Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30 V

SQ4435EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.25
2,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4435EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4435EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30 V

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2,313En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/4.01

S/3.56

S/2.83

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

15 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3493EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.87
3,624En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3493EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3493EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

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3,624En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

21 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

22.7 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2351CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.61
12,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2351CES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2351CES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

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12,254En existencias

Cinta cortada

S/2.61

S/1.62

S/1.04

S/0.786

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.599

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

115 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2361CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.80
35,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2361CES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2361CES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

35,896En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/1.74

S/1.12

S/0.849

S/0.763

Envase tipo carrete

S/0.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2.8 A

177 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2389CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.79
92,097En existencias
183,000Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQ2389CES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2389CES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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92,097En existencias

183,000Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/4.79

S/3.30

S/2.09

S/1.29

S/0.954

Envase tipo carrete

S/0.849

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

4.1 A

94 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.2 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3425CEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.80
13,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3425CEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3425CEV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

13,438En existencias

S/2.80

S/1.72

S/1.11

S/0.841

Ver

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7.4 A

60 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3427CEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.13
22,642En existencias
54,000Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427CEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427CEV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

22,642En existencias

54,000Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/4.13

S/2.78

S/1.73

S/1.25

S/1.06

Envase tipo carrete

S/0.899

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

16.9 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4401CEY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.40
3,359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4401CEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4401CEY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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3,359En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.15

S/2.63

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

1 Channel

40 V

17.3 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

7.14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ7414CENW-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.54
7,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ7414CENW-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ7414CENW-T1_JE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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7,967En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.81

S/2.51

S/1.99

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.53

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQ4946CEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
40,218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4946CEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4946CEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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40,218En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.11

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

7 A

82.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14.3 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40V (D-S)

SQ2319ADS-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.28
100,708En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SQ2319ADS-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2319ADS-T1_BE3

Fin de vida útil

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40V (D-S)

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100,708En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.04

S/1.70

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

4.6 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2361CEES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.80
51,516En existencias
36,000Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQ2361CEES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2361CEES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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51,516En existencias

36,000Se espera el 10/08/2026

S/2.80

S/1.74

S/1.12

S/0.849

Ver

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2.8 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3426CEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
15,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3426CEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3426CEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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15,740En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.11

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.806

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

60 V

7 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4080EY-T1_BE3
Vishay
1: S/8.95
2,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4080EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4080EY-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET

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2,390En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.88

S/3.10

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4840CEY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.71
3,282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4840CEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4840CEY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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3,282En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20.7 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

44.8 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12V (D-S)

SQ2315ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.35
312,343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2315ES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2315ES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12V (D-S)

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Comentarios de Producto

312,343En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.09

S/1.35

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.934

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5 A

50 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30V (D-S)

SQ2348ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.90
100,114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2348ES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2348ES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30V (D-S)

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Comentarios de Producto

100,114En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.49

S/2.17

S/1.50

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.95 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S)

SQ3427AEEV-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.83
62,038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427AEEV-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427AEEV-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S)

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Comentarios de Producto

62,038En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.04

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.83
306,379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427AEEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

306,379En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.04

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.75
306,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

306,007En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.92

S/1.92

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.17

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ3457EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.40
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N.º de artículo del Fabricante
SQ3457EV-T1_GE3

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78-SQ3457EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

6.8 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

SQ7414CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.15
43,958En existencias

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SQ7414CENW-T1_GE3

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78-SQ7414CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

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S/2.90

S/2.58

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S/1.61

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2309CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.84
1,999En existencias
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SQ2309CES-T1_GE3

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78-SQ2309CES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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S/2.84

S/1.27

S/1.12

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.7 A

335 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.5 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2310CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.04
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N.º de artículo del Fabricante
SQ2310CES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2310CES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

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S/3.04

S/1.88

S/1.21

S/0.923

S/0.829

Envase tipo carrete

S/0.708

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6 A

30 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

4.95 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

SQ2319CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.61
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N.º de artículo del Fabricante
SQ2319CES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2319CES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

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S/2.61

S/1.60

S/1.03

S/0.779

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

4.6 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.5 A, 3.57 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W