Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

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Resultados: 59

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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2,894En existencias
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PJD50N04-AU_L2_000A1

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NRND

Panjit

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Cinta cortada

S/5.22

S/3.30

S/2.18

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Envase tipo carrete

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N04V-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/3.27
2,990En existencias
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PJD25N04V-AU_L2_002A1

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Cinta cortada

S/3.27

S/2.60

S/2.37

Envase tipo carrete

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
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S/2.34

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
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S/2.61

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Enhancement

AEC-Q101

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2,822En existencias

3,000Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

S/4.05

S/2.53

S/2.38

Envase tipo carrete

S/2.38

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241-PJD60N04SAUL22A1

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S/5.57

S/4.05

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Envase tipo carrete

S/3.68

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

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PJD60P04E-AU_L2_006A1

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S/4.36

S/2.73

S/2.24

S/2.13

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2.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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PJD75P04E-AU_L2_006A1

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241-PJD75P04EAUL26A1

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S/4.87

S/3.06

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
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PJD45P03E-AU_L2_006A1

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Cinta cortada

S/9.34

S/6.66

S/4.75

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD55P03E-AU_L2_006A1
Panjit
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3,000En existencias

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S/9.73

S/7.79

S/5.96

S/5.02

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.28

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1 Channel

30 V

48 A

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- 25 V, 25 V

2.5 V

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- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD90P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/4.87
2,928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD90P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD90P03EAUL26A1

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Cinta cortada

S/4.87

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.75

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30 V

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2.5 V

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79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4431EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.48
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N.º de artículo del Fabricante
PJQ4431EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4431EP-AUR22A

Panjit

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Cinta cortada

S/4.48

S/2.80

S/1.84

S/1.77

Ver

Envase tipo carrete

S/1.42

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SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

78 A

7 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

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+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4433EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/3.93
3,952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4433EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4433EP-AUR22A

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3,952En existencias

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S/3.93

S/2.46

S/1.61

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.19

Min.: 1
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SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

68 A

8.8 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4453EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.24
9,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4453EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4453EP-AUR22A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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9,667En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.65

S/1.74

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

11.6 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4546VP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/3.97
3,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4546VP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4546VPAUR22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3,990En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.47

S/1.61

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

40 V

61 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5449E-AU_R2_006A1
Panjit
1: S/6.31
2,598En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5449E-AU_R2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5449E-AUR26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,598En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.67

S/2.63

S/2.47

Envase tipo carrete

S/2.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

6 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5540-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/8.02
2,874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5540-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5540-AUR202A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,874En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.48

Envase tipo carrete

S/3.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

40 V

192 A

1.88 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5540V-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/8.02
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5540V-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5540V-AUR22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.48

S/3.41

Envase tipo carrete

S/3.41

S/3.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5542-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/6.85
2,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5542-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5542AUR2002A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,488En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.92

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

136 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5542V-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/6.38
2,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5542V-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5542VAUR202A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,994En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.71

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

136 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5544V-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.76
2,800En existencias

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S/2.28

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5948V-AU_R2_002A1
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S/2.06

S/1.82

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S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060B-8

N-Channel

2 Channel

40 V

35 A

13.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

32 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4435EP-AU_R2_002A1
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S/0.95

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SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

45 A

12.5 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ4437EP-AU_R2_002A1
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PJQ4437EP-AU_R2_002A1

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S/1.88

S/1.21

S/0.926

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

41 A

15.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ4439EP-AU_R2_002A1
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S/1.64

S/1.05

S/0.81

Envase tipo carrete

S/0.763

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

19.1 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

40V Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
3.1 A
4.3 A
9 A
16 A
21 A
35 A
37 A
40 A
41 A
42 A
43 A
45 A
48 A
50 A
55 A
60 A
61 A
64 A
67 A

1.88 mOhms
2.1 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
3.6 mOhms
5 mOhms
5.3 mOhms
5.6 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
8.8 mOhms
9.1 mOhms
9.4 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms

4.4 nC
4.8 nC
6 nC
7.3 nC
8.3 nC
9.5 nC
10 nC
13 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
32 nC
34 nC
41 nC
43 nC
50 nC
54 nC
56 nC
59 nC

1.25 W
2 W
2.5 W
3 W
3.3 W
22 W
25 W
30 W
32 W
36 W
41 W
42 W
43 W
43.2 W
54 W
63 W
64.9 W
65 W
68 W
71 W