Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

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Resultados: 68

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm

TK8A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/8.91
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm

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Hoja de datos

199En existencias

S/8.91

S/4.32

S/3.97

S/3.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

8 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

4.4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/9.23
364En existencias
800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK8A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

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Hoja de datos

364En existencias

800En pedido

S/9.23

S/4.52

S/3.86

S/3.13

S/2.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86

TK9A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/11.48
200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK9A55DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK9A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86

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200En existencias

S/11.48

S/5.68

S/5.22

S/4.09

S/3.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

8.5 A

860 mOhms

40 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25

TK13E25D,S1X(S
Toshiba
1: S/10.67
40Se espera el 14/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK13E25D,S1X(S

N.º de artículo de Mouser
757-TK13E25DS1XS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25

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40Se espera el 14/08/2026

S/10.67

S/5.25

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

13 A

250 mOhms

102 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm

TK5A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/8.80
40Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK5A60D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A60DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm

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Hoja de datos

40Se espera el 16/10/2026

S/8.80

S/4.28

S/3.71

S/3.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm

TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/8.91
49En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK8A50DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A50DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm

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49En pedido

S/8.91

S/4.32

S/3.87

S/3.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.5 A

760 mOhms

- 30 V, 30 V

4.4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40

TK13A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/15.45
148Se espera el 14/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK13A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40

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Hoja de datos

148Se espera el 14/08/2026

S/15.45

S/7.82

S/7.01

S/5.76

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 A

400 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

TK8A25DA,S4X
Toshiba
1: S/5.88
1,050Se espera el 11/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK8A25DA,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A25DAS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

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1,050Se espera el 11/08/2026

S/5.88

S/2.77

S/2.46

S/1.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

7.5 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

TK8A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/13.00
250Se espera el 7/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK8A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

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250Se espera el 7/08/2026

S/13.00

S/6.50

S/5.99

S/4.71

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

840 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm

TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/12.03
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK11A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/12.03

S/5.99

S/5.37

S/4.32

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11 A

600 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57

TK12A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/14.75
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/14.75

S/7.43

S/6.70

S/5.45

S/5.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

12 A

570 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75

TK5A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/6.66
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK5A45DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A45DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/6.66

S/3.15

S/2.80

S/2.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

4.5 A

1.75 Ohms

30 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm

TK6A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/8.49
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK6A53D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK6A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/8.49

S/4.13

S/3.67

S/2.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

1.3 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm

TK7A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/8.10
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7A45DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A45DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/8.10

S/3.89

S/3.48

S/2.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

6.5 A

1.2 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25

TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/8.91
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/8.91

S/4.32

S/3.86

S/3.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

7 A

1.25 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22

TK7P50D(T6RSS-Q)
Toshiba
2,000: S/2.65
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7P50D(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7P50DT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.65

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7 A

1.22 Ohms

100 W

MOSVII

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm

TK8A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/10.43
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK8A55DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/10.43

S/5.14

S/4.55

S/3.68

S/3.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

7.5 A

1.07 Ohms

40 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A

TK10A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/12.61
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK10A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/12.61

S/6.31

S/5.64

S/4.55

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

10 A

720 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms

TK11A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/13.78
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK11A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/13.78

S/6.93

S/6.23

S/5.06

S/4.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11 A

520 mOhms

25 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

TK12A45D,S5Q(J
Toshiba
1: S/12.42
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A45D,S5Q(J

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A45DS5QJ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

Hoja de datos

No en existencias

S/12.42

S/8.06

S/5.53

S/4.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

TK12A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/12.34
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/12.34

S/6.15

S/5.49

S/4.44

S/4.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

12 A

520 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58

TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/13.74
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12A53D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/13.74

S/6.89

S/6.19

S/5.02

S/4.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

525 V

12 A

580 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46

TK13A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/13.27
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK13A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/13.27

S/6.66

S/5.96

S/4.83

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

13 A

460 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48

TK13A55DA(STA4,QM)
Toshiba
1: S/16.00
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK13A55DA(STA4,QM)

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/16.00

S/8.14

S/7.36

S/5.99

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

13.5 A

480 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37

TK14A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/17.24
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK14A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK14A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/17.24

S/8.84

S/7.98

S/6.54

S/6.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

14 A

370 mOhms

50 W

MOSVII

Tube

π-MOS VII MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.7 A
4 A
4.5 A
5 A
5.5 A
6 A
6.5 A
7 A
7.5 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A

27 mOhms
70 mOhms
139 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
390 mOhms
400 mOhms
460 mOhms
480 mOhms
500 mOhms
520 mOhms
550 mOhms
570 mOhms
580 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
720 mOhms
760 mOhms