Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A
PMN42XPEAX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A
79,326 En existencias
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10
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Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
20 V
5.7 A
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- 12 V, 12 V
1.25 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 4.7A
PMN40SNAX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 4.7A
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1
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Si
SMD/SMT
SOT-457-6
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PMPB14XNX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8.1A
12 En existencias
24,000 Se espera el 8/02/2027
1
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.6A
BSH205G2AR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.6A
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SOT-23-3
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PMPB50XNX
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Nuevo producto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB50XN/SOT1220/SOT1220
1,803 En existencias
1
S/3.66
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 18A
BUK4D38-20PH
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N.º de artículo de Mouser 771-BUK4D38-20PH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 18A
1,066 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
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1
S/2.72
10
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Detalles
Si
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DFN-2020MD-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.2A
BUK6D22-30EX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.2A
22 En existencias
6,000 Se espera el 8/02/2027
1
S/2.57
10
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Si
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BUK6D72-30EX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 4A
423 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
1
S/2.65
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Si
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DFN-2020-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 2.5A
PMN120ENEAX
Nexperia
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3,000 Se espera el 8/02/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 2.5A
203 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
1
S/2.37
10
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Ver
1,000
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Detalles
Si
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 1.8A
PMN230ENEAX
Nexperia
1:
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N.º de artículo de Mouser 771-PMN230ENEAX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 1.8A
313 En existencias
1
S/1.75
10
S/1.07
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Ver
500
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S/0.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.4A
PMN30XPEAX
Nexperia
1:
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3,000 Se espera el 8/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-PMN30XPEAX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.4A
715 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
1
S/2.96
10
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6,000
Ver
1,000
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6,000
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP6-6
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1 Channel
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1.3 V
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660 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A
PMN42XPEAH
Nexperia
1:
S/2.57
2,409 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMN42XPEAH
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A
2,409 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.57
10
S/1.58
50
S/1.55
100
S/1.02
3,000
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6,000
Ver
500
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1,000
S/0.689
6,000
S/0.479
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
20 V
5.7 A
46 mOhms
- 12 V, 12 V
1.25 V
17.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.31 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.1A
PMN48XPAX
Nexperia
1:
S/2.76
2,976 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMN48XPAX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.1A
2,976 En existencias
1
S/2.76
10
S/1.72
50
S/1.64
100
S/1.11
3,000
S/0.599
6,000
Ver
500
S/0.845
1,000
S/0.759
6,000
S/0.561
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-96-1-8
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 12V 8.2A
PMPB15XPAX
Nexperia
1:
S/3.58
335 En existencias
15,000 Se espera el 8/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-PMPB15XPAX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 12V 8.2A
335 En existencias
15,000 Se espera el 8/02/2027
1
S/3.58
10
S/2.24
50
S/1.63
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3,000
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6,000
Ver
1,000
S/1.04
6,000
S/0.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020MD-6
P-Channel
1 Channel
12 V
8.2 A
20 mOhms
- 12 V, 12 V
1 V
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- 55 C
+ 150 C
12.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3A
PMPB85ENEAX
Nexperia
1:
S/2.80
337 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-PMPB85ENEAX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3A
337 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
Embalaje alternativo
1
S/2.80
10
S/1.74
50
S/1.48
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3,000
S/0.533
6,000
Ver
500
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1,000
S/0.631
6,000
S/0.487
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel
1 Channel
60 V
4.4 A
72 mOhms
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+ 150 C
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 2.8A
PMPB95ENEAX
Nexperia
1:
S/3.43
