Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

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Resultados: 118

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

IRFS7540TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/10.63
645En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7540TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7540TRLPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

Hoja de datos

645En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.89

S/4.48

S/3.86

Envase tipo carrete

S/3.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

160 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/17.67
964En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

Hoja de datos

964En existencias

Cinta cortada

S/17.67

S/11.64

S/8.21

S/8.14

Envase tipo carrete

S/7.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg

IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/7.86
7,607En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3806TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3806TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg

Hoja de datos

7,607En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/3.78

S/3.38

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.21

S/2.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

43 A

12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/20.79
800En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

Hoja de datos

800En existencias

Cinta cortada

S/20.79

S/10.82

S/9.85

S/8.21

Envase tipo carrete

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/18.22
3,104En existencias
3,200Se espera el 12/11/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

Hoja de datos

3,104En existencias

3,200Se espera el 12/11/2026

Cinta cortada

S/18.22

S/9.38

S/8.52

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2.4 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/20.32
83En existencias
800En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

83En existencias

800En pedido

Cinta cortada

S/20.32

S/10.55

S/9.61

S/7.98

Envase tipo carrete

S/7.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
1: S/8.76
2,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

2,982En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.57

S/3.74

S/3.03

Ver

Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1: S/4.87
3,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

3,065En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.01

S/1.97

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

84 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC050N04LS G
Infineon Technologies
1: S/5.02
624En existencias
5,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC050N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

624En existencias

5,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.58

S/2.23

S/1.54

Ver

Envase tipo carrete

S/0.841

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

BSC052N03LS
Infineon Technologies
1: S/3.85
3,374En existencias
5,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

3,374En existencias

5,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/3.85

S/1.87

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.919

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

57 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC070N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.90
1,011En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC070N10LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC070N10LS5ATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,011En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/10.90

S/6.31

S/4.83

S/3.89

Ver

Envase tipo carrete

S/3.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

79 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NS
Infineon Technologies
1: S/7.94
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/4.98

S/3.29

S/2.60

Ver

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
2,795En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

2,795En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/7.90

S/4.05

S/3.32

S/2.62

Ver

Envase tipo carrete

S/1.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: S/4.48
2,269En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,269En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/4.48

S/2.45

S/1.81

S/1.41

Ver

Envase tipo carrete

S/0.946

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

63 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/9.38
61En existencias
4,890Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Obtenga más información

Hoja de datos

61En existencias

4,890Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/9.38

S/5.96

S/4.05

S/3.25

Ver

Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC340N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/5.57
24,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

24,749En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.43

S/2.26

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.52
232En existencias
5,000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

232En existencias

5,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/8.52

S/4.59

S/3.68

S/2.92

Ver

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0902NS
Infineon Technologies
1: S/7.16
79En existencias
15,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

79En existencias

15,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/7.16

S/4.05

S/2.99

S/2.37

Ver

Envase tipo carrete

S/1.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

106 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSI
Infineon Technologies
1: S/4.90
3,557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

3,557En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.02

S/1.98

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MS G
Infineon Technologies
1: S/4.98
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Obtenga más información

Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

S/4.98

S/3.55

S/2.21

S/1.53

Envase tipo carrete

S/0.981

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.67
447En existencias
5,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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447En existencias

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Cinta cortada

S/4.67

S/2.56

S/1.89

S/1.48

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Envase tipo carrete

S/1.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/5.45
4,668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ440N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

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4,668En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.36

S/2.21

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.19

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/5.92
699En existencias
5,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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699En existencias

5,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/5.92

S/3.65

S/2.41

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.93
62En existencias
2,000Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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62En existencias

2,000Se espera el 12/11/2026

Cinta cortada

S/22.93

S/13.74

S/11.37

S/10.20

Envase tipo carrete

S/9.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/21.64
1,681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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1,681En existencias

Cinta cortada

S/21.64

S/14.17

S/10.59

S/9.23

Envase tipo carrete

S/7.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Designing Power Systems

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
13 A
16 A
18 A
20 A
21 A
23 A
29 A
33 A
34 A
35 A
36 A
39 A
40 A
43 A
44 A
49 A
50 A
57 A
58 A

950 uOhms
1.1 mOhms
1.25 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
26 nC

2.5 W
3.6 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
35 W
36 W
37 W
38 W
48 W
50 W
54 W
57 W
63 W
66 W
69 W
71 W