S/3.67

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR402DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.21
10,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR402DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR402DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/8.21

S/6.62

S/6.58

S/4.55

S/3.64

Envase tipo carrete

S/2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.15 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR466DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.70
8,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR466DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR466DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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8,126En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.84

S/2.24

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4160DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.40
21,275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4160DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4160DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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21,275En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.10

S/2.47

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25.4 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4154DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.90
22,941En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4154DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4154DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

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22,941En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/3.55

S/2.79

S/2.45

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

36 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 20V 7.5A

SIA4263DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.84
21,715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA4263DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA4263DJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 20V 7.5A

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Hoja de datos

21,715En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/2.09

S/1.35

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

19.9 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

19.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.29 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR440DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.70
5,633En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR440DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR440DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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5,633En existencias

Cinta cortada

S/10.70

S/6.93

S/4.79

S/3.87

S/3.77

Envase tipo carrete

S/3.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.55 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR462DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.70
17,340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR462DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR462DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

17,340En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.84

S/2.24

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

41.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS402DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.20
10,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS402DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS402DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

10,646En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.58

S/4.55

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.15 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS410DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
28,291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS410DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS410DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

28,291En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

20 V

35 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 29.8W

SIR474DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.52
2,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR474DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR474DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 29.8W

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Hoja de datos

2,992En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/3.27

S/2.16

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

29.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

SIS5712DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.32
12,088En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS5712DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS5712DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

12,088En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.13

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

55.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

39.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7137DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.79
15,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7137DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7137DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

15,971En existencias

Cinta cortada

S/11.79

S/7.67

S/5.29

S/4.44

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.95 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

390 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4128DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.89
6,420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4128DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4128DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

6,420En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.43

S/1.58

S/1.22

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

10.9 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4162DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.18
4,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4162DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4162DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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4,999En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.26

S/2.16

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.37

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

19.3 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4174DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
5,343En existencias
5,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI4174DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4174DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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5,000Se espera el 19/02/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.32

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 14.3A

SI4153DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.24
10,775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4153DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI453DY-Y1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 14.3A

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10,775En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.66

S/1.74

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.08

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

14.3 A

9.5 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR410DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
3,998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR410DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR410DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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3,998En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.66

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

20 V

35 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS412DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
17,949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS412DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS412DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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17,949En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.30

S/1.50

S/1.15

Envase tipo carrete

S/0.903

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

12 A

24 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

10 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7.5 A
10.9 A
12 A
14 A
14.3 A
16 A
17 A
18 A
19.3 A
20 A
24 A
25.4 A
30 A
30.5 A
35 A
36 A
39 A
40 A
46 A
50 A

1.55 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms
3.9 mOhms
4.7 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5.5 mOhms
5.7 mOhms
6 mOhms

7.5 nC
8 nC
12 nC
15.4 nC
19.8 nC
20 nC
21 nC
21 nC, 65 nC
23 nC
27 nC
31 nC
35 nC
41 nC
42 nC
44 nC
54 nC
65 nC
70 nC
90 nC
95 nC

3.1 W
3.29 W
5 W
5.7 W
6 W
6.5 W
7.8 W
10 W
27.7 W
29 W, 66 W
29.8 W
36 W
39 W
39.1 W
41.7 W
48 W
52 W
54 W
69 W
83 W