MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 29

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/40.56 303En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R060M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	303En existencias	Cinta cortada S/40.56 S/28.69 S/23.90 S/21.29 Envase tipo carrete S/19.89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/59.32 480En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	480En existencias	S/59.32 S/39.16	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/53.99 617En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R045M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	617En existencias	Cinta cortada S/53.99 S/32.89 S/30.56 Envase tipo carrete S/28.53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/24.52 368En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R140M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	368En existencias	S/24.52 S/17.01 S/15.69	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/27.25 825En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R090M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	825En existencias	Cinta cortada S/27.25 S/18.80 S/16.93 S/16.11 Envase tipo carrete S/15.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/63.68 2,509En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R030M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	2,509En existencias	Cinta cortada S/63.68 S/38.15 Envase tipo carrete S/35.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: S/29.78 6,544En existencias 9,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMBF170R450M1XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	6,544En existencias 9,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMBF170R450M1XTMA1 Existencias: 6,544 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 11/03/2027 6,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/29.78 S/19.93 S/16.04 S/14.25 Envase tipo carrete S/12.61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/24.41 1,420En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R350M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	1,420En existencias	Cinta cortada S/24.41 S/16.00 S/11.79 S/10.67 Envase tipo carrete S/10.67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/35.97 1,054En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1,054En existencias	S/35.97 S/19.27 S/17.75 S/16.89	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/28.14 3,861En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R220M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	3,861En existencias	S/28.14 S/14.67 S/13.47 S/13.43 S/12.18	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/56.91 1,731En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R027M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,731En existencias	S/56.91 S/34.22 S/33.79	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/41.88 341En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R048M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	341En existencias	S/41.88 S/22.77 S/21.06 S/20.90	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/44.65 855En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R060M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	855En existencias	S/44.65 S/32.31 S/26.90 S/23.94 S/22.38	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/37.99 960En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	960En existencias	S/37.99 S/20.44 S/18.88 S/18.14	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/35.62 299En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R048M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	299En existencias	S/35.62 S/21.64 S/21.25	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/29.23 3,846En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R140M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	3,846En existencias	Cinta cortada S/29.23 S/15.69 S/14.36 Envase tipo carrete S/13.35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/25.92 2,469En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R220M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	2,469En existencias	Cinta cortada S/25.92 S/13.74 S/12.38 Envase tipo carrete S/10.94 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/30.98 314En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R072M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	314En existencias	S/30.98 S/17.79 S/16.54 S/15.92	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/29.47 473En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R107M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	473En existencias	S/29.47 S/15.45 S/14.21 S/13.12	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: S/26.47 2,436En existencias	N.º de artículo del Fabricante IMBF170R650M1XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	2,436En existencias	Cinta cortada S/26.47 S/17.36 S/12.77 S/11.37 Envase tipo carrete S/10.04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/43.13 27En existencias 1,200En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R060M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	27En existencias 1,200En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMW120R060M1HXKSA1 Existencias: 27 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 720 Se espera el 20/10/2026 480 Se espera el 26/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	S/43.13 S/30.48 S/25.42 S/22.62 S/21.14	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/27.71 44En existencias 960Se espera el 10/12/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R350M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	44En existencias 960Se espera el 10/12/2026	S/27.71 S/18.14 S/13.39 S/11.87 S/10.51	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/31.80 22En existencias 2,160En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R220M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	22En existencias 2,160En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZ120R220M1HXKSA1 Existencias: 22 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 960 Se espera el 25/03/2027 1,200 Se espera el 1/04/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	S/31.80 S/21.29 S/17.13 S/15.18 S/13.47	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/27.83 179En existencias 240Se espera el 10/12/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R350M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Hoja de datos	179En existencias 240Se espera el 10/12/2026	S/27.83 S/18.61 S/14.99 S/13.27 S/11.76	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/61.93 17En existencias 3,600En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R027M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	17En existencias 3,600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZA65R027M1HXKSA1 Existencias: 17 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,680 Se espera el 5/10/2027 1,920 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	S/61.93 S/35.07 S/34.76 S/34.72	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC