Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Resultados: 55

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

2N7002DWH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.56
3,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N7002DWH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002DWH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

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3,335En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/1.08

S/0.681

S/0.428

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.45
93,018En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

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93,018En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.67

S/1.06

S/0.67

Envase tipo carrete

S/0.502

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

950 mA

266 mOhms, 415 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

320 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
2,660En existencias
3,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL308PEH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL308PEH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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2,660En existencias

3,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/4.09

S/2.55

S/1.67

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.76
3,348En existencias
16,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP324H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP324H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

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16,000Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/5.76

S/3.55

S/2.34

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

400 V

170 mA

14.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.54 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3

BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.70
2,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP88H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP88H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3

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Cinta cortada

S/3.70

S/2.30

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/1.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

240 V

350 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS123IXTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.01
32,040En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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32,040En existencias

Cinta cortada

S/1.01

S/0.611

S/0.381

S/0.28

Envase tipo carrete

S/0.202

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS126IXTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.36
5,045En existencias
3,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS126IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS126IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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5,045En existencias

3,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/1.36

S/0.841

S/0.529

S/0.393

Envase tipo carrete

S/0.288

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 mA

500 Ohms

- 20 V, 20 V

2.7 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Depletion

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.79
10,187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

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S/1.79

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.19

S/0.245

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

140 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -390mA SOT-323-3

BSS223PWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.32
28,691En existencias
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS223PWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS223PWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -390mA SOT-323-3

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30,000En pedido

Cinta cortada

S/1.32

S/0.798

S/0.502

S/0.37

Envase tipo carrete

S/0.272

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

20 V

390 mA

700 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

500 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS315PH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.41
12,253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS315PH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS315PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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Cinta cortada

S/2.41

S/1.65

S/1.04

S/0.658

Envase tipo carrete

S/0.49

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

BSS670S2LH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.52
8,945En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS670S2LH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS670S2LHXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

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Cinta cortada

S/1.52

S/1.05

S/0.662

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.319

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

55 V

540 mA

346 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-363-6

BSV236SPH6327XT
Infineon Technologies
1: S/3.08
16En existencias
9,000Se espera el 28/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSV236SPH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSV236SPH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-363-6

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16En existencias

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Cinta cortada

S/3.08

S/2.12

S/1.34

S/0.833

S/0.627

Envase tipo carrete

S/0.335

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

131 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.7 nC

- 55 C

+ 150 C

560 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 200mA SOT-23-3

SN7002NH6327XTSA2
Infineon Technologies
1: S/1.40
172En existencias
198,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SN7002NH6327XTSA2

N.º de artículo de Mouser
726-SN7002NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 200mA SOT-23-3

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172En existencias

198,000En pedido

Cinta cortada

S/1.40

S/0.911

S/0.572

S/0.385

S/0.362

Envase tipo carrete

S/0.175

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

200 mA

5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-323-3

SN7002WH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.52
38En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SN7002WH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SN7002WH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-323-3

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38En existencias

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Cinta cortada

S/1.52

S/1.00

S/0.631

S/0.42

S/0.37

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

2N7002 H6327
Infineon Technologies
1: S/1.25
19,907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N7002 H6327

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

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Cinta cortada

S/1.25

S/0.712

S/0.436

S/0.315

Envase tipo carrete

S/0.237

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3

BSR802N L6327
Infineon Technologies
1: S/4.55
1,559En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSR802N L6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSR802NL6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3

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1,559En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/3.27

S/2.03

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-59-3

N-Channel

1 Channel

20 V

3.7 A

23 mOhms

- 8 V, 8 V

750 mV

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS138N H6327
Infineon Technologies
1: S/1.52
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS138N H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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Cinta cortada

S/1.52

S/1.05

S/0.666

S/0.42

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -2A SOT-23-3

BSS308PEH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.65
13,149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS308PEH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS308PEH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -2A SOT-23-3

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13,149En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.83

S/1.16

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.455

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2 A

62 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3

BSS316NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.71
1,351En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS316NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS316NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3

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1,351En existencias

Cinta cortada

S/1.71

S/1.17

S/0.743

S/0.467

Envase tipo carrete

S/0.358

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

119 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

BSS806NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.41
1,659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS806NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS806NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.3 A

41 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -330mA SOT-23-3

BSS83PH6327XT
Infineon Technologies
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BSS83PH6327XT

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726-BSS83PH6327XTSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -330mA SOT-23-3

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

330 mA

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

2.38 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSP297H6327XTSA1

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726-BSP297H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

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: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

200 V

660 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

BSP372NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.70
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BSP372NH6327XTSA1

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726-BSP372NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

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S/1.50

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SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.8 A

172 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

BSS138WH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSS138WH6327XTSA1

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726-BSS138WH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

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S/1.14

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S/0.525

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

280 mA

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3

BSS131H6327XT
Infineon Technologies
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BSS131H6327XT

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726-BSS131H6327XTSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3

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S/1.55

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S/0.537

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S/0.471

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

240 V

110 mA

7.7 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
390 mA
530 mA, 950 mA
540 mA
630 mA
660 mA
950 mA
1.2 A
1.4 A
1.4 A, 1.5 A

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
900 mV, 950 mV
950 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 1.6 V
1.6 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC