Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

Renesas Electronics REXFET-1 100V and 150V Power MOSFETs implement split-gate technology, which significantly reduces the on-resistance R_DSON and Figure of Merit, ideal for high-current applications. The devices are available in TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing), and TOLT (TO top-side cooled) packages for exceptional thermal performance and maximum power capability. Additionally, the MOSFETs feature wettable flank packaging for excellent solder joint performance. The REXFET-1 MOSFETs are AEC-Q100 qualified with PPAP support for automotive applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

RBA40N10EANS-5UA11#HB0
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1: S/6.46
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RBA40N10EANS-5UA11#HB0

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968-40N10EANS5UA11HB

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S/6.46

S/4.09

S/2.75

S/2.17

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

uSO8-FL

N-Channel

100 V

40 A

11.1 mOhms

4 V

28 nC

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

RBE111N10R1SZN2#HB0
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1: S/6.38
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RBE111N10R1SZN2#HB0

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968-E111N10R1SZN2HB0

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S/4.01

S/2.70

S/2.13

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

uSO8-FL

N-Channel

100 V

40 A

11.1 mOhms

4 V

28 nC

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLT

RBA200N15YAPF-6UA03#KB0
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1: S/36.51
1,031En existencias
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RBA200N15YAPF-6UA03#KB0

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968-200N15YAPF6UA03K

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S/36.51

S/25.42

S/18.88

Envase tipo carrete

S/17.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,300

SMD/SMT

N-Channel

150 V

200 A

3.4 mOhms

4 V

96 nC

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg

RBE029N10R1SZN6#HB0
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1: S/11.29
4,014En existencias
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RBE029N10R1SZN6#HB0

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968-E029N10R1SZN6HB0

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S/11.29

S/7.32

S/5.06

S/4.20

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Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SO8-FL

N-Channel

100 V

160 A

2.9 mOhms

4 V

90 nC

Enhancement

SmartBond

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLT

RBE034N15R1SZPW#KB0
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1: S/35.85
1,170En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
RBE034N15R1SZPW#KB0

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968-E034N15R1SZPWKB0

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S/35.85

S/24.95

S/18.49

Envase tipo carrete

S/17.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,300

SMD/SMT

N-Channel

150 V

200 A

3.4 mOhms

4 V

96 nC

Enhancement

SmartBond

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL

RBE034N15R1SZQ4#GB0
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1: S/33.75
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RBE034N15R1SZQ4#GB0

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968-E034N15R1SZQ4GB0

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S/24.13

S/17.79

S/17.67

S/17.05

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S/16.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

150 V

200 A

3.4 mOhms

4 V

96 nC

Enhancement

SmartBond

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL

RBA300N10EANS-3UA02#GB0
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1: S/21.68
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RBA300N10EANS-3UA02#GB0

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968-3N10EANS3UA02GB0

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S/10.32

S/9.23

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S/8.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG

RBA300N10EHPF-5UA02#GB0
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1: S/19.97
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RBA300N10EHPF-5UA02#GB0

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968-3N10EHPF5UA02GB0

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S/9.50

S/9.03

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S/8.41

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG

RBE015N10R1SZPV#GB0
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1: S/19.66
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RBE015N10R1SZPV#GB0

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968-E015N10R1SZPVGB0

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S/9.34

S/8.87

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

TOLG-8

N-Channel

1 Channel

100 V

340 A

1.5 mOhms

170 nC

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL

RBE015N10R1SZQ4#GB0
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1: S/21.37
1,990En existencias
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RBE015N10R1SZQ4#GB0

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968-E015N10R1SZQ4GB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL

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S/21.37

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S/10.16

S/9.58

S/9.23

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S/8.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

100 V

340 A

1.5 mOhms

170 nC

SmartBond

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg

RBA160N10EANS-4UA03#HB0
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1: S/11.44
5,000Se espera el 17/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RBA160N10EANS-4UA03#HB0

