Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low R_DS(on) and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 38

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG

NTMFS006N12MCT1G
onsemi
1: S/17.48
23,221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS006N12MCT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS006N12MCT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG

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23,221En existencias

Cinta cortada

S/17.48

S/9.30

S/8.45

Envase tipo carrete

S/8.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

120 V

93 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
1: S/8.52
239En existencias
18,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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239En existencias

18,000En pedido

Cinta cortada

S/8.52

S/4.83

S/3.66

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.34

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX

FDBL9406-F085T6
onsemi
1: S/14.13
1,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL9406-F085T6

N.º de artículo de Mouser
863-FDBL9406-F085T6

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX

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Cinta cortada

S/14.13

S/7.12

S/6.31

S/5.22

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

1.21 mOhms

- 16 V, 20 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

136.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NTMJS1D4N06CLTWG
onsemi
1: S/13.62
1,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D4N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D4N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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Cinta cortada

S/13.62

S/6.85

S/6.19

S/5.02

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

262 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS1D2N04CLTWG
onsemi
1: S/12.26
2,833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS1D2N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS1D2N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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2,833En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.90

S/5.41

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

258 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.0MO

NTBGS001N06C
onsemi
1: S/27.87
777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBGS001N06C

N.º de artículo de Mouser
863-NTBGS001N06C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.0MO

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777En existencias

Cinta cortada

S/27.87

S/18.26

S/13.27

S/10.70

Envase tipo carrete

S/10.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

60 V

342 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

139 nC

- 55 C

+ 175 C

3.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS003N04CTAG
onsemi
1: S/10.39
5,417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS003N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS003N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Cinta cortada

S/10.39

S/5.10

S/4.59

S/3.67

S/3.21

Envase tipo carrete

S/3.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

103 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET

NTBLS1D7N08H
onsemi
1: S/26.00
3,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS1D7N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS1D7N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET

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3,281En existencias

Cinta cortada

S/26.00

S/16.11

S/12.69

S/11.76

S/11.25

Envase tipo carrete

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

203 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

121 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V U8FL

NVTFS4C02NWFTAG
onsemi
1: S/14.09
914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C02NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C02NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V U8FL

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914En existencias

Cinta cortada

S/14.09

S/7.08

S/6.27

S/5.22

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

162 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG

NTMFS008N12MCT1G
onsemi
1: S/13.31
1,183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS008N12MCT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS008N12MCT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG

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1,183En existencias

Cinta cortada

S/13.31

S/6.85

S/5.92

S/5.10

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

120 V

79 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

102 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

NVTFS4C02NTAG
onsemi
1: S/11.76
948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C02NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C02NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

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948En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/6.42

S/5.53

S/4.67

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

162 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

NTMTS6D0N15MC
onsemi
1: S/29.39
2,960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS6D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS6D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

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2,960En existencias

Cinta cortada

S/29.39

S/15.96

S/14.64

S/13.97

S/13.23

Envase tipo carrete

S/13.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

135 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

245 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS0D9N04XMT1G
onsemi
1: S/12.69
825En existencias
1,500Se espera el 10/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS0D9N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWSD9N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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825En existencias

1,500Se espera el 10/03/2027

Cinta cortada

S/12.69

S/6.34

S/5.72

S/4.63

S/4.20

Envase tipo carrete

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

273 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

61.3 nC

- 55 C

+ 175 C

121 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE

NVBLS1D7N08H
onsemi
1: S/24.87
622En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS1D7N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS1D7N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE

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622En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/24.87

S/13.16

S/12.03

S/11.09

S/10.47

Envase tipo carrete

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

241.3 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

121 nC

- 55 C

+ 175 C

237.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS015N04CTAG
onsemi
1: S/6.07
8,638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS015N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS015N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

8,638En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 370

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

27 A

17.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 2.0 MOHMS MAX

NTMTSC002N10MCTXG
onsemi
1: S/29.51
919En existencias
3,000Se espera el 9/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMTSC002N10MCTXG

N.º de artículo de Mouser
863-TMTSC002N10MCTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 2.0 MOHMS MAX

