Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

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Resultados: 71

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/37.45
1,959En existencias
4,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,959En existencias

4,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/37.45

S/25.65

S/19.62

S/19.27

Envase tipo carrete

S/18.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.96
1,164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R230CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

1,164En existencias

Cinta cortada

S/15.96

S/10.47

S/7.36

S/6.11

Envase tipo carrete

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.12
642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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642En existencias

S/26.12

S/15.22

S/12.61

S/11.17

S/9.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/75.79
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

215En existencias

S/75.79

S/47.25

S/44.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

251 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.55
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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428En existencias

S/36.55

S/24.91

S/20.55

S/17.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/15.69
557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R125CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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557En existencias

Cinta cortada

S/15.69

S/10.90

S/9.34

S/8.87

Envase tipo carrete

S/8.68

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/38.03
558En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

558En existencias

Cinta cortada

S/38.03

S/26.04

S/19.46

Envase tipo carrete

S/18.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.69
3,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,166En existencias

Cinta cortada

S/15.69

S/10.28

S/7.24

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R090CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.51
1,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R090CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R090CFD7X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,724En existencias

Cinta cortada

S/23.51

S/15.73

S/11.29

S/10.28

S/9.69

Envase tipo carrete

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/31.30
760En existencias
3,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

760En existencias

3,000Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/31.30

S/21.21

S/15.53

S/15.06

S/14.21

Envase tipo carrete

S/14.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL65R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.18
2,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R160CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R160CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,017En existencias

Cinta cortada

S/18.18

S/11.99

S/8.49

S/7.28

Envase tipo carrete

S/6.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.80
840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

840En existencias

S/28.80

S/15.45

S/14.13

S/12.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/40.01
577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

577En existencias

Cinta cortada

S/40.01

S/27.48

S/20.82

S/20.79

S/19.42

Envase tipo carrete

S/19.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

52 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/48.62
625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

625En existencias

S/48.62

S/29.23

S/25.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

63 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.99
717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

717En existencias

S/40.99

S/24.29

S/24.13

S/21.41

S/20.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.09
2,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,478En existencias

S/30.09

S/17.87

S/14.99

S/13.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

348En existencias

S/13.20

S/6.62

S/5.96

S/4.71

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.85
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

500En existencias

S/19.85

S/10.28

S/8.80

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R090CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.91
517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R090CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R090CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

517En existencias

Cinta cortada

S/21.91

S/14.60

S/11.13

S/9.89

S/8.84

Envase tipo carrete

S/8.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.69
254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

254En existencias

S/22.69

S/12.77

S/10.59

S/9.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.00
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R045CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

S/32.00

S/23.00

S/20.51

S/19.19

Envase tipo carrete

S/19.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

650 V

52 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

297 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R080CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.04
76En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R080CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R080CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

76En existencias

Cinta cortada

S/29.04

S/19.62

S/14.29

S/12.73

Envase tipo carrete

S/12.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.80
425En existencias
1,000Se espera el 15/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R105CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R105CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

425En existencias

1,000Se espera el 15/04/2027

Cinta cortada

S/21.80

S/14.52

S/10.39

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.60
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

503En existencias

Cinta cortada

S/24.60

S/16.50

S/11.87

S/10.94

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R115CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.36
420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R115CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R115CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

420En existencias

Cinta cortada

S/20.36

S/13.51

S/9.61

S/8.49

S/8.33

Envase tipo carrete

S/7.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 40 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
9 A
11 A
14 A
16 A
17 A
18 A
19 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
29 A
31 A
33 A
34 A
36 A
38 A
40 A

18 mOhms
20 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
80 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms

8 nC
17 nC
18 nC
23 nC
28 nC
31 nC
36 nC
41 nC
42 nC
50 nC
51 nC
53 nC
67 nC
79 nC
102 nC
107 nC
108 nC
109 nC
141 nC
183 nC

24 W
32 W
52 W
63 W
75 W
76 W
81 W
83 W
85 W
92 W
95 W
98 W
106 W
114 W
124 W
125 W
127 W
140 W
142 W
147 W