Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 38

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG

NTMFS006N12MCT1G
onsemi
1: S/15.57
23,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS006N12MCT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS006N12MCT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG

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23,256En existencias

Cinta cortada

S/15.57

S/10.20

S/8.02

S/6.89

S/6.42

Envase tipo carrete

S/6.42

MouseReel Disponible

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

120 V

93 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX

FDBL9406-F085T6
onsemi
1: S/13.27
1,543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL9406-F085T6

N.º de artículo de Mouser
863-FDBL9406-F085T6

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX

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1,543En existencias

Cinta cortada

S/13.27

S/8.49

S/6.19

S/5.02

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

1.21 mOhms

- 16 V, 20 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

136.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET

NTBLS1D7N08H
onsemi
1: S/20.94
3,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS1D7N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS1D7N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET

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3,281En existencias

Cinta cortada

S/20.94

S/12.07

S/10.86

S/10.59

Envase tipo carrete

S/9.50

Ver

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

203 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

121 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.7 MOHMS MAX

FDBL9401-F085T6
onsemi
1: S/36.39
2,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL9401-F085T6

N.º de artículo de Mouser
863-FDBL9401-F085T6

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.7 MOHMS MAX

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2,046En existencias

Cinta cortada

S/36.39

S/23.67

S/20.32

S/20.09

S/19.03

Envase tipo carrete

S/16.85

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

670 uOhms

- 16 V, 20 V

4 V

148 nC

- 55 C

+ 175 C

180.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.0MO

NTBGS001N06C
onsemi
1: S/31.68
800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBGS001N06C

N.º de artículo de Mouser
863-NTBGS001N06C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.0MO

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800En existencias

Cinta cortada

S/31.68

Envase tipo carrete

S/31.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

60 V

342 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

139 nC

- 55 C

+ 175 C

3.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS1D2N04CLTWG
onsemi
1: S/10.86
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS1D2N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS1D2N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/10.86

S/7.01

S/5.18

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

258 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS003N04CTAG
onsemi
1: S/9.38
5,445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS003N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS003N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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5,445En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/6.03

S/4.13

S/3.30

Envase tipo carrete

S/2.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

103 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

NTMFS0D6N03CT1G
onsemi
1: S/11.91
4,334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N03CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N03CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

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4,334En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/7.75

S/5.33

S/4.32

S/3.82

Envase tipo carrete

S/3.82

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

433 A

620 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG

NTMFS008N12MCT1G
onsemi
1: S/11.13
1,183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS008N12MCT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS008N12MCT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG

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1,183En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/6.89

S/5.37

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

120 V

79 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

102 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

NVTFS4C02NTAG
onsemi
1: S/9.23
973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C02NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C02NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

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973En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/6.62

S/5.22

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

162 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

NTMTS6D0N15MC
onsemi
1: S/25.53
2,960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS6D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS6D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

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Hoja de datos

2,960En existencias

Cinta cortada

S/25.53

S/16.27

S/13.35

S/13.27

S/12.34

Envase tipo carrete

S/10.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

135 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

245 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS0D9N04XMT1G
onsemi
1: S/11.44
2,281En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS0D9N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWSD9N04XMT1G

Nuevo en Mouser

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Hoja de datos

2,281En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/7.43

S/5.14

S/4.24

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

273 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

61.3 nC

- 55 C

+ 175 C

121 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.5MO

NTBGS1D5N06C
onsemi
1: S/17.13
1,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBGS1D5N06C

N.º de artículo de Mouser
863-NTBGS1D5N06C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.5MO

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Hoja de datos

1,390En existencias

Cinta cortada

S/17.13

S/11.44

S/8.80

S/7.82

Envase tipo carrete

S/7.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

60 V

267 A

1.62 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

78.6 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NTMJS1D4N06CLTWG
onsemi
1: S/14.29
1,472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D4N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D4N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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Hoja de datos

1,472En existencias

Cinta cortada

S/14.29

S/9.61

S/7.36

S/5.06

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

262 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI

NTMTS001N06CTXG
onsemi
1: S/15.96
5,825En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS001N06CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS001N06CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI

