Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.

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Resultados: 29

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC1R5CP ROG
Taiwan Semiconductor
1: S/7.16
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC1R5CP ROG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC1R5CPROG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.97

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

5.5 V

8.1 nC

- 55 C

+ 150 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC390CP ROG
Taiwan Semiconductor
1: S/13.20
4,775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC390CP ROG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC390CPROG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

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4,775En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/8.60

S/5.96

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.44

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MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC1R5CH C5G
Taiwan Semiconductor
1: S/7.16
3,658En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC1R5CH C5G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC1R5CHC5G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

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3,658En existencias

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.3 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC390CI C0G
Taiwan Semiconductor
1: S/14.25
3,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC390CI C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC390CIC0G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

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3,890En existencias

S/14.25

S/9.30

S/6.50

S/5.29

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ITO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

21.3 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC620CI C0G
Taiwan Semiconductor
1: S/11.33
3,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC620CI C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC620CIC0G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

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S/11.33

S/7.32

S/5.06

S/4.09

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ITO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

980 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE084PW C0G
Taiwan Semiconductor
1: S/42.08
290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE084PW C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE084PWC2G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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290En existencias

S/42.08

S/29.00

S/20.90

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

42 A

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- 30 V, 30 V

6 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE145CIT C0G
Taiwan Semiconductor
1: S/23.94
1,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE145CIT C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE145CITC0G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/23.94

S/16.04

S/11.52

S/9.89

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N-Channel

1 Channel

600 V

14.5 A

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- 30 V, 30 V

6 V

40 nC

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+ 150 C

69 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE180CIT C0G
Taiwan Semiconductor
1: S/22.15
1,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE180CIT C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE180CITC0G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/22.15

S/14.75

S/9.65

S/8.95

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ITO-220TL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE285CIT C0G
Taiwan Semiconductor
1: S/17.01
1,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE285CIT C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE285CITC0G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1,982En existencias

S/17.01

S/11.21

S/7.90

S/6.50

S/6.23

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N-Channel

1 Channel

600 V

9.5 A

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6 V

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+ 150 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC980CP ROG
Taiwan Semiconductor
1: S/8.06
4,477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC980CP ROG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC980CPROG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

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4,477En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.46

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.26

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

980 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE048PW C0G
Taiwan Semiconductor
1: S/60.45
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE048PW C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE048PWC2G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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298En existencias

S/60.45

S/42.51

S/33.48

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1 Channel

600 V

61 A

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- 30 V, 30 V

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+ 150 C

431 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE069PW C0G
Taiwan Semiconductor
1: S/47.72
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE069PW C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE069PWC2G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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300En existencias

S/47.72

S/33.13

S/24.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

51 A

69 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE200CIT C0G
Taiwan Semiconductor
1: S/20.12
1,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE200CIT C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE200CITC0G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1,984En existencias

S/20.12

S/13.35

S/9.50

S/7.86

S/7.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220TL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC620CH C5G
Taiwan Semiconductor
1: S/9.96
2,547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC620CH C5G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC620CHC5G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

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2,547En existencias

S/9.96

S/6.42

S/4.40

S/3.50

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Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

620 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC620CP ROG
Taiwan Semiconductor
1: S/9.96
7,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC620CP ROG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC620CPROG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

7,500En existencias

Cinta cortada

S/9.96

S/6.42

S/4.40

S/3.50

S/3.22

Envase tipo carrete

S/3.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

620 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC980CH C5G
Taiwan Semiconductor
1: S/8.06
3,747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC980CH C5G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC980CHC5G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

3,747En existencias

S/8.06

S/5.14

S/3.46

S/2.74

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

980 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NC165CF C0G
Taiwan Semiconductor
4,000: S/7.63
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC165CF C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC165CFC0G

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

S/7.63

Min.: 4,000
Mult.: 2,000

: 2,000

Through Hole

ITO-220S-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

165 mOhms

20 V, 30 V

5 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NC165CIT C0G
Taiwan Semiconductor
4,000: S/7.59
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC165CIT C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC165CITC0G

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

S/7.59

Min.: 4,000
Mult.: 2,000

: 2,000

Through Hole

ITO-220S-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

165 mOhms

20 V, 30 V

5 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NC196CF C0G
Taiwan Semiconductor
4,000: S/6.81
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC196CF C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC196CFC0G

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

S/6.81

Min.: 4,000
Mult.: 2,000

: 2,000

Through Hole

ITO-220S-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

165 mOhms

20 V, 30 V

5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NC196CIT C0G
Taiwan Semiconductor
4,000: S/5.06
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NC196CIT C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC196CITC0G

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

S/5.06

Min.: 4,000
Mult.: 2,000

: 2,000

Through Hole

ITO-220TL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

196 mOhms

20 V, 30 V

5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE084CIT C0G
Taiwan Semiconductor
4,000: S/19.27
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE084CIT C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE084CITC0G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/19.27

Min.: 4,000
Mult.: 2,000

Through Hole

ITO-220TL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

84 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE069CIT C0G
Taiwan Semiconductor
4,000: S/22.97
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE069CIT C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE069CITC0G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/22.97

Min.: 4,000
Mult.: 2,000

Through Hole

ITO-220TL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

69 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 47A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), TOLL

TSM60NE084TL RAG
Taiwan Semiconductor
4,000: S/15.45
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE084TL RAG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE084TLRAG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 47A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), TOLL

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Cinta cortada

S/15.45

Min.: 4,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

84 mOhms

20 V

6 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

431 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88

TSM60NE110CE RVG
Taiwan Semiconductor
6,000: S/11.76
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE110CE RVG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE110CERVG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88

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Cinta cortada

S/11.76

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PDFN88-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

110 mOhms

30 V

6 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM60NE110CIT C0G
Taiwan Semiconductor
4,000: S/14.91
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM60NE110CIT C0G

N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE110CITC0G

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/14.91

Min.: 4,000
Mult.: 2,000

Through Hole

ITO-220TL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

600V Single N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3 A
4 A
7 A
9.5 A
11 A
12 A
13 A
14 A
14.5 A
16 A
17 A
20 A
21 A
24 A
27 A
30 A
42 A
47 A
51 A
61 A

7.6 nC
8.1 nC
11 nC
15 nC
21 nC
21.3 nC
22 nC
24 nC
30 nC
34 nC
36 nC
40 nC
42 nC
48 nC
55 nC
56 nC
68 nC
69 nC
86 nC
89 nC

39 W
55 W
56 W
57 W
63 W
69 W
73 W
74 W
78 W
81 W
83 W
89 W
125 W
164 W
169 W
173 W
178 W
231 W
357 W
417 W