11 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-PMPB95ENEAX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 2.8A
11 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
Embalaje alternativo
1
S/3.43
10
S/2.14
50
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6,000
Ver
1,000
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6,000
S/0.708
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel
1 Channel
80 V
4.1 A
80 mOhms
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1.3 V
14.9 nC
- 55 C
+ 150 C
3.3 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.5A N-CH TRENCH
PMT280ENEAX
Nexperia
1:
S/2.53
512 En existencias
28,000 Se espera el 1/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-PMT280ENEAX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.5A N-CH TRENCH
512 En existencias
28,000 Se espera el 1/02/2027
1
S/2.53
10
S/1.57
50
S/1.45
100
S/1.01
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S/0.701
2,000
Ver
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S/0.763
2,000
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5,000
S/0.545
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
100 V
1.5 A
385 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
6.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.92 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.4A
PMV100XPEAR
Nexperia
1:
S/1.44
734 En existencias
9,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 771-PMV100XPEAR
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.4A
734 En existencias
9,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
734 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
6,000 Se espera el 1/06/2026
3,000 Se espera el 8/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
1
S/1.44
10
S/0.88
50
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6,000
Ver
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S/0.413
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6,000
S/0.272
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
2.4 A
128 mOhms
- 12 V, 12 V
1.25 V
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+ 150 C
1.06 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4A
PMV48XPA2R
Nexperia
1:
S/2.37
1,719 En existencias
2,269 Se espera el 1/06/2026
N.º de artículo de Mouser 771-PMV48XPA2R
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4A
1,719 En existencias
2,269 Se espera el 1/06/2026
1
S/2.37
10
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Ver
1,000
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6,000
S/0.475
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
4 A
55 mOhms
- 12 V, 12 V
1.3 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
610 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
BUK6D23-40EH
Nexperia
1:
S/3.00
3 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-BUK6D23-40EH
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
3 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
Embalaje alternativo
1
S/3.00
10
S/1.55
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S/1.48
100
S/0.993
3,000
S/0.572
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S/0.751
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S/0.673
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S/0.522
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Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020MD-6
N-Channel
1 Channel
40 V
19 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
11 nC
- 55 C
+ 175 C
15 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A
PMN40XPEAX
Nexperia
1:
S/3.78
11 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-PMN40XPEAX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A
11 En existencias
3,000 Se espera el 8/02/2027
1
S/3.78
10
S/2.03
50
S/1.17
100
S/1.02
3,000
S/0.463
6,000
Ver
1,000
S/0.743
6,000
S/0.42
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP6-6
P-Channel
1 Channel
12 V
4.7 A
50 mOhms
- 12 V, 12 V
1.3 V
16 nC
- 55 C
+ 175 C
660 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 3.5A
PMV37ENEAR
Nexperia
1:
S/2.65
226,412 En pedido
N.º de artículo de Mouser 771-PMV37ENEAR
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 3.5A
226,412 En pedido
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25,412 Se espera el 3/11/2026
117,000 Se espera el 15/12/2026
84,000 Se espera el 8/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
1
S/2.65
10
S/1.63
50
S/1.18
100
S/1.04
3,000
S/0.592
6,000
Ver
1,000
S/0.751
6,000
S/0.537
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
3.5 A
49 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
8.8 nC
- 55 C
+ 175 C
1.3 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V .27A
BSH103BKR
Nexperia
1:
S/1.32
125,875 Se espera el 8/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-BSH103BKR
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V .27A
125,875 Se espera el 8/02/2027
1
S/1.32
10
S/0.81
50
S/0.724
100
S/0.51
3,000
S/0.276
6,000
Ver
500
S/0.378
1,000
S/0.335
6,000
S/0.249
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
1 A
270 mOhms
- 12 V, 12 V
1.25 V
800 pC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A
BUK4D16-20X
Nexperia
1:
S/2.72
86,980 Se espera el 8/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-BUK4D16-20X
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A
86,980 Se espera el 8/02/2027
Embalaje alternativo
1
S/2.72
10
S/1.70
50
S/1.66
100
S/1.09
3,000
S/0.634
6,000
Ver
500
S/0.829
1,000
S/0.747
6,000
S/0.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020MD-6
N-Channel
1 Channel
20 V
26 A
16 mOhms
- 12 V, 12 V
1.3 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
19 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 60V 8A
BUK6D120-60PX
Nexperia
1:
S/3.35
25,111 Se espera el 8/02/2027
N.º de artículo de Mouser 771-BUK6D120-60PX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 60V 8A
25,111 Se espera el 8/02/2027
Embalaje alternativo
1
S/3.35
10
S/2.07
50
S/1.51
100
S/1.33
3,000
S/0.771
6,000
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S/0.973
6,000
S/0.705
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020MD-6
P-Channel
1 Channel
60 V
8 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
3.2 V
2.6 nC
- 55 C
+ 175 C
15 W
Enhancement
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