Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Q_rr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Q_rr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHB105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB105N60EF-GE3

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102 mOhms

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Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

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S/15.38

S/14.56

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHA186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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S/9.85

S/7.24

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHG105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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Tube

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SIHP22N60EF-GE3
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SIHA22N60EF-GE3
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Tube

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SIHG61N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-247AC-3

Tube

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SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHH14N65EF-T1-GE3

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SIHP21N60EF-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHB24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB24N65EF-GE3

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Tube

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SIHB22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB22N60EF-GE3

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SMD/SMT

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1 Channel

600 V

19 A

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179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH11N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHH11N65EF-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH26N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/31.22
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SIHH26N60EF-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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S/31.22

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S/13.04

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

117 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/34.88
2,920En existencias

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SIHH24N65EF-T1-GE3

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78-SIHH24N65EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

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S/34.88

Envase tipo carrete

S/15.06

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

650 V

23 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

77 nC

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202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD

SIHW61N65EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/57.34
434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHW61N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHW61N65EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD

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S/57.34

S/40.37

S/29.70

S/29.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH14N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/21.72
2,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH14N60EF-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH14N60EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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2,996En existencias

Cinta cortada

S/21.72

S/14.52

S/10.43

S/10.12

Envase tipo carrete

S/8.25

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Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

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- 30 V, 30 V

4 V

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+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/27.36
440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG24N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

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S/27.36

S/19.73

S/15.96

S/11.02

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TO-247AC-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHB186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.75
946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

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S/14.75

S/7.40

S/7.08

S/5.84

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

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+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHP052N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/28.92
1,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP052N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP052N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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S/28.92

S/15.53

S/14.32

S/12.18

S/12.14

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHG052N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/30.71
461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG052N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG052N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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461En existencias

S/30.71

S/20.90

S/15.34

S/13.12

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

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- 30 V, 30 V

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278 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET

SIHP24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.50
1,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP24N80AEF-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIHP24N80AEF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET

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S/12.96

S/9.26

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N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

SIHG80N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/47.53
98En existencias

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SIHG80N60EF-GE3

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78-SIHG80N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

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S/47.53

S/35.97

S/35.03

S/34.45

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TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

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32 mOhms

- 30 V, 30 V

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET

SIHG24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix
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1,397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N80AEF-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIHG24N80AEF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET

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S/20.36

S/14.87

S/10.70

S/10.67

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1 Channel

800 V

20 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG44N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/40.40
475Se espera el 3/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHG44N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG44N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

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Hoja de datos

475Se espera el 3/08/2026

S/40.40

S/31.61

S/26.35

S/19.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

63 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

SIHG22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.09
500Existencias disponibles

N.º de artículo del Fabricante
SIHG22N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG22N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

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Hoja de datos

500Existencias disponibles

Más información disponible

S/20.09

S/11.13

S/9.54

S/7.90

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

EF High Voltage Power MOSFETs

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