Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

Renesas Electronics REXFET-1 100V and 150V Power MOSFETs use split-gate technology to reduce R_DS(ON) and figure of merit (FOM) for high-current applications. The 100V family is available in 3x3 µSO8-FL WF, 5x6 SO8-FL WF, TOLL, TOLG, and TOLT package options, while the 150V family is available in TOLL and TOLT package options. These packages support high power density, strong thermal performance, and high current capability. The REXFET-1 MOSFETs also offer wettable-flank package options for improved solder-joint reliability and automated optical inspection. Qualified to meet JEDEC industrial standards or AEC-Q101 automotive certification, these Renesas MOSFETs are ideal for industrial and automotive applications.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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S/36.67

S/25.03

S/20.24

S/18.41

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S/16.85

MouseReel Disponible

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Enhancement

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S/37.13

S/25.42

S/18.88

S/18.84

Envase tipo carrete

S/17.63

MouseReel Disponible

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S/7.82

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Envase tipo carrete

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S/24.13

S/17.79

S/17.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

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S/13.97

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL

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S/21.37

S/14.21

S/10.16

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S/8.52

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TOLL-8

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1 Channel

100 V

340 A

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5,000Se espera el 5/08/2026
Nuevo producto

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Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg

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S/12.26

S/7.98

S/5.49

S/4.44

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S/3.97

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SO8-FL

N-Channel

100 V

160 A

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4 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 130A, 3.7mOhms, SO8-FL N-Channel Power MOSFET

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5,000: S/3.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 130A, 3.7mOhms, SO8-FL N-Channel Power MOSFET

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S/3.39

Min.: 5,000
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: 5,000

SMD/SMT

SO8-FL

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

3.7 mOhms

20 V

4 V

80 nC

- 55 C

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140 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg

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5,000: S/2.35
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg

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S/2.35

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GaN

SMD/SMT

SO8-FL

N-Channel

1 Channel

100 V

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg

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3,000: S/1.54
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA20N10EANS-5UA21#HB0

N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg

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Envase tipo carrete

S/1.54

S/1.53

S/1.50

S/1.45

Min.: 3,000
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: 3,000

GaN

SMD/SMT

uSO8-FL

N-Channel

1 Channel

100 V

20 A

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL

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Renesas Electronics
2,000: S/10.63
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA190N15YANS-3UA04#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-0N15YANS3UA04GB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL

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S/10.63

Min.: 2,000
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: 2,000

GaN

SMD/SMT

TOLL

N-Channel

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190 A

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA190N15YAPF-6UA04#KB0

N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT

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S/13.35

Min.: 1,300
Mult.: 1,300

: 1,300

GaN

SMD/SMT

TOLT

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.9 mOhms

4 V

76 nC

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

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Renesas Electronics
1,300: S/10.55
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA012N10R1SBPW#KB0

N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

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S/10.55

Min.: 1,300
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: 1,300

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL

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Renesas Electronics
2,000: S/9.93
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA012N10R1SBQ4#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-A012N10R1SBQ4GB0

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Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL

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S/9.93

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT

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Renesas Electronics
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA015N10R1SBPW#KB0

N.º de artículo de Mouser
968-A015N10R1SBPWKB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT

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S/8.60

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: 1,300

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT

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Renesas Electronics
1,300: S/8.10
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RBA019N10R1SBPW#KB0

N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT

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S/8.10

S/7.79

S/7.63

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Mult.: 1,300

: 1,300

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL

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968-A019N10R1SBQ4GB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL

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: 2,000

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT

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REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

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