Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
Learn More

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 70

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.89
38,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP316PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP316PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

38,780En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.44

S/1.59

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.845

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

680 mA

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.63
27,743En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS215PH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS215PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

27,743En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/1.15

S/0.716

S/0.494

Envase tipo carrete

S/0.374

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

105 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.34
11,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL211SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL211SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

11,387En existencias

Cinta cortada

S/2.34

S/1.62

S/1.30

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.732

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4.7 A

94 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.00
23,368En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSR315PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSR315PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

23,368En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/3.00

S/1.85

S/1.19

S/0.915

Envase tipo carrete

S/0.596

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-59-3

P-Channel

1 Channel

60 V

620 mA

620 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.26
98,173En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL316CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

98,173En existencias

Cinta cortada

S/2.26

S/1.23

S/0.829

S/0.677

Envase tipo carrete

S/0.49

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.5 A

113 mOhms, 119 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V, 1.5 V

600 pC, 2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

BSD316SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.44
27,426En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSD316SNH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSD316SNH6327XTS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

27,426En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/0.884

S/0.557

S/0.413

Envase tipo carrete

S/0.296

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

192 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.67
145,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235CH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

Obtenga más información

Hoja de datos

145,549En existencias

Cinta cortada

S/1.67

S/1.22

S/0.755

S/0.522

Envase tipo carrete

S/0.381

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

950 mA, 530 mA

266 mOhms, 745 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV, 1.2 V

340 pC, 400 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.60
134,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

Obtenga más información

Hoja de datos

134,163En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/1.13

S/0.705

S/0.487

Envase tipo carrete

S/0.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

950 mA

266 mOhms, 415 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

320 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS315PH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.60
14,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS315PH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS315PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

14,089En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/1.12

S/0.697

S/0.483

Envase tipo carrete

S/0.362

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

2N7002 H6327
Infineon Technologies
1: S/0.973
27,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N7002 H6327

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

27,920En existencias

Cinta cortada

S/0.973

S/0.685

S/0.432

S/0.269

Envase tipo carrete

S/0.195

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.71
16,954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS314PEH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

16,954En existencias

Cinta cortada

S/1.71

S/1.26

S/0.712

S/0.483

Envase tipo carrete

S/0.319

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

107 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
66,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP297H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP297H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

66,245En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.84

S/1.95

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

200 V

660 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.44
5,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP171PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP171PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

5,295En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/2.78

S/1.83

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.71
33,642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP296NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP296NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

33,642En existencias

Cinta cortada

S/1.71

S/1.32

S/1.09

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.887

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.2 A

329 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

4.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3

BSP317PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.48
14,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP317PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP317PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

14,605En existencias

Cinta cortada

S/4.48

S/2.84

S/1.86

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

250 V

430 mA

3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.32
8,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP322PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP322PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

8,067En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/2.71

S/1.78

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

1 A

808 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

BSS806NEH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.40
32,049En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS806NEH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS806NEH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

32,049En existencias

Cinta cortada

S/1.40

S/0.697

S/0.522

S/0.378

Envase tipo carrete

S/0.272

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.3 A

41 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 150mA SOT-323-3

BSS84PWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.856
105,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS84PWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS84PWH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 150mA SOT-323-3

Obtenga más información

Hoja de datos

105,288En existencias

Cinta cortada

S/0.856

S/0.428

S/0.308

S/0.253

Envase tipo carrete

S/0.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

150 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.46
70,608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL308CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL308CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

70,608En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.16

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.837

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

2.3 A, 2 A

44 mOhms, 62 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V, 1.5 V

650 pC, 1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
1: S/3.70
15,304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP125H6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP125H6433XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

15,304En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.55

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/0.926

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.40
11,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP170PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP170PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

11,122En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.71

S/1.84

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

239 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
3,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP613PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP613PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,460En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/3.78

S/2.72

S/2.25

Envase tipo carrete

S/2.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

2.9 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.662
101,521En existencias
71,400Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

101,521En existencias

71,400Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/0.662

S/0.401

S/0.319

S/0.276

Envase tipo carrete

S/0.171

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.39
3,042En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL202SNH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL202SNH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

3,042En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.856

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.31
3,431En existencias
3,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL307SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL307SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

3,431En existencias

3,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/3.31

S/2.28

S/1.51

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.779

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
140 mA
150 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
260 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
360 mA
390 mA
430 mA
540 mA
620 mA
630 mA

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
950 mV
950 mV, 900 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 1.5 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC