Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ7414CENW-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.76
9,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ7414CENW-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ7414CENW-T1_JE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

9,888En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.49

S/2.28

S/1.85

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.29

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.58
153,435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1431EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1431EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

153,435En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.24

S/1.45

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.31
144,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2303ES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2303ES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

144,705En existencias

Cinta cortada

S/3.31

S/2.05

S/1.33

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.728

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4431EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.08
36,337En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4431EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4431EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

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Comentarios de Producto

36,337En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.01

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.39
305,607En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1922EEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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305,607En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

20 V

840 mA

350 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQ4184EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.04
30,016En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4184EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4184EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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30,016En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.46

S/4.44

S/3.53

S/3.24

Envase tipo carrete

S/2.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

29 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.38
50,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4483EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

50,032En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/6.03

S/4.13

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ3457EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.40
137,866En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3457EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3457EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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137,866En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.76

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

6.8 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40V (D-S)

SQ2319ADS-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.13
141,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2319ADS-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2319ADS-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40V (D-S)

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141,254En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.44

S/1.63

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

4.6 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.11
25,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4961EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4961EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

25,520En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

60 V

4.4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.58
201,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1470AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

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201,750En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.24

S/1.45

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.7 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.39
130,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1912AEEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

130,744En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.25 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.04
181,179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1912EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

181,179En existencias

Cinta cortada

S/3.04

S/1.89

S/1.22

S/0.926

Envase tipo carrete

S/0.712

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms, 200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.15 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.04
127,591En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1922AEEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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Hoja de datos

127,591En existencias

Cinta cortada

S/3.04

S/1.88

S/1.21

S/0.926

Envase tipo carrete

S/0.708

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

300 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3419AEEV-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.59
55,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3419AEEV-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3419AEEV-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Comentarios de Producto

55,570En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.88

S/1.90

S/1.25

Envase tipo carrete

S/1.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

61 mOhms

- 12 V, 12 V

2.5 V

8.4 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.75
391,269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

391,269En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.91

S/1.92

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.97
175,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3989EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3989EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

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Hoja de datos

175,999En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.47

S/1.61

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.961

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2.5 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

11.1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

SQ4064EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
33,981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4064EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

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33,981En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.36

S/2.66

Envase tipo carrete

S/1.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.04
29,145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4153EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4153EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

29,145En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.46

S/4.44

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified

SQ4920EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.93
18,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4920EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4920EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified

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: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

4.4 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1421EDH-T1_GE3

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78-SQ1421EDH-T1_GE3

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S/0.802

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.4 nC

- 55 C

+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.63
306,337En existencias

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SQ1563AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3

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S/1.01

S/0.81

S/0.771

Envase tipo carrete

S/0.697

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

150 mOhms, 500 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV, 1.5 V

930 pC, 1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12V (D-S)

SQ2315ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.58
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SQ2315ES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2315ES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12V (D-S)

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S/2.24

S/1.45

S/1.11

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S/0.806

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5 A

50 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30V (D-S)

SQ2348ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.87
163,625En existencias

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SQ2348ES-T1_BE3

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78-SQ2348ES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

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S/2.17

S/1.49

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S/1.12

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.95 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150V SO-8

SQ4080EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.95
24,025En existencias

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SQ4080EY-T1_GE3

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78-SQ4080EY-T1_GE3

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S/5.76

S/3.88

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.57

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: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.5 A, 3.57 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W