Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

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Resultados: 118

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.93
62En existencias
2,000Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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Hoja de datos

62En existencias

2,000Se espera el 12/11/2026

Cinta cortada

S/22.93

S/13.74

S/11.37

S/10.20

Envase tipo carrete

S/9.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
1: S/8.56
477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB081N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB081N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

477En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.45

S/3.66

S/3.03

Envase tipo carrete

S/2.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/23.47
67En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP110N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

67En existencias

3,000En pedido

S/23.47

S/15.38

S/11.48

S/9.58

S/8.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/18.33
718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP111N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP111N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

718En existencias

S/18.33

S/11.99

S/8.95

S/7.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

83 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3

IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/14.29
637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP200N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

637En existencias

S/14.29

S/9.30

S/6.54

S/5.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK

IRFS7537TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/13.58
809En existencias
800Se espera el 2/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7537TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7537TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK

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Hoja de datos

809En existencias

800Se espera el 2/09/2026

Cinta cortada

S/13.58

S/6.81

S/6.15

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263AB-3

N-Channel

1 Channel

60 V

173 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

142 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET

IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/20.98
643En existencias
800Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7730TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET

Obtenga más información

Hoja de datos

643En existencias

800Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/20.98

S/13.74

S/10.28

S/8.60

Envase tipo carrete

S/7.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

195 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

271 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLB3036PBF
Infineon Technologies
1: S/15.73
544En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLB3036PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3036PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

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Hoja de datos

544En existencias

3,000En pedido

S/15.73

S/9.46

S/7.01

S/5.37

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

195 A

2.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.8 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB

IRFB7546PBF
Infineon Technologies
1: S/5.68
1,334En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7546PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7546PBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB

Hoja de datos

1,334En existencias

S/5.68

S/2.67

S/2.38

S/1.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

75 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

99 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC019N04NS G
Infineon Technologies
1: S/7.79
339En existencias
20,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC019N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

339En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/7.79

S/3.67

S/3.26

S/2.37

Ver

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

29 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.34
4,158En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4,158En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/7.98

S/5.49

S/4.59

Ver

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC120N03LS G
Infineon Technologies
1: S/3.97
5,272En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC120N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC120N03LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

5,272En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.83

S/1.76

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.779

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

39 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1: S/5.76
24En existencias
5,000Se espera el 29/04/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ035N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

24En existencias

5,000Se espera el 29/04/2027

Cinta cortada

S/5.76

S/3.63

S/2.41

S/1.88

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

113 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ050N03MS G
Infineon Technologies
1: S/5.88
730En existencias
5,000Se espera el 6/05/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03MSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

730En existencias

5,000Se espera el 6/05/2027

Cinta cortada

S/5.88

S/3.26

S/2.41

S/1.98

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1: S/15.10
250En existencias
1,600En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3206TRRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

Hoja de datos

250En existencias

1,600En pedido

Cinta cortada

S/15.10

S/8.02

S/6.85

S/5.29

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

210 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/12.34
97En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3306TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

Hoja de datos

97En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/6.50

S/5.53

S/4.20

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power

IRFS7734TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/15.10
267En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7734TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7734TRLPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power

Hoja de datos

267En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/8.45

S/6.19

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

183 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

270 nC

- 55 C

+ 175 C

290 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1: S/4.20
4,600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

4,600En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.58

S/1.70

S/1.34

Envase tipo carrete

S/0.895

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

58 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NS
Infineon Technologies
1: S/6.42
2,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,876En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/3.97

S/2.60

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC093N04LS G
Infineon Technologies
1: S/3.89
4,865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC093N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4,865En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.76

S/1.72

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.759

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ340N08NS3 G
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40 A

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BSC061N08NS5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ110N06NS3 G
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13 A
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35 A
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39 A
40 A
43 A
44 A
49 A
50 A
57 A
58 A

950 uOhms
1.1 mOhms
1.25 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
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1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
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7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
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10 nC
10.4 nC
12 nC
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2.5 W
3.6 W
25 W
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57 W
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71 W