Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

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Resultados: 78

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
3,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R170CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,816En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.40

S/5.29

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.93

S/3.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.86
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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465En existencias

S/29.86

S/17.36

S/14.60

S/13.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.40
78En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R045CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

78En existencias

Cinta cortada

S/27.40

S/19.58

S/17.01

Envase tipo carrete

S/15.84

S/15.69

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

650 V

52 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

297 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R080CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.93
86En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R080CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R080CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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86En existencias

Cinta cortada

S/22.93

S/17.32

S/14.01

S/12.46

Envase tipo carrete

S/10.67

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/13.55
725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R125CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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725En existencias

Cinta cortada

S/13.55

S/9.38

S/8.02

S/7.28

Envase tipo carrete

S/6.66

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

- 20 V, 20 V

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
191En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R105CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R105CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

191En existencias

S/19.07

S/13.97

S/11.29

S/10.04

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.96
840En existencias
2,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

840En existencias

2,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/31.96

S/21.95

S/17.09

S/17.05

Envase tipo carrete

S/13.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

860En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/8.37

Envase tipo carrete

S/7.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.53
4,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4,315En existencias

Cinta cortada

S/12.53

S/8.37

S/6.03

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R090CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/19.81
3,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R090CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R090CFD7X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,332En existencias

Cinta cortada

S/19.81

S/13.20

S/9.42

S/8.95

S/8.17

Envase tipo carrete

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.31
1,029En existencias
3,000Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,029En existencias

3,000Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/26.31

S/19.23

S/15.57

S/13.82

S/11.83

Envase tipo carrete

S/11.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.82
1,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,784En existencias

Cinta cortada

S/20.82

S/15.06

S/10.86

S/10.63

S/10.08

Envase tipo carrete

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

66 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.73
1,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,087En existencias

S/22.73

S/17.17

S/13.90

S/12.34

S/10.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.31
740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

740En existencias

Cinta cortada

S/26.31

S/20.75

S/20.71

S/15.92

Ver

Envase tipo carrete

S/12.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

52 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R080CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.24
1,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R080CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R080CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,880En existencias

Cinta cortada

S/23.24

S/15.65

S/11.29

S/10.67

S/10.63

Envase tipo carrete

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.93
1,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R125CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,984En existencias

Cinta cortada

S/16.93

S/11.09

S/8.29

S/7.40

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.93
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

450En existencias

S/61.93

S/37.52

S/34.10

S/34.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

251 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.28
806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

806En existencias

S/39.28

S/22.27

S/22.23

S/19.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

63 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.55
847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

847En existencias

S/33.55

S/18.22

S/16.58

S/16.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.32
732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

732En existencias

S/20.32

S/12.26

S/12.22

S/10.28

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R105CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R105CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

8En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/12.22

S/8.68

S/8.14

Envase tipo carrete

S/6.66

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.94
212En existencias
500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

212En existencias

500Se espera el 2/03/2026

S/10.94

S/10.90

S/5.45

S/4.98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R060CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.72
13En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R060CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R060CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

13En existencias

Cinta cortada

S/24.72

S/18.96

S/15.34

S/13.62

S/11.64

Envase tipo carrete

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.62
41En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R075CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

41En existencias

Cinta cortada

S/22.62

S/17.09

S/13.82

S/12.26

Envase tipo carrete

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.83
218En existencias
500Se espera el 24/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

218En existencias

500Se espera el 24/02/2026

S/14.83

S/6.81

S/6.73

S/6.54

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
9 A
11 A
14 A
16 A
17 A
18 A
19 A
21 A
22 A
24 A
25 A
27 A
28 A
29 A
31 A
33 A
34 A
36 A

18 mOhms
20 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
80 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms

8 nC
14 nC
17 nC
18 nC
23 nC
28 nC
31 nC
36 nC
41 nC
42 nC
50 nC
51 nC
53 nC
67 nC
79 nC
102 nC
107 nC
108 nC
109 nC
141 nC

24 W
32 W
43 W
52 W
63 W
75 W
76 W
81 W
83 W
85 W
92 W
95 W
98 W
106 W
114 W
124 W
125 W
127 W
137 W
140 W