MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
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IMZC120R007M2HXKSA1

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726-IMZC120R007M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

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S/146.20

S/127.01

S/110.00

S/91.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/245.62
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IMCQ120R004M2HXUMA1

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726-IMCQ120R004M2HXU

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Cinta cortada

S/245.62

S/202.95

S/180.65

Envase tipo carrete

S/180.65

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/102.14
833En existencias
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IMCQ120R010M2HXTMA1

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726-IMCQ120R010M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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S/102.14

S/85.32

S/74.66

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S/74.66

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Carrete: 750

CoolSiC

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IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
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IMSQ120R012M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R012M2HHX

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S/153.87

S/133.63

S/116.89

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S/116.89

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1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/140.36
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IMCQ120R007M2HXTMA1

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726-IMCQ120R007M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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S/140.36

S/121.91

S/106.62

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S/106.62

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CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/67.65
431En existencias
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IMCQ120R017M2HXTMA1

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726-IMCQ120R017M2HXT

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S/67.65

S/54.14

S/46.83

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S/46.83

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CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/49.12
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IMCQ120R026M2HXTMA1

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726-IMCQ120R026M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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S/49.12

S/39.98

S/33.28

S/29.66

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S/25.18

MouseReel Disponible

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Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/40.05
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IMCQ120R034M2HXTMA1

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726-IMCQ120R034M2HXT

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S/40.05

S/31.33

S/26.12

S/23.28

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S/20.75

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Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
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S/38.57

S/29.23

S/24.37

S/21.72

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S/19.35

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Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
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IMCQ120R053M2HXTMA1

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726-IMCQ120R053M2HXT

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S/33.40

S/24.29

S/20.24

S/18.02

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S/16.08

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Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
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IMCQ120R078M2HXTMA1

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726-IMCQ120R078M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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S/28.53

S/21.29

S/17.24

S/15.30

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S/13.12

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Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/81.59
666En existencias
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IMSQ120R026M2HHXUMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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S/81.59

S/69.56

S/60.14

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S/60.14

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1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/64.73
682En existencias
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IMSQ120R040M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R040M2HHX

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/64.73

S/50.06

S/43.28

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S/43.28

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1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/54.07
404En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R053M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R053M2HHX

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Cinta cortada

S/54.07

S/37.91

S/33.67

S/33.63

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S/27.48

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Carrete: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/90.38
150En existencias
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IMZA120R012M2HXKSA1

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726-IMZA120R012M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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S/90.38

S/73.96

S/65.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/70.30
210En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R017M2HXK

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Infineon Technologies

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210En existencias

S/70.30

S/56.29

S/48.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.50
230En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R026M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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230En existencias

S/51.50

S/38.46

S/33.24

S/31.49

S/26.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/59.94
150En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R022M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R022M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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150En existencias

S/59.94

S/46.40

S/40.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.21
188En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R034M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R034M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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188En existencias

S/43.21

S/33.79

S/28.14

S/25.11

S/21.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.40
161En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R040M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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161En existencias

S/40.40

S/31.61

S/26.35

S/23.47

S/20.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.81
237En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R053M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R053M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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237En existencias

S/35.81

S/26.62

S/22.19

S/19.77

S/17.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

69 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.06
198En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R078M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R078M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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S/31.06

S/21.91

S/18.26

S/16.27

S/14.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

103 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/90.38
664En existencias
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IMZC120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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664En existencias

S/90.38

S/73.96

S/65.32

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/70.30
706En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R017M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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S/70.30

S/56.29

S/48.66

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.50
683En existencias
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IMZC120R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R026M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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683En existencias

S/51.50

S/38.46

S/33.24

S/31.49

S/26.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A
97 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
89 nC
124 nC
176 nC
195 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
382 W
385 W
405 W