Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

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Resultados: 71

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

712En existencias

S/13.16

S/6.58

S/5.96

S/5.02

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.58
73En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R145CFD7ATM

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

S/16.58

S/10.94

S/7.71

S/7.08

Envase tipo carrete

S/6.77

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R060CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.71
13En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R060CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R060CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

13En existencias

Cinta cortada

S/30.71

S/21.72

S/15.22

S/14.67

S/13.70

Envase tipo carrete

S/13.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL65R200CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.06
2En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R200CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R200CFD7AUM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/9.85

S/7.05

S/5.84

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R035CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/48.38
4,000Se espera el 4/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R035CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R035CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4,000Se espera el 4/02/2027

Cinta cortada

S/48.38

S/33.28

S/27.64

S/26.39

Envase tipo carrete

S/24.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

67 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

351 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL65R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/25.96
3,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/25.96

S/17.44

S/12.73

S/11.76

S/11.72

Envase tipo carrete

S/11.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 40 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.55
1,680En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,680En pedido

S/26.55

S/15.14

S/14.36

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.59
495Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R145CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R145CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

495Se espera el 28/01/2027

S/17.59

S/9.03

S/8.21

S/6.70

S/6.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R035CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/38.42
Plazo de entrega 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R035CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R035CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 21 Semanas

Cinta cortada

S/38.42

S/27.83

S/25.07

S/23.39

Envase tipo carrete

S/23.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

367 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/14.99
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R055CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R055CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/14.99

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

HDSOP-22

600 V

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1,700: S/19.66
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R045CFD7X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Envase tipo carrete

S/19.66

Min.: 1,700
Mult.: 1,700

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

379 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1,700: S/11.99
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R075CFD7X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.99

Min.: 1,700
Mult.: 1,700

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R020CFD7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/42.78
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R020CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R020CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/42.78

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

112 A

20 mOhms

- 20 V, 30 V

4.5 V

186 nC

- 55 C

+ 150 C

543 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/34.25
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R040CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/34.25

S/24.68

S/22.11

S/20.67

Envase tipo carrete

S/20.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R099CFD7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/10.43
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R099CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R099CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.43

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL65R130CFD7AUMA1
Infineon Technologies
3,000: S/8.45
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R130CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R130CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.45

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.49
Plazo de entrega 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 19 Semanas

Cinta cortada

S/18.49

S/12.22

S/8.64

S/7.47

S/7.36

Envase tipo carrete

S/7.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R099CFD7XTMA1
Infineon Technologies
2,000: S/9.23
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R099CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R099CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.23

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R155CFD7XTMA1
Infineon Technologies
2,000: S/6.46
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R155CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R155CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.46

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R190CFD7XTMA1
Infineon Technologies
2,000: S/5.76
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R190CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R190CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.76

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R115CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.01
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R115CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R115CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/27.01

S/15.45

S/12.88

S/11.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
9 A
11 A
14 A
16 A
17 A
18 A
19 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
29 A
31 A
33 A
34 A
36 A
38 A
40 A

18 mOhms
20 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
80 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms

8 nC
17 nC
18 nC
23 nC
28 nC
31 nC
36 nC
41 nC
42 nC
50 nC
51 nC
53 nC
67 nC
79 nC
102 nC
107 nC
108 nC
109 nC
141 nC
183 nC

24 W
32 W
52 W
63 W
75 W
76 W
81 W
83 W
85 W
92 W
95 W
98 W
106 W
114 W
124 W
125 W
127 W
140 W
142 W
147 W