Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

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Resultados: 124

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ097N04LS G
Infineon Technologies
1: S/4.55
181,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ097N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

181,869En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.86

S/1.88

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

14.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB025N08N3 G
Infineon Technologies
1: S/19.81
5,582En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N08N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

5,582En existencias

Cinta cortada

S/19.81

S/14.25

S/10.24

S/9.89

Envase tipo carrete

S/8.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1: S/38.38
3,837En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20NAXT

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

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Hoja de datos

3,837En existencias

Cinta cortada

S/38.38

S/29.12

S/24.25

S/21.60

Envase tipo carrete

S/19.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/10.16
879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB037N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

879En existencias

Cinta cortada

S/10.16

S/6.58

S/4.71

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.90
4,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8318TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

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Hoja de datos

4,368En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.09

S/2.04

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.59
3,359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8324TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8324TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

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Hoja de datos

3,359En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.86

S/1.87

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC090N03LS G
Infineon Technologies
1: S/3.74
8,069En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BSC090N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC090N03LSG

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

8,069En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.32

S/1.51

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.814

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

48 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1: S/4.83
3,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

3,200En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.04

S/2.00

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

84 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power

IRFS7734TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/4.55
779En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7734TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7734TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power

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Hoja de datos

779En existencias

Cinta cortada

S/4.55

Envase tipo carrete

S/4.36

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

183 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

270 nC

- 55 C

+ 175 C

290 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LS
Infineon Technologies
1: S/4.24
4,688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ065N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

4,688En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.66

S/1.73

S/1.34

Envase tipo carrete

S/0.981

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

49 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1: S/5.84
2,170En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC265N10LSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

2,170En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.68

S/2.44

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ340N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/4.63
4,212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4,212En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/2.89

S/1.90

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IRFB3306PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.85
2,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB3306PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB3306PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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Hoja de datos

2,196En existencias

S/9.85

S/4.87

S/4.32

S/3.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
17,132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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Hoja de datos

17,132En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.67

S/4.32

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: S/5.68
53,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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Hoja de datos

53,702En existencias

S/5.68

S/2.68

S/2.39

S/1.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

95 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06LS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.57
35,376En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC028N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06LS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

35,376En existencias

Cinta cortada

S/12.57

S/8.14

S/5.99

S/5.02

Ver

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

175 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC059N04LS G
Infineon Technologies
1: S/4.71
5,086En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC059N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

5,086En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.93

S/1.93

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

73 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/19.85
1,243En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

1,243En existencias

Cinta cortada

S/19.85

S/13.94

S/10.04

S/8.49

Envase tipo carrete

S/7.86

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.46
3,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

3,710En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/8.14

S/6.23

S/5.22

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC070N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.34
7,791En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC070N10LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC070N10LS5ATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

7,791En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.79

S/3.86

S/3.55

Ver

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

79 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8

BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
14,899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC070N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC070N10NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8

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Hoja de datos

14,899En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.87

S/4.71

S/3.40

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Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
15,025En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC117N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC117N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

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Cinta cortada

S/7.24

S/4.36

S/3.11

S/2.56

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Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

49 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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900En existencias

Cinta cortada

S/19.07

S/12.77

S/9.54

S/9.11

Envase tipo carrete

S/7.43

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.23
1,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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Hoja de datos

1,565En existencias

Cinta cortada

S/16.23

S/11.44

S/9.26

Envase tipo carrete

S/7.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.88
1,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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1,881En existencias

Cinta cortada

S/15.88

S/10.43

S/7.82

S/6.97

Envase tipo carrete

S/5.88

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Designing Power Systems

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
13 A
16 A
18 A
20 A
21 A
23 A
29 A
33 A
34 A
35 A
36 A
39 A
40 A
43 A
44 A
48 A
49 A
50 A
57 A

950 uOhms
1.1 mOhms
1.25 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
26 nC

2.5 W
3.6 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
35 W
36 W
37 W
38 W
48 W
50 W
54 W
57 W
63 W
66 W
69 W
71 W