Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Resultados: 69

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.16
36,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP316PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP316PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

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36,190En existencias

Cinta cortada

S/4.16

S/2.58

S/1.70

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.00

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

680 mA

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.61
144,081En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235CH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

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144,081En existencias

Cinta cortada

S/2.61

S/1.80

S/1.14

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.452

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

530 mA, 950 mA

266 mOhms, 745 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV, 1.2 V

340 pC, 400 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.88
81,685En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL316CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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81,685En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.76

S/1.15

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.627

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.5 A

113 mOhms, 119 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V, 1.5 V

600 pC, 2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.74
11,377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL211SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL211SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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11,377En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.19

S/1.49

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.833

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4.7 A

94 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.74
68,559En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL308CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL308CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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68,559En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.22

S/1.51

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.829

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

2 A, 2.3 A

44 mOhms, 62 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V, 1.5 V

650 pC, 1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.45
124,622En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

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124,622En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.67

S/1.06

S/0.67

Envase tipo carrete

S/0.502

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

950 mA

266 mOhms, 415 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

320 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.06
16,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS314PEH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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16,410En existencias

Cinta cortada

S/2.06

S/1.42

S/0.899

S/0.564

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

107 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.57
16,551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP170PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP170PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

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S/5.57

S/3.45

S/2.27

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

239 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
26,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP296NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP296NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

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26,438En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.95

S/1.94

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.2 A

329 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

4.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3

BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.71
17,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP315PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP315PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3

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17,116En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.92

S/1.92

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.17 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3

BSP317PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.88
5,150En existencias
4,000Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP317PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP317PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3

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5,150En existencias

4,000Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/5.88

S/3.64

S/2.39

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.61

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

250 V

430 mA

3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.53
6,818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP322PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP322PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

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6,818En existencias

Cinta cortada

S/5.53

S/3.42

S/2.25

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

1 A

808 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/8.91
8,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP613PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP613PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

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8,667En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/5.57

S/3.68

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

2.9 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.45
25,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS215PH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS215PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

25,499En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.69

S/1.07

S/0.673

Envase tipo carrete

S/0.506

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

105 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

BSD223PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.22
16,045En existencias
156,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSD223PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSD223PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

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Hoja de datos

16,045En existencias

156,000En pedido

Cinta cortada

S/2.22

S/1.54

S/0.973

S/0.611

Envase tipo carrete

S/0.471

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

2 Channel

20 V

390 mA

1.2 Ohms

- 12 V, 12 V

600 mV

500 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
1: S/5.45
10,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP125H6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP125H6433XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

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Hoja de datos

10,957En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.37

S/2.22

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

BSP372NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.45
6,746En existencias
10,000Se espera el 5/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP372NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP372NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

6,746En existencias

10,000Se espera el 5/08/2026

Cinta cortada

S/5.45

S/3.38

S/2.23

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.49

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.8 A

172 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
12,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSR315PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSR315PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

12,895En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.93

S/1.82

S/1.25

Envase tipo carrete

S/0.946

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-59-3

P-Channel

1 Channel

60 V

620 mA

620 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.67
44,598En existencias
225,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS123NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

44,598En existencias

225,000En pedido

Cinta cortada

S/1.67

S/1.16

S/0.732

S/0.459

Envase tipo carrete

S/0.354

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

BSS816NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.67
130,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS816NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000917562

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

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130,570En existencias

Cinta cortada

S/1.67

S/1.18

S/0.747

S/0.467

Envase tipo carrete

S/0.358

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

107 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
689En existencias
3,000Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL202SNH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL202SNH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

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689En existencias

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S/4.87

S/3.48

S/2.16

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.12

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
4,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL307SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL307SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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S/4.59

S/2.84

S/1.87

S/1.47

Envase tipo carrete

S/1.14

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
4,556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP171PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP171PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

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4,556En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.55

S/2.34

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.57

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
3,353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP324H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP324H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

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Cinta cortada

S/5.37

S/3.34

S/2.20

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.51

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

400 V

170 mA

14.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.54 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -260mA SOT-223-4

BSP92PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.71
5,950En existencias
3,000Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP92PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP92PH6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -260mA SOT-223-4

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3,000Se espera el 10/08/2026

Cinta cortada

S/4.71

S/3.37

S/2.09

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.21

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

250 V

260 mA

7.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
140 mA
150 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
260 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
360 mA
390 mA
430 mA
530 mA, 950 mA
540 mA
620 mA

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
950 mV
950 mV, 900 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 1.5 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC