Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 71

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R105CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.84
1,342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R105CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R105CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,342En existencias

Cinta cortada

S/18.84

S/12.46

S/8.84

S/7.79

S/7.63

Envase tipo carrete

S/7.12

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/21.41
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

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2,989En existencias

Cinta cortada

S/21.41

S/13.43

S/8.45

Envase tipo carrete

S/8.45

Min.: 1
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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.58
1,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

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1,683En existencias

S/13.58

S/6.81

S/6.15

S/4.94

S/4.59

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N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

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+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/57.06
388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS

Infineon Technologies

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388En existencias

S/57.06

S/34.72

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650 V

77 A

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

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703En existencias

S/45.35

S/27.05

S/23.00

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63 A

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278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

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773En existencias

S/22.46

S/10.94

S/9.03

Min.: 1
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TO-220-3

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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2,061En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM

NRND

Infineon Technologies

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2,061En existencias

Cinta cortada

S/30.28

S/19.03

S/15.14

S/14.83

Envase tipo carrete

S/14.13

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

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4.5 V

79 nC

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+ 150 C

178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPDD60R145CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/15.92
1,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R145CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R145CFD7X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,375En existencias

Cinta cortada

S/15.92

S/10.16

S/7.47

S/6.23

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.39
2,522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R055CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R055CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,522En existencias

Cinta cortada

S/26.39

S/16.78

S/13.43

S/12.92

S/12.18

Envase tipo carrete

S/12.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.80
3,236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,236En existencias

S/28.80

S/16.54

S/13.86

S/12.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.57
1,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R050CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

1,126En existencias

S/41.57

S/24.56

S/20.82

S/20.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

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227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.96
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R070CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

831En existencias

Cinta cortada

S/25.96

S/15.92

S/12.69

S/12.26

Envase tipo carrete

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.97
571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

571En existencias

Cinta cortada

S/22.97

S/15.34

S/10.98

S/9.96

Envase tipo carrete

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.66
3,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,361En existencias

Cinta cortada

S/13.66

S/8.10

S/5.99

S/5.14

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

153 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.56
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,990En existencias

Cinta cortada

S/27.56

S/18.57

S/13.47

S/12.69

S/11.87

Envase tipo carrete

S/11.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.12
748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R075CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

748En existencias

Cinta cortada

S/20.12

S/14.17

S/12.26

S/11.64

Envase tipo carrete

S/11.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R025CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/53.05
752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R025CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R025CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

752En existencias

Cinta cortada

S/53.05

S/43.21

S/36.01

S/32.07

Envase tipo carrete

S/29.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 20 V, 30 V

4.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R060CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.76
731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R060CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R060CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

731En existencias

Cinta cortada

S/31.76

S/21.10

S/17.09

S/15.18

Envase tipo carrete

S/13.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/37.80
3,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,978En existencias

Cinta cortada

S/37.80

S/26.43

S/19.81

S/18.49

Envase tipo carrete

S/18.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.94
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180CM8XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

831En existencias

S/10.94

S/5.41

S/4.87

S/3.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

4.7 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.32
717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R105CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R105CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

717En existencias

Cinta cortada

S/20.32

S/13.51

S/9.61

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.83
638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

638En existencias

Cinta cortada

S/33.83

S/24.17

S/17.83

S/17.71

Envase tipo carrete

S/16.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.26
3,806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R170CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,806En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.98

S/5.88

S/4.75

S/4.59

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.76
533En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

533En existencias

S/34.76

S/23.63

S/19.81

S/17.13

S/15.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.43
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R045CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

S/29.43

S/21.06

S/18.68

S/17.56

Envase tipo carrete

S/17.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

650 V

52 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

297 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
9 A
11 A
14 A
16 A
17 A
18 A
19 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
29 A
31 A
33 A
34 A
36 A
38 A
40 A

18 mOhms
20 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
80 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms

8 nC
17 nC
18 nC
23 nC
28 nC
31 nC
36 nC
41 nC
42 nC
50 nC
51 nC
53 nC
67 nC
79 nC
102 nC
107 nC
108 nC
109 nC
141 nC
183 nC

24 W
32 W
52 W
63 W
75 W
76 W
81 W
83 W
85 W
92 W
95 W
98 W
106 W
114 W
124 W
125 W
127 W
140 W
142 W
147 W