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Hoja de datos

919En existencias

3,000Se espera el 9/10/2026

Cinta cortada

S/29.51

S/15.84

S/14.56

Envase tipo carrete

S/14.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 430

: 3,000

SMD/SMT

TDFNW-8

N-Channel

1 Channel

100 V

236 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

255 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 22MOHM POWERCLIP33

NTTFS022N15MC
onsemi
1: S/14.79
1,368En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS022N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS022N15MC

Fin de vida útil

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 22MOHM POWERCLIP33

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Hoja de datos

1,368En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/7.47

S/7.08

S/5.96

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

47.2 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

71.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE

NTBGS004N10G
onsemi
1: S/31.41
597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBGS004N10G

N.º de artículo de Mouser
863-NTBGS004N10G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE

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Hoja de datos

597En existencias

Cinta cortada

S/31.41

S/16.97

S/15.57

S/14.29

Envase tipo carrete

S/14.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

203 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

340 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

NTMFS0D5N03CT1G
onsemi
1: S/12.34
4,708En existencias
1,500Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N03CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D5N03CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

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Hoja de datos

4,708En existencias

1,500Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/12.34

S/6.15

S/5.53

Envase tipo carrete

S/5.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

464 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

NTMFS0D6N03CT1G
onsemi
1: S/12.34
1,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N03CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N03CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

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Hoja de datos

1,515En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/6.15

S/5.53

S/4.48

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

433 A

620 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 1.6 MOHMS MAX

NTMTS1D6N10MCTXG
onsemi
1: S/29.19
922En existencias
3,000Se espera el 9/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS1D6N10MCTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS1D6N10MCTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 1.6 MOHMS MAX

Obtenga más información

Hoja de datos

922En existencias

3,000Se espera el 9/04/2027

Cinta cortada

S/29.19

S/15.65

S/14.36

S/13.70

S/12.96

Envase tipo carrete

S/12.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

273 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

291 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

NVMTS4D3N15MC
onsemi
1: S/32.85
2,308En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS4D3N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS4D3N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

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Hoja de datos

2,308En existencias

Cinta cortada

S/32.85

S/17.83

S/16.39

Envase tipo carrete

S/16.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

165 A

4.45 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

292 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.7 MOHMS MAX

FDBL9401-F085T6
onsemi
1: S/41.34
13En existencias
4,000Se espera el 8/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
FDBL9401-F085T6

N.º de artículo de Mouser
863-FDBL9401-F085T6

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.7 MOHMS MAX

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13En existencias

4,000Se espera el 8/01/2027

Cinta cortada

S/41.34

S/26.43

S/23.16

S/21.72

S/20.51

Envase tipo carrete

S/20.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

670 uOhms

- 16 V, 20 V

4 V

148 nC

- 55 C

+ 175 C

180.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.9 MOHMS MAX

FDBL9403-F085T6
onsemi
1: S/30.32
161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL9403-F085T6

N.º de artículo de Mouser
863-FDBL9403-F085T6

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.9 MOHMS MAX

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Hoja de datos

161En existencias

Cinta cortada

S/30.32

S/20.51

S/14.99

S/14.44

S/14.32

Envase tipo carrete

S/14.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

159.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

NTMFS0D8N03CT1G
onsemi
1: S/9.81
189En existencias
1,500Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D8N03CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D8N03CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

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189En existencias

1,500Se espera el 26/10/2026

Cinta cortada

S/9.81

S/6.23

S/4.20

S/3.21

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

337 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Single N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
40 A
41.9 A
47.2 A
79 A
93 A
103 A
105 A
119 A
135 A
162 A
165 A
170 A
174 A
203 A
236 A
237 A
240 A
241.3 A
258 A

520 uOhms
620 uOhms
670 uOhms
700 uOhms
740 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.62 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
3.5 mOhms
4.1 mOhms
4.45 mOhms

6.3 nC
17 nC
20 nC
21 nC
23 nC
33 nC
42 nC
48 nC
50 nC
52 nC
55 nC
58 nC
61.3 nC
65 nC
66 nC
75 nC
78.6 nC
79 nC
80 nC
82 nC

3.2 W
3.7 W
23 W
69 W
71.4 W
80.6 W
87 W
102 W
104 W
107 W
121 W
125 W
128 W
134 W
136.4 W
150 W
159.6 W
166 W
167 W
179 W