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Hoja de datos

5,825En existencias

Cinta cortada

S/15.96

S/10.51

S/7.40

S/6.70

S/6.66

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-88-8

N-Channel

1 Channel

60 V

398.2 A

810 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE

NVBLS1D7N08H
onsemi
1: S/24.02
1,210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS1D7N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS1D7N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE

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Hoja de datos

1,210En existencias

Cinta cortada

S/24.02

S/16.08

S/11.56

S/10.59

S/9.89

Envase tipo carrete

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

241.3 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

121 nC

- 55 C

+ 175 C

237.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS015N04CTAG
onsemi
1: S/5.49
9,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS015N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS015N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

9,670En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.46

S/2.29

S/1.79

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

27 A

17.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 2.0 MOHMS MAX

NTMTSC002N10MCTXG
onsemi
1: S/29.23
1,251En existencias
3,000Se espera el 11/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMTSC002N10MCTXG

N.º de artículo de Mouser
863-TMTSC002N10MCTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 2.0 MOHMS MAX

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Hoja de datos

1,251En existencias

3,000Se espera el 11/12/2026

Cinta cortada

S/29.23

S/19.42

S/15.73

S/13.97

S/12.34

Envase tipo carrete

S/12.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TDFNW-8

N-Channel

1 Channel

100 V

236 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

255 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE

NTBGS004N10G
onsemi
1: S/31.76
508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBGS004N10G

N.º de artículo de Mouser
863-NTBGS004N10G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE

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Hoja de datos

508En existencias

Cinta cortada

S/31.76

S/21.10

S/17.09

S/15.18

Envase tipo carrete

S/13.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

203 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

340 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 1.6 MOHMS MAX

NTMTS1D6N10MCTXG
onsemi
1: S/47.22
997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS1D6N10MCTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS1D6N10MCTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 1.6 MOHMS MAX

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Hoja de datos

997En existencias

Cinta cortada

S/47.22

S/36.94

S/30.75

S/27.40

S/25.61

Envase tipo carrete

S/25.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

273 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

291 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

NVMTS4D3N15MC
onsemi
1: S/28.73
2,777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS4D3N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS4D3N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

Obtenga más información

Hoja de datos

2,777En existencias

Cinta cortada

S/28.73

S/20.09

S/15.30

S/14.71

Envase tipo carrete

S/14.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

165 A

4.45 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

292 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.9 MOHMS MAX

FDBL9403-F085T6
onsemi
1: S/28.34
191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL9403-F085T6

N.º de artículo de Mouser
863-FDBL9403-F085T6

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.9 MOHMS MAX

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191En existencias

Cinta cortada

S/28.34

S/19.19

S/14.44

S/14.25

Envase tipo carrete

S/13.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

159.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

NTMFS0D8N03CT1G
onsemi
1: S/8.60
146En existencias
1,500Se espera el 24/07/2026

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NTMFS0D8N03CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D8N03CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

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1,500Se espera el 24/07/2026

Cinta cortada

S/8.60

S/5.53

S/3.81

S/3.23

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

337 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
1: S/7.51
8En existencias
10,500Se espera el 13/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.23

S/2.56

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SINGLE

NTMFS5C426NLT1G
onsemi
1: S/8.17
1,668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C426NLT1G

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863-NTMFS5C426NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SINGLE

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1,668En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.14

S/3.39

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

237 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
40 A
41.9 A
47.2 A
79 A
93 A
103 A
105 A
119 A
135 A
162 A
165 A
170 A
174 A
203 A
236 A
237 A
240 A
241.3 A
258 A

520 uOhms
620 uOhms
670 uOhms
700 uOhms
740 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.62 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
3.5 mOhms
4.1 mOhms
4.45 mOhms

6.3 nC
17 nC
20 nC
21 nC
23 nC
33 nC
42 nC
48 nC
50 nC
52 nC
55 nC
58 nC
61.3 nC
65 nC
66 nC
75 nC
78.6 nC
79 nC
80 nC
82 nC

3.2 W
3.7 W
23 W
69 W
71.4 W
80.6 W
87 W
102 W
104 W
107 W
121 W
125 W
128 W
134 W
136.4 W
150 W
159.6 W
166 W
167 W
179 W