Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options.

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Resultados: 104

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 2.2A

PMV88ENEAR
Nexperia
1: S/2.37
29,761En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMV88ENEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV88ENEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 2.2A

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Hoja de datos

29,761En pedido

Cinta cortada

S/2.37

S/1.47

S/1.06

S/0.926

Envase tipo carrete

S/0.522

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.2 A

117 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

4 nC

- 55 C

+ 175 C

1.26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 6.7A

BUK4D110-20PX
Nexperia
1: S/3.11
6,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK4D110-20PX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK4D110-20PX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 6.7A

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Hoja de datos

6,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.11

S/1.69

S/1.40

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.455

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6.7 A

110 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

7.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A

BUK4D16-20H
Nexperia
1: S/2.72
3,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK4D16-20H

N.º de artículo de Mouser
771-BUK4D16-20H

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A

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Hoja de datos

3,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.72

S/1.70

S/1.61

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.634

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

20 V

26 A

14 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

9.8 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 18A

BUK4D38-20PX
Nexperia
1: S/2.65
3,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK4D38-20PX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK4D38-20PX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 18A

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Hoja de datos

3,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.65

S/1.85

S/1.48

S/1.30

Envase tipo carrete

S/0.603

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

18 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8.3A

BUK4D60-30X
Nexperia
1: S/3.43
8,580Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK4D60-30X

N.º de artículo de Mouser
771-BUK4D60-30X

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8.3A

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Hoja de datos

8,580Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.43

S/2.29

S/1.80

S/1.56

Envase tipo carrete

S/0.619

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.3 A

60 mOhms

- 12 V, 12 V

1.25 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

7.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 5.7A

BUK6D120-40EX
Nexperia
3,000: S/0.459
6,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D120-40EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D120-40EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 5.7A

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Hoja de datos

6,000Se espera el 8/02/2027

Envase tipo carrete

S/0.459

S/0.416

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

40 V

5.7 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.4 nC

- 55 C

+ 175 C

7.5 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 7.4A

BUK6D125-60EX
Nexperia
1: S/2.34
5,955Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D125-60EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D125-60EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 7.4A

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Hoja de datos

5,955Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.34

S/1.45

S/1.34

S/0.93

Envase tipo carrete

S/0.533

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

7.4 A

271 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 1.9A

BUK6D230-80EX
Nexperia
1: S/2.14
11,847En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D230-80EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D230-80EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 1.9A

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Hoja de datos

11,847En pedido

Cinta cortada

S/2.14

S/1.31

S/0.833

S/0.627

Envase tipo carrete

S/0.475

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

80 V

5.1 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

4.8 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 6A

BUK6D30-40EX
Nexperia
1: S/3.19
6,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D30-40EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D30-40EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 6A

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Hoja de datos

6,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.19

S/1.99

S/1.45

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

40 V

18 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 4A

BUK6D56-60EX
Nexperia
1: S/2.45
7,500Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D56-60EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D56-60EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 4A

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Hoja de datos

7,500Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.45

S/1.51

S/1.44

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.557

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

60 V

11 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3.4A

BUK6D77-60EX
Nexperia
1: S/2.45
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D77-60EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D77-60EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3.4A

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Hoja de datos

9,000En pedido

Cinta cortada

S/2.45

S/1.51

S/0.965

S/0.732

Envase tipo carrete

S/0.557

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

10.6 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

9.2 nC

- 55 C

+ 175 C

18.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 3.2A

BUK6D81-80EX
Nexperia
1: S/2.41
11,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D81-80EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D81-80EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 3.2A

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Hoja de datos

11,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.41

S/1.49

S/1.42

S/0.954

Envase tipo carrete

S/0.549

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

80 V

9.8 A

81 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

18.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A

BUK7D25-40EX
Nexperia
1: S/3.15
2,602Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK7D25-40EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7D25-40EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A

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Hoja de datos

2,602Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.15

S/1.94

S/1.41

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.716

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5.5A

BUK7D36-60EX
Nexperia
1: S/2.53
8,980Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK7D36-60EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7D36-60EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5.5A

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Hoja de datos

8,980Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.53

S/1.56

S/1.00

S/0.759

Envase tipo carrete

S/0.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

60 V

14 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 60V 2.5A

PMN100EPAX
Nexperia
1: S/2.84
8,793Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMN100EPAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN100EPAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 60V 2.5A

