Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 124

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MS G
Infineon Technologies
1: S/3.85
1,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Obtenga más información

Hoja de datos

1,180En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/2.38

S/1.63

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.837

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.66
677En existencias
10,000Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Obtenga más información

Hoja de datos

677En existencias

10,000Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

S/3.66

S/2.29

S/1.15

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.817

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ100N06LS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.34
8,543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

8,543En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.20

Ver

Envase tipo carrete

S/1.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
250En existencias
9,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

250En existencias

9,800En pedido

Cinta cortada

S/6.15

S/3.71

S/2.67

S/2.16

Ver

Envase tipo carrete

S/1.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ123N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.79
9,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ123N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ123N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

9,330En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.94

S/3.30

S/2.70

Ver

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ130N03LS G
Infineon Technologies
1: S/3.54
2,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ130N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ130N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,913En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.21

S/1.44

S/1.10

Envase tipo carrete

S/0.779

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

16.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.55
2,025En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,025En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.83

S/3.20

S/2.62

Ver

Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPB014N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

S/10.35

S/6.70

S/3.05

Envase tipo carrete

S/3.05

S/2.93

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

191 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/10.59
967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

967En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.81

S/4.87

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.49

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.25
546En existencias
800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

546En existencias

800En pedido

Cinta cortada

S/8.25

S/5.45

S/3.65

S/3.41

Envase tipo carrete

S/2.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

103 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3

IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/13.08
508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP200N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

508En existencias

S/13.08

S/8.52

S/6.54

S/5.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/12.96
1,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3306TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

1,026En existencias

Cinta cortada

S/12.96

S/8.91

S/6.23

S/5.68

Envase tipo carrete

S/4.40

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET

IRFS7730TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/11.17
167En existencias
1,600Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7730TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET

Obtenga más información

Hoja de datos

167En existencias

1,600Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/11.17

S/9.11

S/7.75

S/6.38

Envase tipo carrete

S/6.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

75 V

240 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

285 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET

IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/16.23
853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7730TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET

Obtenga más información

Hoja de datos

853En existencias

Cinta cortada

S/16.23

S/10.63

S/7.98

S/7.08

Envase tipo carrete

S/5.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

195 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

271 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC027N04LS G
Infineon Technologies
1: S/5.88
5,756En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC027N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC027N04LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

5,756En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.68

S/2.44

S/1.93

Ver

Envase tipo carrete

S/1.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS 5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC035N04LS G
Infineon Technologies
1: S/5.57
587En existencias
5,000Se espera el 3/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC035N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC035N04LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

587En existencias

5,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/5.57

S/3.49

S/2.32

S/1.83

Ver

Envase tipo carrete

S/1.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/8.25
1,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,065En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.65

S/3.09

Ver

Envase tipo carrete

S/2.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ067N06LS3 G
Infineon Technologies
1: S/8.02
1,525En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ067N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ067N06LS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,525En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.10

S/3.39

S/2.78

Ver

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1: S/5.29
5,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

Obtenga más información

Hoja de datos

5,000Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/5.29

S/3.34

S/2.21

S/1.81

Ver

Envase tipo carrete

S/1.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ040N04LS G
Infineon Technologies
1: S/5.64
10,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ040N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ040N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

10,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.35

S/1.86

Ver

Envase tipo carrete

S/1.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ110N06NS3 G
Infineon Technologies
1: S/4.98
24,995En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

24,995En pedido

Cinta cortada

S/4.98

S/3.09

S/2.04

S/1.59

Ver

Envase tipo carrete

S/1.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSI
Infineon Technologies
1: S/4.28
3,819Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

3,819Se espera el 12/03/2026

Cinta cortada

S/4.28

S/2.65

S/1.74

S/1.34

Ver

Envase tipo carrete

S/0.961

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC

IRF1010EZPBF
Infineon Technologies
1: S/8.10
1,990En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRF1010EZPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF1010EZPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC

Hoja de datos

1,990En pedido

S/8.10

S/3.93

S/3.51

S/2.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.47
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/10.47

S/5.18

S/4.67

S/3.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

69 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Designing Power Systems

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
13 A
16 A
18 A
20 A
21 A
23 A
29 A
33 A
34 A
35 A
36 A
39 A
40 A
43 A
44 A
48 A
49 A
50 A
57 A

950 uOhms
1.1 mOhms
1.25 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
26 nC

2.5 W
3.6 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
35 W
36 W
37 W
38 W
48 W
50 W
54 W
57 W
63 W
66 W
69 W
71 W