Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

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Resultados: 71

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.70
748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R075CFD7XTMA1

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726-DQ60R075CFD7XTMA

Infineon Technologies

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748En existencias

Cinta cortada

S/29.70

S/19.85

S/15.96

S/14.21

Envase tipo carrete

S/12.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPT65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/41.38
3,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CFD7XTM

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/41.38

S/29.23

S/24.37

S/21.72

S/20.32

Envase tipo carrete

S/20.32

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CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.26
3,806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R170CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM

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3,806En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.98

S/5.49

S/4.59

Envase tipo carrete

S/3.93

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPDD60R145CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/17.52
1,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R145CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R145CFD7X1

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Cinta cortada

S/17.52

S/11.48

S/8.56

S/7.16

S/6.66

Envase tipo carrete

S/6.23

MouseReel Disponible

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: 1,700

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPT60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.35
2,492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R055CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R055CFD7XTM

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Cinta cortada

S/29.35

S/19.03

S/15.34

S/13.74

S/12.30

Envase tipo carrete

S/12.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

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+ 150 C

236 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.56
2,826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS

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S/30.56

S/18.76

S/15.14

S/13.39

S/11.72

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

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+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.03
3,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/15.03

S/9.81

S/7.12

S/5.96

S/5.53

Envase tipo carrete

S/5.22

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

153 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.44
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

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2,989En existencias

Cinta cortada

S/24.44

S/16.00

S/11.79

S/10.47

S/9.30

Envase tipo carrete

S/9.30

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: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.94
1,680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

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1,680En existencias

S/13.94

S/8.56

S/6.31

S/5.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

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+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/19.42
1,924En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R125CFD7XTM

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/19.42

S/12.22

S/9.23

S/7.94

Envase tipo carrete

S/6.58

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/64.97
373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS

Infineon Technologies

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373En existencias

S/64.97

S/49.51

S/41.26

S/36.75

S/34.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

77 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R017CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/79.37
552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R017CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R017CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

552En existencias

Cinta cortada

S/79.37

S/59.28

S/51.26

S/48.54

Envase tipo carrete

S/45.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.19
2,061En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,061En existencias

Cinta cortada

S/32.19

S/21.45

S/17.20

S/15.57

Envase tipo carrete

S/12.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.93
826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

826En existencias

Cinta cortada

S/22.93

S/12.49

S/9.54

S/8.80

Envase tipo carrete

S/8.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R105CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
1,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R105CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R105CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,332En existencias

Cinta cortada

S/20.09

S/13.16

S/9.85

S/8.25

Envase tipo carrete

S/7.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.85
2,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R160CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,966En existencias

Cinta cortada

S/16.85

S/11.02

S/8.21

S/6.89

S/6.38

Envase tipo carrete

S/5.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R029CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/53.41
759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R029CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R029CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

759En existencias

Cinta cortada

S/53.41

S/40.68

S/33.90

S/30.21

Envase tipo carrete

S/28.26

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.89
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R070CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

831En existencias

Cinta cortada

S/29.89

S/20.01

S/16.08

S/14.29

Envase tipo carrete

S/12.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.31
1,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,980En existencias

Cinta cortada

S/29.31

S/19.62

S/15.76

S/14.01

S/12.53

Envase tipo carrete

S/12.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R080CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.18
1,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R080CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R080CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,880En existencias

Cinta cortada

S/28.18

S/18.84

S/15.14

S/13.47

S/11.95

Envase tipo carrete

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/38.11
3,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,517En existencias

Cinta cortada

S/38.11

S/26.20

S/20.98

S/18.72

Envase tipo carrete

S/15.49

S/15.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R025CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/62.24
752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R025CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R025CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

752En existencias

Cinta cortada

S/62.24

S/47.41

S/39.51

S/35.19

Envase tipo carrete

S/32.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 20 V, 30 V

4.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R060CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.93
731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R060CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R060CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

731En existencias

Cinta cortada

S/32.93

S/23.16

S/18.76

S/16.66

Envase tipo carrete

S/14.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.11
299En existencias
1,500Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180CM8XKSA

Infineon Technologies

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Hoja de datos

299En existencias

1,500Se espera el 15/07/2026

S/12.11

S/7.86

S/5.41

S/4.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

4.7 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.86
696En existencias

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IPB60R105CFD7ATMA1

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726-IPB60R105CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

S/23.86

S/15.76

S/11.52

S/9.61

Envase tipo carrete

S/8.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
9 A
11 A
14 A
16 A
17 A
18 A
19 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
29 A
31 A
33 A
34 A
36 A
38 A
40 A

18 mOhms
20 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
35 mOhms
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45 mOhms
50 mOhms
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57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
80 mOhms
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95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms

8 nC
17 nC
18 nC
23 nC
28 nC
31 nC
36 nC
41 nC
42 nC
50 nC
51 nC
53 nC
67 nC
79 nC
102 nC
107 nC
108 nC
109 nC
141 nC
183 nC

24 W
32 W
52 W
63 W
75 W
76 W
81 W
83 W
85 W
92 W
95 W
98 W
106 W
114 W
124 W
125 W
127 W
140 W
142 W
147 W