N.º de artículo de Mouser
968-160N10EANS4UA03H

Nuevo producto

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S/11.44

S/7.43

S/5.14

S/4.28

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S/3.97

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SO8-FL

N-Channel

100 V

160 A

2.9 mOhms

4 V

90 nC

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL

RBA200N15YANS-3UA03#GB0
Renesas Electronics
1: S/33.55
1,995Se espera el 27/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RBA200N15YANS-3UA03#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-200N15YANS3UA03G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL

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1,995Se espera el 27/05/2026

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S/33.55

S/22.93

S/18.06

Envase tipo carrete

S/16.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

150 V

200 A

3.4 mOhms

4 V

96 nC

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 130A, 3.7mOhms, SO8-FL N-Channel Power MOSFET

RBA130N10EANS-4UA04#HB0
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5,000: S/3.37
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RBA130N10EANS-4UA04#HB0

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968-0N10EANS4UA04HB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 130A, 3.7mOhms, SO8-FL N-Channel Power MOSFET

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Envase tipo carrete

S/3.37

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

SO8-FL

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

3.7 mOhms

20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg

RBA80N10EANS-4UA07#HB0
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5,000: S/2.34
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA80N10EANS-4UA07#HB0

N.º de artículo de Mouser
968-0N10EANS4UA07HB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg

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Envase tipo carrete

S/2.34

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

GaN

SMD/SMT

SO8-FL

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

6.7 mOhms

4 V

43 nC

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg

RBA20N10EANS-5UA21#HB0
Renesas Electronics
3,000: S/1.43
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RBA20N10EANS-5UA21#HB0

N.º de artículo de Mouser
968-0N10EANS5UA21HB0

Nuevo producto

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg

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Envase tipo carrete

S/1.43

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

GaN

SMD/SMT

uSO8-FL

N-Channel

1 Channel

100 V

20 A

21 mOhms

4 V

18 nC

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL

RBA190N15YANS-3UA04#GB0
Renesas Electronics
2,000: S/10.59
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RBA190N15YANS-3UA04#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-0N15YANS3UA04GB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL

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S/10.59

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

GaN

SMD/SMT

TOLL

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.9 mOhms

4 V

76 nC

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT

RBA190N15YAPF-6UA04#KB0
Renesas Electronics
1,300: S/13.20
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RBA190N15YAPF-6UA04#KB0

N.º de artículo de Mouser
968-0N15YAPF6UA04KB0

Nuevo producto

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT

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S/13.20

Min.: 1,300
Mult.: 1,300

: 1,300

GaN

SMD/SMT

TOLT

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.9 mOhms

4 V

76 nC

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

RBA012N10R1SBPW#KB0
Renesas Electronics
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA012N10R1SBPW#KB0

N.º de artículo de Mouser
968-A012N10R1SBPWKB0

Nuevo producto

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

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S/10.51

Min.: 1,300
Mult.: 1,300

: 1,300

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL

RBA012N10R1SBQ4#GB0
Renesas Electronics
2,000: S/9.89
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA012N10R1SBQ4#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-A012N10R1SBQ4GB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL

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S/9.89

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT

RBA015N10R1SBPW#KB0
Renesas Electronics
1,300: S/8.60
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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RBA015N10R1SBPW#KB0

N.º de artículo de Mouser
968-A015N10R1SBPWKB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT

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S/8.60

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Mult.: 1,300

: 1,300

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT

RBA019N10R1SBPW#KB0
Renesas Electronics
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA019N10R1SBPW#KB0

N.º de artículo de Mouser
968-A019N10R1SBPWKB0

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Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT

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S/7.55

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Mult.: 1,300

: 1,300

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL

RBA019N10R1SBQ4#GB0
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2,000: S/6.93
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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RBA019N10R1SBQ4#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-A019N10R1SBQ4GB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL

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S/6.93

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

RBE012N10R1SZPW#KB0
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1,300: S/10.32
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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RBE012N10R1SZPW#KB0

N.º de artículo de Mouser
968-E012N10R1SZPWKB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

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REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

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