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Hoja de datos

8,793Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.84

S/1.76

S/1.28

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.646

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-457-6

P-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 40V 6.2A

PMN20ENAX
Nexperia
1: S/3.19
6,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMN20ENAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN20ENAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 40V 6.2A

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Hoja de datos

6,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.19

S/1.98

S/1.44

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.732

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6.7 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 30V 6.4A

PMN25ENEAX
Nexperia
1: S/2.80
3,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMN25ENEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN25ENEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 30V 6.4A

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Hoja de datos

3,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.80

S/1.74

S/1.26

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.631

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6.4 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 100V 1.2A

PMN280ENEAX
Nexperia
3,000: S/0.463
6,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMN280ENEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN280ENEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 100V 1.2A

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Hoja de datos

6,000Se espera el 8/02/2027

Envase tipo carrete

S/0.463

S/0.416

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-457-6

N-Channel

1 Channel

100 V

1.2 A

385 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.7 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 40V 5.4A

PMN30ENEAX
Nexperia
1: S/2.57
14,716En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMN30ENEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN30ENEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 40V 5.4A

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Hoja de datos

14,716En pedido

Cinta cortada

S/2.57

S/1.60

S/1.16

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.576

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-457-6

N-Channel

1 Channel

40 V

5.4 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.8 nC

- 55 C

+ 175 C

667 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN48XPA2/SOT457/SC-74

PMN48XPA2X
Nexperia
1: S/2.80
5,953Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMN48XPA2X

N.º de artículo de Mouser
771-PMN48XPA2X

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN48XPA2/SOT457/SC-74

Obtenga más información

Hoja de datos

5,953Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.80

S/1.72

S/1.45

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.568

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-96-1-8

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

55 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 3.6A

PMN55ENEAX
Nexperia
1: S/2.61
6,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMN55ENEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN55ENEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 3.6A

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Hoja de datos

6,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.61

S/1.61

S/1.17

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

60 V

4.5 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 3.2A

PMPB100XPEAX
Nexperia
1: S/1.99
15,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMPB100XPEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB100XPEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 3.2A

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Hoja de datos

15,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/1.99

S/1.23

S/0.887

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.432

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

122 mOhms

- 8 V, 8 V

1.25 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8.9A

PMPB10R3XNX
Nexperia
1: S/3.00
9,000Se espera el 1/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMPB10R3XNX

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB10R3XNX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8.9A

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Hoja de datos

9,000Se espera el 1/02/2027

Cinta cortada

S/3.00

S/1.86

S/1.41

S/0.989

Envase tipo carrete

S/0.572

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.9 A

12.2 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 9A

PMPB10XNEAX
Nexperia
3,000: S/0.81
3,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMPB10XNEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB10XNEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 9A

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Hoja de datos

3,000Se espera el 8/02/2027

Envase tipo carrete

S/0.81

S/0.74

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

20 V

9 A

14 mOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

34 nC

- 55 C

+ 150 C

12.5 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.5A

PMPB20XNEAX
Nexperia
1: S/2.96
2,605Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMPB20XNEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB20XNEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.5A

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Hoja de datos

2,605Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.96

S/1.83

S/1.33

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.673

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

20 mOhms

- 12 V, 12 V

750 mV

15 nC

- 55 C

+ 150 C

1.65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Small Signal Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

800 mA
1 A
1.1 A
1.2 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.8 A
3 A
3.1 A
3.2 A
3.3 A
3.4 A
3.5 A
3.7 A

12.2 mOhms
14 mOhms
15 mOhms
16 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
23.5 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
32 mOhms
32.5 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
38 mOhms

800 pC
2.2 nC
2.4 nC
2.5 nC
2.6 nC
3.3 nC
3.6 nC
3.8 nC
4 nC
4.4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.7 nC
4.8 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC
6.7 nC

466 mW
610 mW
660 mW
667 mW
833 mW
890 mW
930 mW
980 mW
1.05 W
1.06 W
1.14 W
1.19 W
1.2 W
1.2 W, 7 W
1.25 W
1.26 W
1.3 W
1.31 W
1.39 W
1.4 W