Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

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Resultados: 78

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R105CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
1,354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R105CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R105CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,354En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/11.17

S/7.90

S/7.32

S/6.58

Envase tipo carrete

S/5.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.73
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R070CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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831En existencias

Cinta cortada

S/22.73

S/15.65

S/11.76

S/11.72

Envase tipo carrete

S/9.54

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.50
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

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828En existencias

S/19.50

S/18.76

S/10.20

S/9.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R145CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/14.40
1,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R145CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R145CFD7X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

S/14.40

S/9.42

S/6.62

S/5.80

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.77
2,555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R055CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R055CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,555En existencias

Cinta cortada

S/22.77

S/17.05

S/12.42

S/12.38

Envase tipo carrete

S/10.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.56
3,408En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

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3,408En existencias

S/24.56

S/14.40

S/11.72

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.43
1,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R050CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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1,254En existencias

S/36.43

S/21.49

S/18.22

S/17.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.42
3,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,364En existencias

Cinta cortada

S/12.42

S/7.36

S/5.68

S/4.83

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

153 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.65
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,000En existencias

Cinta cortada

S/18.65

S/14.56

S/10.43

S/10.16

S/9.23

Envase tipo carrete

S/8.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R090CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.41
1,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R090CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R090CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,917En existencias

Cinta cortada

S/18.41

S/12.22

S/8.80

S/8.21

S/7.40

Envase tipo carrete

S/6.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.76
2,433En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360CFD7ATM

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2,433En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.64

S/4.05

S/3.45

Envase tipo carrete

S/2.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.67
591En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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591En existencias

Cinta cortada

S/20.67

S/13.78

S/9.85

S/9.46

Envase tipo carrete

S/7.71

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL65R115CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.15
2,975En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R115CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R115CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,975En existencias

Cinta cortada

S/19.15

S/12.73

S/9.07

S/8.56

S/7.75

Envase tipo carrete

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.27
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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778En existencias

S/16.27

S/8.37

S/7.98

S/6.73

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
1,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,199En existencias

S/11.91

S/5.96

S/5.53

S/4.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL65R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
2,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R160CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R160CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,017En existencias

Cinta cortada

S/15.30

S/10.08

S/7.08

S/6.31

Ver

Envase tipo carrete

S/5.14

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
888En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180CM8XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

888En existencias

S/8.02

S/5.80

S/4.59

S/3.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

4.7 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R025CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/47.41
752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R025CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R025CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

752En existencias

Cinta cortada

S/47.41

S/30.67

S/25.07

Envase tipo carrete

S/25.03

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 20 V, 30 V

4.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R017CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/59.67
552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R017CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R017CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

552En existencias

Cinta cortada

S/59.67

S/44.10

S/39.08

S/37.60

Envase tipo carrete

S/37.56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R029CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/38.73
759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R029CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R029CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

759En existencias

Cinta cortada

S/38.73

S/28.10

S/24.64

S/24.09

Envase tipo carrete

S/22.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R060CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.84
731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R060CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R060CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

731En existencias

Cinta cortada

S/21.84

S/15.41

S/13.35

Envase tipo carrete

S/12.03

S/11.76

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/34.92
3,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,979En existencias

Cinta cortada

S/34.92

S/23.90

S/19.00

S/18.76

S/18.72

Envase tipo carrete

S/15.53

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.35
86En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R040CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

86En existencias

Cinta cortada

S/29.35

S/21.02

S/18.33

S/17.87

Envase tipo carrete

S/16.31

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.42
1,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,983En existencias

Cinta cortada

S/28.42

S/21.18

S/17.13

S/15.22

Envase tipo carrete

S/13.04

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.33
785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

785En existencias

Cinta cortada

S/31.33

S/21.80

S/16.93

Envase tipo carrete

S/13.82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
9 A
11 A
14 A
16 A
17 A
18 A
19 A
21 A
22 A
24 A
25 A
27 A
28 A
29 A
31 A
33 A
34 A
36 A

18 mOhms
20 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
80 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms

8 nC
14 nC
17 nC
18 nC
23 nC
28 nC
31 nC
36 nC
41 nC
42 nC
50 nC
51 nC
53 nC
67 nC
79 nC
102 nC
107 nC
108 nC
109 nC
141 nC

24 W
32 W
43 W
52 W
63 W
75 W
76 W
81 W
83 W
85 W
92 W
95 W
98 W
106 W
114 W
124 W
125 W
127 W
137 W
140 W