Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.28
2,959En existencias
84,000En pedido

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BSS214NWH6327XTSA1

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726-BSS214NWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

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S/1.28

S/0.786

S/0.494

S/0.385

S/0.323

Envase tipo carrete

S/0.202

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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

106 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -390mA SOT-323-3

BSS223PWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.934
454En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS223PWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS223PWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -390mA SOT-323-3

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S/0.934

S/0.529

S/0.292

S/0.253

Envase tipo carrete

S/0.136

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

20 V

390 mA

700 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

500 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3

BSS606NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.72
5,848En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS606NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS606NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3

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Cinta cortada

S/2.72

S/1.76

S/1.16

S/0.887

Envase tipo carrete

S/0.782

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-89-3

N-Channel

1 Channel

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3.2 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

BSS670S2LH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.52
10,435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS670S2LH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS670S2LHXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

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Cinta cortada

S/1.52

S/1.05

S/0.662

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.265

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-23-3

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-323-3

SN7002WH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.05
2,549En existencias
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SN7002WH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SN7002WH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-323-3

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S/1.05

S/0.646

S/0.405

S/0.296

Envase tipo carrete

S/0.179

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

1 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

BSS816NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.21
3,301En existencias
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BSS816NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000917562

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

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S/1.21

S/0.732

S/0.475

S/0.366

S/0.30

Envase tipo carrete

S/0.249

MouseReel Disponible

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SOT-323-3

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1 Channel

20 V

1.4 A

107 mOhms

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550 mV

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500 mW

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

BSS127 H6327
Infineon Technologies
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BSS127 H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS127H6327

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

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S/1.71

S/1.21

S/0.751

S/0.518

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 mA

310 Ohms

- 20 V, 20 V

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650 pC

- 55 C

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500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3

BSS316NH6327XT
Infineon Technologies
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BSS316NH6327XT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3

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S/1.48

S/1.01

S/0.638

S/0.397

Envase tipo carrete

S/0.257

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

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500 mW

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -330mA SOT-23-3

BSS83PH6327XT
Infineon Technologies
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BSS83PH6327XT

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726-BSS83PH6327XTSA1

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S/1.87

S/1.39

S/0.786

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.354

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

330 mA

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

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+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3

BSR802N L6327
Infineon Technologies
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5,786En existencias

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BSR802N L6327

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726-BSR802NL6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3

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Cinta cortada

S/3.00

S/1.85

S/1.22

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Envase tipo carrete

S/0.712

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SC-59-3

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1 Channel

20 V

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- 8 V, 8 V

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4.7 nC

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3

BSS131H6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.67
13,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS131H6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS131H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3

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Cinta cortada

S/1.67

S/1.25

S/0.705

S/0.475

Envase tipo carrete

S/0.315

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

240 V

110 mA

7.7 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

BSS806NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.71
7,823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS806NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS806NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

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S/1.71

S/1.27

S/0.72

S/0.487

Envase tipo carrete

S/0.323

Ver

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Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.3 A

41 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

BSS138WH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.779
494,849En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS138WH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138WH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

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494,849En pedido

Cinta cortada

S/0.779

S/0.397

S/0.319

S/0.269

Envase tipo carrete

S/0.202

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

280 mA

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.60
26,886Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS306NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS306NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

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Hoja de datos

26,886Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/1.60

S/0.915

S/0.611

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -170mA SOT-23-3

BSS84P H6327
Infineon Technologies
1: S/1.25
124,790Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS84P H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS84PH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -170mA SOT-23-3

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124,790Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/1.25

S/0.856

S/0.541

S/0.335

Envase tipo carrete

S/0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

5.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL207SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.39
23,960En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSL207SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL207SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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23,960En pedido

Cinta cortada

S/3.39

S/2.11

S/1.47

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.852

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

43 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

13.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL215CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.23
23,844En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSL215CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL215CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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Hoja de datos

23,844En pedido

Cinta cortada

S/3.23

S/2.01

S/1.30

S/0.996

Envase tipo carrete

S/0.712

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

1.5 A, 1.5 A

108 mOhms, 173 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV, 900 mV

73 pC, 3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS127IXTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.28
26,028En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS127IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS127IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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26,028En pedido

Cinta cortada

S/1.28

S/0.701

S/0.366

S/0.362

Envase tipo carrete

S/0.257

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 mA

500 Ohms

- 20 V, 20 V

2.6 V

650 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -2A SOT-23-3

BSS308PEH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.75
16,899En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS308PEH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS308PEH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -2A SOT-23-3

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Hoja de datos

16,899En pedido

Cinta cortada

S/1.75

S/1.24

S/0.771

S/0.533

S/0.448

Envase tipo carrete

S/0.319

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2 A

62 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

BSS306NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.67
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS306NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS306NH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

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Cinta cortada

S/1.67

S/1.17

S/0.728

S/0.502

Envase tipo carrete

S/0.381

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
140 mA
150 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
260 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
360 mA
390 mA
430 mA
540 mA
620 mA
630 mA

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
950 mV
950 mV, 900 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 1.5 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC