MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/164.85
3,750En pedido
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IMCQ120R007M2HXTMA1

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726-IMCQ120R007M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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Cinta cortada

S/164.85

S/118.88

S/111.01

Envase tipo carrete

S/111.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

1.2 kV

257 A

7.5 mOhms

4.2 V

+ 175 C

- 55 C

1.172 kW

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/43.87
235En existencias
750Se espera el 31/08/2026
Nuevo producto

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IMCQ120R040M2HXTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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235En existencias

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Cinta cortada

S/43.87

S/30.32

S/23.51

S/21.95

Envase tipo carrete

S/21.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/78.24
27En existencias
240Se espera el 24/09/2026
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IMZA120R017M2HXKSA1

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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240Se espera el 24/09/2026

S/78.24

S/48.93

S/46.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/58.15
172En existencias
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IMZA120R026M2HXKSA1

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726-IMZA120R026M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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S/58.15

S/35.42

S/31.68

Min.: 1
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Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/48.81
138En existencias
240Se espera el 24/09/2026
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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S/48.81

S/29.31

S/25.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/101.36
458En existencias
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IMBG120R012M2HXTMA1

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726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

S/101.36

S/73.49

S/69.95

S/69.05

Envase tipo carrete

S/63.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/62.98
359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R022M2HXTMA1

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726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

S/62.98

S/44.41

S/38.07

S/38.03

Envase tipo carrete

S/35.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/53.99
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IMBG120R026M2HXTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

S/53.99

S/37.76

S/31.18

Envase tipo carrete

S/29.12

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.16
310En existencias

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IMBG120R040M2HXTMA1

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/42.16

S/29.08

S/22.58

Envase tipo carrete

S/21.10

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

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1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.11
1,968En existencias

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IMBG120R053M2HXTMA1

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726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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S/35.11

S/23.98

S/17.75

Envase tipo carrete

S/16.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.35
614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R116M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

S/26.35

S/17.01

S/12.81

S/12.11

Envase tipo carrete

S/11.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.50
1,247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R181M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

S/22.50

S/15.03

S/10.74

S/9.81

Envase tipo carrete

S/9.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.32
5,604En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R234M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

S/20.32

S/13.51

S/9.61

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.52

S/7.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.72
41En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R078M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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41En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/31.72

S/21.33

S/16.50

S/15.26

Envase tipo carrete

S/13.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R005M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/222.30
490Se espera el 27/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R005M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R005M2HXU

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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490Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/222.30

S/189.60

S/167.49

S/156.40

Envase tipo carrete

S/156.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

342 A

13.6 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

261 nC

- 55 C

+ 175 C

1.364 kW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/75.98
1,500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R017M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R017M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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1,500En pedido

Cinta cortada

S/75.98

S/54.14

S/47.88

S/44.72

Envase tipo carrete

S/44.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.30
1,440Se espera el 8/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R053M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R053M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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1,440Se espera el 8/10/2026

S/41.30

S/22.65

S/20.94

S/19.42

S/19.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

69 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.48
1,992En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R040M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

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1,992En pedido

S/46.48

S/27.75

S/23.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.64
480Se espera el 24/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R078M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R078M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

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480Se espera el 24/08/2026

S/37.64

S/24.68

S/20.59

S/17.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.55
240Se espera el 22/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R078M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R078M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Hoja de datos

240Se espera el 22/10/2026

S/36.55

S/25.73

S/20.82

S/16.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

103 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
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