Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1:
S/5.18
58,697 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
58,697 En existencias
1
S/5.18
10
S/1.90
100
S/1.75
500
S/1.57
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
95 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.41
61,773 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ075N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
61,773 En existencias
1
S/8.41
10
S/4.67
100
S/3.67
500
S/3.42
5,000
S/3.42
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
8.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/5.57
74,580 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC110N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
74,580 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.57
10
S/3.49
100
S/2.32
500
S/1.83
5,000
S/1.51
10,000
Ver
1,000
S/1.65
2,500
S/1.51
10,000
S/1.50
25,000
S/1.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
1:
S/19.35
5,056 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
5,056 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/19.35
10
S/14.17
100
S/11.48
500
S/10.20
1,000
S/9.03
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
206 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1:
S/5.33
121,750 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC054N04NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
121,750 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.33
10
S/3.31
100
S/2.16
500
S/1.66
1,000
Ver
5,000
S/1.20
1,000
S/1.50
2,500
S/1.42
5,000
S/1.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
81 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.49
885 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
885 En existencias
1
S/21.49
10
S/13.31
100
S/10.20
500
S/9.11
1,000
S/8.52
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
133 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.00
15,021 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC052N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
15,021 En existencias
1
S/10.00
10
S/3.63
5,000
S/3.63
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
95 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
1:
S/7.59
4,036 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB090N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
4,036 En existencias
1
S/7.59
10
S/4.87
100
S/3.22
500
S/2.55
1,000
S/2.26
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
9 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1:
S/7.75
4,333 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC118N10NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
4,333 En existencias
1
S/7.75
10
S/5.02
100
S/3.33
500
S/2.64
1,000
Ver
5,000
S/2.02
1,000
S/2.43
2,500
S/2.34
5,000
S/2.02
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
11 A
11.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1:
S/6.03
5,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC030N03MSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
5,000 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.03
10
S/3.76
100
S/2.45
500
S/1.89
5,000
S/1.38
25,000
Ver
1,000
S/1.70
2,500
S/1.63
25,000
S/1.37
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1:
S/6.34
5,950 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
5,950 En existencias
1
S/6.34
10
S/3.66
100
S/2.66
500
S/2.09
5,000
S/1.54
10,000
Ver
1,000
S/1.86
10,000
S/1.52
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
153 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.29
10,762 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ084N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
10,762 En existencias
1
S/8.29
10
S/4.79
100
S/3.40
500
S/2.85
1,000
Ver
5,000
S/2.34
1,000
S/2.50
2,500
S/2.46
5,000
S/2.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
11.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
Infineon Technologies
1:
S/8.21
23,411 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC011N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
23,411 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.21
10
S/5.25
100
S/3.64
500
S/3.08
1,000
S/2.76
5,000
S/2.45
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
230 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
BSC0906NS
Infineon Technologies
1:
S/3.46
9,909 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC0906NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
9,909 En existencias
1
S/3.46
10
S/2.00
100
S/1.35
500
S/1.07
5,000
S/0.697
10,000
Ver
1,000
S/0.876
2,500
S/0.872
10,000
S/0.693
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
63 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0902NSI
Infineon Technologies
1:
S/3.70
8,511 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC0902NSI
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
8,511 En existencias
1
S/3.70
10
S/2.35
100
S/1.72
500
S/1.45
1,000
Ver
5,000
S/1.16
1,000
S/1.29
2,500
S/1.27
5,000
S/1.16
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
16.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
1:
S/11.02
1,238 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
1,238 En existencias
1
S/11.02
10
S/8.21
100
S/6.58
500
S/5.06
800
S/5.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :800
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
195 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
186 nC
- 55 C
+ 175 C
294 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/7.12
3,391 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC076N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
3,391 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.12
10
S/4.55
100
S/3.01
500
S/2.47
1,000
Ver
5,000
S/1.96
1,000
S/2.16
2,500
S/1.99
5,000
S/1.96
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
6.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1:
S/25.50
1,971 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-IPB020NE7N3GXT
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,971 En existencias
1
S/25.50
10
S/17.09
100
S/12.34
500
S/11.44
1,000
S/10.70
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
120 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
155 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
IRFB7540PBF
Infineon Technologies
1:
S/7.90
6,796 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7540PBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
6,796 En existencias
1
S/7.90
10
S/3.24
100
S/2.85
500
S/2.49
1,000
S/2.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
110 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC050N04LS G
Infineon Technologies
1:
S/5.41
5,116 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC050N04LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
5,116 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.41
10
S/3.32
100
S/2.19
500
S/1.72
5,000
S/1.15
10,000
Ver
1,000
S/1.47
2,500
S/1.36
10,000
S/1.14
25,000
S/1.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
85 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
47 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.37
8,599 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
8,599 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.37
10
S/2.47
100
S/1.76
500
S/1.46
1,000
Ver
5,000
S/1.28
1,000
S/1.30
2,500
S/1.28
5,000
S/1.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/4.55
76,925 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ440N10NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
76,925 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.55
10
S/2.85
100
S/1.88
500
S/1.49
1,000
S/1.35
5,000
S/1.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
18 A
38 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
ISC015N04NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.17
8,245 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N04NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
8,245 En existencias
1
S/8.17
10
S/4.98
100
S/3.50
500
S/2.79
1,000
Ver
5,000
S/2.28
1,000
S/2.44
2,500
S/2.40
5,000
S/2.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
206 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/4.94
3,335 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
3,335 En existencias
1
S/4.94
10
S/3.03
100
S/2.14
500
S/1.77
1,000
Ver
4,000
S/1.08
1,000
S/1.57
2,000
S/1.30
4,000
S/1.08
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
30 V
90 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
54 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1:
S/16.47
870 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
870 En existencias
1
S/16.47
10
S/10.47
100
S/7.59
500
S/5.96
800
S/5.96
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
60 V
300 A
1.9 mOhms
- 16 V, 16 V
2.5 V
160 nC
- 55 C
+ 175 C
380 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú