Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

SQ4064EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.15
39,310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4064EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

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S/6.15

S/3.88

S/2.59

S/2.04

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S/1.68

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
30,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4153EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4153EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.70

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.45

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified

SQ4920EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.26
20,099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4920EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4920EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified

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S/9.26

S/5.96

S/4.09

S/3.25

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S/2.71

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

4.4 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.35
164,630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1431EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1431EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

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S/3.35

S/2.09

S/1.35

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.806

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
164,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2303ES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2303ES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/2.76

S/1.86

S/1.22

S/0.946

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S/0.728

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.52
541,237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427AEEV-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/4.52

S/2.79

S/1.86

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.14

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4431EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.61
38,977En existencias

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SQ4431EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4431EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

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S/5.61

S/3.75

S/2.55

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.56

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
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N.º de artículo del Fabricante
SQ4182EY-T1_GE3

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78-SQ4182EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/8.52

S/5.45

S/3.70

S/2.95

S/2.78

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S/2.31

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

32 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ3481EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.28
42,462En existencias

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SQ3481EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3481EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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S/4.28

S/2.67

S/1.74

S/1.34

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S/1.10

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.4 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150V SO-8

SQ4080EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
24,212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4080EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4080EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150V SO-8

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S/7.28

S/4.63

S/3.12

S/2.47

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S/2.03

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4435EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.75
10,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4435EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4435EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.33

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.25

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

15 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V (D-S)

SQ2303ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.08
79,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2303ES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2303ES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V (D-S)

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S/3.08

S/1.92

S/1.24

S/0.946

Envase tipo carrete

S/0.619

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

SQ3987EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.85
37,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3987EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3987EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/3.85

S/2.41

S/1.57

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.942

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

3 A

85 mOhms, 85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

SQ4470EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
6,519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4470EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4470EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

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6,519En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.93

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.57

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4483BEEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.65
2,359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4483BEEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4483BEEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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2,359En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/6.23

S/4.28

S/3.41

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

22 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.20
24,018En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3419AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3419AEEV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

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24,018En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.62

S/1.72

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.10

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30V

SQ4282EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.98
11,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4282EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4282EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30V

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11,026En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.14

S/3.45

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.31

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

12.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30 V

SQ4410EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.20
5,433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4410EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4410EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30 V

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Cinta cortada

S/7.20

S/5.10

S/3.48

S/2.77

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S/2.29

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

SQ4470EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.05
13,972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4470EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4470EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

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S/2.44

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 12V

SQ4153EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.52
9,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4153EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4153EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 12V

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S/5.45

S/3.70

S/3.00

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S/2.40

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30 V

SQ4425EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S)

SQ3418AEEV-T1_BE3
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S)

SQ2361ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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S/1.58

S/1.22

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S/0.833

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2.8 A

177 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4050EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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S/1.71

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4483EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SQ4483EY-T1_BE3

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Vishay Semiconductors

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S/5.14

S/3.45

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.20

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.57 A, 2.5 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W