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TK8A50D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8A50DSTA4QM
Price: 8.06 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK8A50DSTA4QM

Fabricante N.º:

TK8A50D(STA4,Q,M)

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

Hoja de datos:

TK8A50D(STA4,Q,M) Hoja de datos (PDF)

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	S/8.06	S/8.06
	S/4.09	S/40.90
	S/3.97	S/397.00
	S/3.13	S/1,565.00
	S/2.47	S/2,470.00
	S/2.46	S/6,150.00
	S/2.35	S/11,750.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	850 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSVII
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	TK8A50D
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns
Peso de la unidad:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.