Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

Renesas Electronics REXFET-1 100V and 150V Power MOSFETs implement split-gate technology, which significantly reduces the on-resistance R_DSON and Figure of Merit, ideal for high-current applications. The devices are available in TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing), and TOLT (TO top-side cooled) packages for exceptional thermal performance and maximum power capability. Additionally, the MOSFETs feature wettable flank packaging for excellent solder joint performance. The REXFET-1 MOSFETs are AEC-Q100 qualified with PPAP support for automotive applications.

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Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG

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2,000Se espera el 1/06/2026
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S/17.63

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S/6.46

S/4.13

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S/2.17

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S/1.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

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S/4.05

S/2.70

S/2.13

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S/1.70

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uSO8-FL

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40 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg

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S/2.06

S/2.05

Min.: 5,000
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SO8-FL

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S/1.42

S/1.32

S/1.25

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL

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2,000: S/9.23
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N.º de artículo del Fabricante
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N.º de artículo de Mouser
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S/9.23

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GaN

SMD/SMT

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT

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N.º de artículo del Fabricante
RBA190N15YAPF-6UA04#KB0

N.º de artículo de Mouser
968-0N15YAPF6UA04KB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT

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S/11.52

Min.: 1,300
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Carrete: 1,300

GaN

SMD/SMT

TOLT

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.9 mOhms

4 V

76 nC

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

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1,300: S/9.15
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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RBA012N10R1SBPW#KB0

N.º de artículo de Mouser
968-A012N10R1SBPWKB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

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Envase tipo carrete

S/9.15

Min.: 1,300
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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL

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2,000: S/8.60
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA012N10R1SBQ4#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-A012N10R1SBQ4GB0

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Mult.: 2,000

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT

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1,300: S/7.47
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RBA015N10R1SBPW#KB0

N.º de artículo de Mouser
968-A015N10R1SBPWKB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT

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1,300: S/6.58
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT

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Carrete: 1,300

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL

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2,000: S/6.03
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL

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Carrete: 2,000

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

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968-E012N10R1SZPWKB0

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Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

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