Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Q_rr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Q_rr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

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Resultados: 31

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHB105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.89
7,453En existencias

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SIHB105N60EF-GE3

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78-SIHB105N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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S/19.89

S/10.32

S/9.38

S/7.79

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

102 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.53
832En existencias

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SIHG186N60EF-GE3

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78-SIHG186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

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S/18.53

S/10.59

S/9.61

S/8.06

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHP052N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/31.06
1,041En existencias

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SIHP052N60EF-GE3

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78-SIHP052N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

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S/31.06

S/16.78

S/15.38

S/14.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHG105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/21.76
2,551En existencias

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SIHG105N60EF-GE3

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78-SIHG105N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

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S/21.76

S/14.48

S/10.35

S/9.77

S/8.80

Min.: 1
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Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

102 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

35 nC

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208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode

SIHP22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.15
1,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP22N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP22N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode

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S/19.15

S/12.61

S/9.15

S/7.63

S/7.08

Min.: 1
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19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHA186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.27
1,516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

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S/16.27

S/10.59

S/7.90

S/6.62

Ver

Min.: 1
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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

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- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode

SIHA22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.41
1,044En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA22N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA22N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode

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1,044En existencias

S/18.41

S/12.18

S/8.60

S/7.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode

SIHB22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.12
1,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB22N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB22N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode

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S/20.12

S/13.20

S/10.12

S/8.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG61N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/64.23
314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG61N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG61N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

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314En existencias

S/64.23

S/48.93

S/40.79

S/34.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.73
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH14N65EF-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH14N65EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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Cinta cortada

S/25.73

S/17.28

S/12.49

S/11.60

S/11.17

Envase tipo carrete

S/11.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

225 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHB186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.27
936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

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936En existencias

S/16.27

S/8.37

S/7.59

S/6.23

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG44N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/44.72
475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG44N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG44N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

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475En existencias

S/44.72

S/31.45

S/26.27

S/23.08

S/22.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

63 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/50.87
2,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH24N65EF-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH24N65EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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2,893En existencias

Cinta cortada

S/50.87

S/17.52

Envase tipo carrete

S/17.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

650 V

23 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD

SIHW61N65EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/61.35
409En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHW61N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHW61N65EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD

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409En existencias

S/61.35

S/43.17

S/34.45

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/28.42
835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB24N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB24N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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835En existencias

S/28.42

S/19.03

S/15.30

S/13.62

S/12.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH11N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.28
2,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH11N65EF-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH11N65EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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2,927En existencias

Cinta cortada

S/23.28

S/21.10

S/16.85

S/14.99

S/9.93

Envase tipo carrete

S/8.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

332 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH26N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/33.32
2,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH26N60EF-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH26N60EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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2,920En existencias

Cinta cortada

S/33.32

S/31.22

S/26.78

S/24.68

S/20.36

Envase tipo carrete

S/15.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

117 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHP21N60EF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.39
7,616En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP21N60EF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP21N60EF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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7,616En existencias

S/16.39

S/10.74

S/6.97

S/6.27

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

176 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH14N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.28
2,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH14N60EF-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH14N60EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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Hoja de datos

2,996En existencias

Cinta cortada

S/23.28

S/15.53

S/11.17

S/10.12

S/9.73

Envase tipo carrete

S/9.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/29.62
440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG24N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

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Hoja de datos

440En existencias

S/29.62

S/19.81

S/15.96

S/12.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHG052N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/32.89
461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG052N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG052N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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Hoja de datos

461En existencias

S/32.89

S/22.38

S/19.11

S/15.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET

SIHG24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.78
1,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N80AEF-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIHG24N80AEF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET

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1,387En existencias

S/23.78

S/15.92

S/11.44

S/11.02

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET

SIHP24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.86
980En existencias
1,000Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHP24N80AEF-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIHP24N80AEF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET

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980En existencias

1,000Se espera el 16/07/2026

S/20.86

S/13.86

S/9.89

S/8.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

SIHG80N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/68.90
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG80N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG80N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

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S/68.90

S/43.52

S/40.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

32 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

400 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

SIHG22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
50: S/12.38
500Existencias disponibles

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SIHG22N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG22N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

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S/12.38

S/10.20

S/8.60

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

EF High Voltage Power MOSFETs

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