Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.91
4,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

4,375En existencias

Cinta cortada

S/14.91

S/9.38

S/6.81

S/5.72

Ver

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IST026N10NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.02
1,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST026N10NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST026N10NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,478En existencias

Cinta cortada

S/24.02

S/15.73

S/11.56

S/10.28

S/9.11

Envase tipo carrete

S/9.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

248 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
5,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

5,096En existencias

Cinta cortada

S/14.95

S/9.73

S/6.81

S/5.68

Ver

Envase tipo carrete

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IST019N08NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
470En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IST019N08NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST019N08NM5AUMA

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Hoja de datos

470En existencias

Cinta cortada

S/19.07

S/12.49

S/9.34

S/7.67

S/7.28

Envase tipo carrete

S/6.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

290 A

1.9 Ohms

- 20 V, 20 V

3.8 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

IPP023N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.16
935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

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Hoja de datos

935En existencias

S/26.16

S/15.06

S/11.87

S/10.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.57
3,651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E046N08LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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3,651En existencias

Cinta cortada

S/15.57

S/9.69

S/7.36

S/6.23

Ver

Envase tipo carrete

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.79
2,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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2,778En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/9.61

S/6.73

S/5.64

S/5.53

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
1,103En existencias
6,000Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

1,103En existencias

6,000Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

S/15.61

S/10.20

S/7.43

S/6.23

Ver

Envase tipo carrete

S/5.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.27
3,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

3,255En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/10.63

S/7.59

S/6.27

Ver

Envase tipo carrete

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC025N08NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.52
6,304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

6,304En existencias

Cinta cortada

S/17.52

S/11.48

S/8.56

S/7.36

Envase tipo carrete

S/6.93

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

198 A

2.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.13
444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP083N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP083N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

444En existencias

S/11.13

S/7.28

S/6.85

S/4.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQD020N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.33
3,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQD020N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD020N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,133En existencias

Cinta cortada

S/21.33

S/14.95

S/11.68

S/10.39

Ver

Envase tipo carrete

S/8.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

273 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT013N08NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/36.98
2,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT013N08NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT013N08NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

2,382En existencias

Cinta cortada

S/36.98

S/26.04

S/20.28

S/17.87

S/15.06

Envase tipo carrete

S/15.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

333 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.1 V

158 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.15
615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP034N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

615En existencias

S/16.15

S/8.91

S/7.40

S/6.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPTC011N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.23
23En existencias
5,400Se espera el 21/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC011N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC011N08NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

23En existencias

5,400Se espera el 21/07/2026

Cinta cortada

S/29.23

S/19.62

S/13.43

S/11.79

Envase tipo carrete

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

80 V

408 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

223 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.73
266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

266En existencias

Cinta cortada

S/15.73

S/10.28

S/7.47

S/6.27

Ver

Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
54En existencias
6,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

54En existencias

6,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/15.30

S/10.00

S/7.28

S/6.11

Ver

Envase tipo carrete

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.99
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

92En existencias

Cinta cortada

S/14.99

S/9.77

S/6.85

S/5.72

Ver

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.41
11,970En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

11,970En pedido

Cinta cortada

S/18.41

S/12.07

S/8.99

S/7.51

Ver

Envase tipo carrete

S/6.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.59
11,876En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

11,876En pedido

Cinta cortada

S/26.59

S/17.79

S/14.29

S/12.73

S/11.37

Envase tipo carrete

S/11.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.21
10,000Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

10,000Se espera el 23/07/2026

Cinta cortada

S/14.21

S/9.23

S/6.46

S/5.41

Ver

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
5,226En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPTC014N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC014N10NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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5,226En pedido

Cinta cortada

S/27.48

S/18.02

S/13.27

S/11.79

S/10.55

Envase tipo carrete

S/10.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

365 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQD016N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.15
5,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQD016N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD016N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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5,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/25.15

S/16.47

S/12.14

S/10.78

S/9.65

Envase tipo carrete

S/9.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

323 A

1.57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.15
5,979Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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5,979Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/16.15

S/10.59

S/7.90

S/6.62

Ver

Envase tipo carrete

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies
500: S/11.91
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP020N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/11.91

S/10.55

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

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