Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

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Resultados: 124

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/14.79
2,498En existencias
3,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB320N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

2,498En existencias

3,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/14.79

S/9.65

S/7.55

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.37

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

34 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power

IRFB7730PBF
Infineon Technologies
1: S/9.46
1,019En existencias
2,000Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7730PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7730PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power

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Hoja de datos

1,019En existencias

2,000Se espera el 5/03/2026

S/9.46

S/5.76

S/5.57

S/5.14

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

75 V

195 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

271 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/18.53
982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

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Hoja de datos

982En existencias

Cinta cortada

S/18.53

S/12.65

S/12.57

S/9.11

Envase tipo carrete

S/7.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg

IRFS4615TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/6.07
2,167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4615TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4615TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg

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Hoja de datos

2,167En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/4.24

S/3.79

Envase tipo carrete

S/2.70

S/2.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

34.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7

IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/11.09
1,289En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7

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Hoja de datos

1,289En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/8.41

S/7.71

Envase tipo carrete

S/6.27

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-252-7

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS

BSC0904NSI
Infineon Technologies
1: S/4.52
9,773En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BSC0904NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0904NSI

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

9,773En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.83

S/1.86

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

78 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

IRFS7540TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/10.63
770En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7540TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7540TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

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Hoja de datos

770En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.89

S/4.75

S/3.48

Envase tipo carrete

S/3.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

160 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.60
16,660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Hoja de datos

16,660En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.29

S/3.97

S/3.29

Ver

Envase tipo carrete

S/2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.25 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.15
8,748En existencias
4,000Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Hoja de datos

8,748En existencias

4,000Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

S/9.15

S/6.03

S/4.59

S/3.76

Ver

Envase tipo carrete

S/3.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

950 uOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
1: S/8.21
25,376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

25,376En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.25

S/3.64

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
6,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC026NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Hoja de datos

6,548En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.59

S/2.46

S/2.01

Envase tipo carrete

S/1.52

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

82 A

4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
4,758En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

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Hoja de datos

4,758En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/11.37

S/7.40

S/5.10

S/4.24

Ver

Envase tipo carrete

S/3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.59
3,606En existencias
5,000Se espera el 2/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC040N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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Hoja de datos

3,606En existencias

5,000Se espera el 2/04/2026

Cinta cortada

S/10.59

S/6.85

S/4.75

S/3.85

Ver

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
7,552En existencias
2,200Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

7,552En existencias

2,200Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/4.59

S/1.78

S/1.46

S/1.35

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC109N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/8.17
3,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC109N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC109N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,717En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.25

S/3.53

S/2.81

Ver

Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

63 A

10.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/5.80
7,771En existencias
10,000Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC520N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

7,771En existencias

10,000Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/5.80

S/3.78

S/2.59

S/2.10

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

21 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LS
Infineon Technologies
1: S/7.63
10,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ019N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

10,958En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.37

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1: S/5.29
6,218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ035N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Obtenga más información

Hoja de datos

6,218En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/3.34

S/2.21

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

113 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ050N03LS G
Infineon Technologies
1: S/4.01
6,251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

6,251En existencias

Cinta cortada

S/4.01

S/2.48

S/1.62

S/1.25

Envase tipo carrete

S/0.887

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0902NS
Infineon Technologies
1: S/5.22
5,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

5,862En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/3.27

S/2.17

S/1.69

Ver

Envase tipo carrete

S/1.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

106 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.18
2,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB108N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IP726-B108N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/15.18

S/10.08

S/7.24

S/6.58

Envase tipo carrete

S/5.45

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

83 A

10.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/22.81
4,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

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4,605En existencias

Cinta cortada

S/22.81

S/17.24

S/13.94

S/12.46

Envase tipo carrete

S/10.59

S/10.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/19.97
2,219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP110N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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2,219En existencias

S/19.97

S/13.27

S/10.94

S/9.26

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1: S/15.41
3,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3206TRRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

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3,737En existencias

Cinta cortada

S/15.41

S/10.12

S/7.12

S/6.54

Envase tipo carrete

S/5.18

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

210 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg

IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/5.02
12,149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3806TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3806TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg

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Hoja de datos

12,149En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.49

S/3.44

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.05

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

43 A

12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Designing Power Systems

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
13 A
16 A
18 A
20 A
21 A
23 A
29 A
33 A
34 A
35 A
36 A
39 A
40 A
43 A
44 A
48 A
49 A
50 A
57 A

950 uOhms
1.1 mOhms
1.25 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
26 nC

2.5 W
3.6 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
35 W
36 W
37 W
38 W
48 W
50 W
54 W
57 W
63 W
66 W
69 W
71 W