Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2364EES-T1_BE3
Vishay
1: S/4.24
5,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2364EES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2364EES-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

5,908En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.65

S/1.74

S/1.34

S/1.21

Envase tipo carrete

S/1.04

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3419CEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.31
6,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3419CEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3419CEV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

6,701En existencias

Cinta cortada

S/3.31

S/2.05

S/1.32

S/1.01

S/0.911

Envase tipo carrete

S/0.779

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.35 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70

SQ1464EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.23
14,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1464EEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1464EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70

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Hoja de datos

14,926En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.00

S/1.30

S/0.989

S/0.887

Envase tipo carrete

S/0.759

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

60 V

440 mA

1.41 Ohms

- 8 V, 8 V

450 mV

4.1 nC

- 55 C

+ 175 C

430 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V (D-S)

SQ2308CES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.55
18,076En existencias
150,000Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQ2308CES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2308CES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V (D-S)

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18,076En existencias

150,000Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/4.55

S/2.95

S/1.90

S/1.41

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.938

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.3 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20V (D-S)

SQ3985EV-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.67
7,150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3985EV-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3985EV-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20V (D-S)

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7,150En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.93

S/1.93

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

20 V

3.9 A

130 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

SQ4284EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.77
2,914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4284EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4284EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

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2,914En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/6.27

S/4.28

S/3.42

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

8 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4483BEEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.32
3,129En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4483BEEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4483BEEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/10.32

S/6.66

S/4.55

S/3.64

S/3.36

Envase tipo carrete

S/3.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

22 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N/P CHANNEL 30V

SQ4532AEY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.99
16,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4532AEY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4532AEY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N/P CHANNEL 30V

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16,060En existencias

Cinta cortada

S/5.99

S/3.74

S/2.60

S/2.15

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

5.3 A, 7.3 A

21 mOhms, 56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.9 nC, 7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ7415CENW-T1_GE3
Vishay
1: S/5.68
2,756En existencias
12,000Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQ7415CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ7415CENW-T1_GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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2,756En existencias

12,000Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

S/5.68

S/2.67

S/2.37

S/1.85

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK1212-8

P-Channel

1 Channel

60 V

16 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2362CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.65
1,659En existencias
144,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQ2362CES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2362CES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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1,659En existencias

144,000En pedido

Cinta cortada

S/2.65

S/1.63

S/1.04

S/0.79

S/0.708

Envase tipo carrete

S/0.599

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

4.3 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3481CEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.81
2,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3481CEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3481CEV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

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S/3.81

S/2.58

S/1.60

S/1.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.5 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE

SQ3989EV-T1_BE3
Vishay
1: S/3.97
5,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3989EV-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3989EV-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE

Hoja de datos

5,821En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.47

S/1.61

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.946

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQ4917CEY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.71
266En existencias
32,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQ4917CEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4917CEY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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266En existencias

32,500En pedido

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

2 Channel

60 V

8 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

36.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4940CEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.57
3,002En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4940CEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4940CEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

3,002En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.16

S/2.07

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11.2 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80V (D-S)

SQ2337ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.40
28,805En existencias
90,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQ2337ES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2337ES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80V (D-S)

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Comentarios de Producto

28,805En existencias

90,000En pedido

Cinta cortada

S/4.40

S/2.76

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

80 V

2.2 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S)

SQ2361ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.16
36,010En existencias
138,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQ2361ES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2361ES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S)

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36,010En existencias

138,000En pedido

Cinta cortada

S/4.16

S/2.59

S/2.07

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2.8 A

177 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

SQ2364EES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.24
15,035En existencias
60,000Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQ2364EES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

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15,035En existencias

60,000Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/4.24

S/2.65

S/1.74

S/1.34

S/1.21

Envase tipo carrete

S/1.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

240 mOhms

- 8 V, 8 V

460 mV

2.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3495EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.87
5,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3495EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3495EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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5,023En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.01

S/1.56

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.34

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

8 A

21 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

29 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4005EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.16
5,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4005EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4005EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

5,876En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.17

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

15 A

13 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V

SQ4050EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.03
4,577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4050EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4050EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V

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Cinta cortada

S/9.03

S/5.80

S/3.93

S/3.13

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30V

SQ4282EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.87
5,826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4282EY-T1_BE3

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78-SQ4282EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

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S/8.87

S/5.68

S/3.87

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

12.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified

SQ4410EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.60
3,458En existencias

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SQ4410EY-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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S/8.60

S/5.53

S/3.73

S/2.97

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V

SQ4937EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.40
7,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4937EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V

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Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.16

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

5 A

56 mOhms, 56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1440EH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.58
2,301En existencias
15,000Se espera el 13/08/2026

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SQ1440EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1440EH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/3.58

S/2.24

S/1.45

S/1.11

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

60 V

1.7 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1902AEL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.58
7,284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1902AEL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1902AEL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/3.58

S/2.24

S/1.45

S/1.11

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

780 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 175 C

430 mW

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.5 A, 3.57 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W