Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 78

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.68
382En existencias
1,000Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R230CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

382En existencias

1,000Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/11.68

S/8.80

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.52

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R115CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.17
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R115CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R115CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

490En existencias

Cinta cortada

S/17.17

S/11.37

S/8.06

S/7.43

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 40 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL65R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/21.84
59En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

59En existencias

Cinta cortada

S/21.84

S/14.79

S/11.33

S/10.55

S/10.20

Envase tipo carrete

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 40 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
25En existencias
500Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R145CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R145CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

25En existencias

500Se espera el 3/12/2026

S/14.95

S/8.80

S/6.66

S/5.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/52.12
178En existencias
240Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

178En existencias

240Se espera el 16/02/2026

S/52.12

S/31.33

S/27.13

S/27.09

S/26.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

77 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

288En existencias

S/19.07

S/12.65

S/10.04

S/8.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R115CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.54
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R115CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R115CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

215En existencias

S/22.54

S/15.73

S/12.73

S/11.33

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R170CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/12.96
152En existencias
1,700Se espera el 30/04/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R170CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R170CFD7X1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

152En existencias

1,700Se espera el 30/04/2026

Cinta cortada

S/12.96

S/10.16

S/9.38

S/7.08

Envase tipo carrete

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10-1

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
73En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R145CFD7ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

S/14.87

S/9.77

S/6.85

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.18

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.17
15En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R145CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R145CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

15En existencias

S/17.17

S/16.54

S/9.11

S/7.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R125CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
38En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R125CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125CFD7ATM

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

38En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/16.58

S/10.74

S/10.35

Envase tipo carrete

S/5.96

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.35
358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R125CFD7X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

358En existencias

Cinta cortada

S/16.35

S/10.78

S/7.59

S/6.89

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.61

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10-1

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL65R200CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.69
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R200CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R200CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

277En existencias

Cinta cortada

S/12.69

S/8.25

S/5.76

S/4.90

S/4.83

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R035CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.55
4,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R035CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R035CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/36.55

S/25.07

S/20.20

S/19.00

Envase tipo carrete

S/16.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

67 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

351 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
977Se espera el 7/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R105CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R105CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

977Se espera el 7/05/2026

Cinta cortada

S/18.45

S/12.22

S/8.68

S/8.14

Envase tipo carrete

S/6.66

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.50
2,999Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,999Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/19.50

S/12.96

S/9.89

S/9.03

S/8.76

Envase tipo carrete

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
2,990Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R160CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,990Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/9.89

S/8.14

S/6.42

S/5.64

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R035CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.95
Plazo de entrega 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R035CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R035CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

Cinta cortada

S/30.95

S/22.58

S/20.71

S/20.47

Envase tipo carrete

S/18.29

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

367 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/12.46
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R055CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R055CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/12.46

S/12.30

Min.: 750
Mult.: 750

Carrete: 750

HDSOP-22

600 V

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1,700: S/14.71
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R045CFD7X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/14.71

Min.: 1,700
Mult.: 1,700

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

379 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.16
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R075CFD7X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

Cinta cortada

S/23.16

S/15.53

S/11.17

S/11.02

S/9.89

Envase tipo carrete

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R020CFD7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/32.93
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R020CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R020CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Envase tipo carrete

S/32.93

Min.: 750
Mult.: 750

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

112 A

20 mOhms

- 20 V, 30 V

4.5 V

186 nC

- 55 C

+ 150 C

543 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R099CFD7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/7.90
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R099CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R099CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Envase tipo carrete

S/7.90

Min.: 750
Mult.: 750

Carrete: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL65R130CFD7AUMA1
Infineon Technologies
3,000: S/6.62
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R130CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R130CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.62

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
Plazo de entrega 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 19 Semanas

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
9 A
11 A
14 A
16 A
17 A
18 A
19 A
21 A
22 A
24 A
25 A
27 A
28 A
29 A
31 A
33 A
34 A
36 A

18 mOhms
20 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
80 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms

8 nC
14 nC
17 nC
18 nC
23 nC
28 nC
31 nC
36 nC
41 nC
42 nC
50 nC
51 nC
53 nC
67 nC
79 nC
102 nC
107 nC
108 nC
109 nC
141 nC

24 W
32 W
43 W
52 W
63 W
75 W
76 W
81 W
83 W
85 W
92 W
95 W
98 W
106 W
114 W
124 W
125 W
127 W
137 W
140 W