Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.06
615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP034N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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615En existencias

S/15.06

S/7.63

S/6.89

S/6.07

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.00
405En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP076N15N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP076N15N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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405En existencias

1,500En pedido

S/19.00

S/11.29

S/9.11

S/7.55

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

112 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.36
900En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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900En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/7.36

S/4.67

S/3.13

S/2.28

Ver

Envase tipo carrete

S/1.96

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

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100 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.59
38En existencias
10,000Se espera el 25/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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38En existencias

10,000Se espera el 25/03/2027

Cinta cortada

S/7.59

S/6.19

S/5.37

S/4.75

Ver

Envase tipo carrete

S/4.09

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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

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40 A

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- 16 V, 16 V

2 V

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- 55 C

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69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
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5,112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ065N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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5,112En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.81

S/1.90

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

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49 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.88
100En existencias
10,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E046N08LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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100En existencias

10,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/15.88

S/10.39

S/7.43

S/6.19

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.57

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99 A

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2.3 V

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+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5L022ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.55
118En existencias
5,000Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5L022ATMA1

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726-IAUC120N06S5L022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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118En existencias

5,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/10.55

S/5.18

S/4.67

S/3.73

Ver

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

170 A

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1.7 V

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+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
2,237En existencias
5,000Se espera el 9/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5N102ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5N102A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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2,237En existencias

5,000Se espera el 9/02/2027

Cinta cortada

S/5.84

S/2.74

S/2.43

S/1.90

Ver

Envase tipo carrete

S/1.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.75
4,971En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N06S5L050ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N06S5L050A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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4,971En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/7.75

S/4.36

S/3.24

S/2.56

Ver

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.22
6En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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6En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/15.22

S/8.80

S/6.85

S/5.88

S/5.64

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

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1 Channel

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2 V

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+ 150 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

103En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/9.19

S/7.32

S/5.88

S/5.84

Envase tipo carrete

S/5.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.82
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH68N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH68N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

S/20.82

S/13.82

S/9.85

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

460 A

1.12 Ohms

- 20 V, 20 V

2.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

273 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.18
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

92En existencias

Cinta cortada

S/15.18

S/7.75

S/6.93

S/5.68

Ver

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.52
55,900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

55,900En pedido

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.68

S/2.94

Ver

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
47,193En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

47,193En pedido

Cinta cortada

S/6.27

S/3.40

S/2.25

S/1.78

Ver

Envase tipo carrete

S/1.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQDH29NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.38
9,928Se espera el 17/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQDH29NE2LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH29NE2LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

9,928Se espera el 17/06/2027

Cinta cortada

S/12.38

S/8.52

S/7.28

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

789 A

290 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQDH35N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
14,819En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQDH35N03LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH35N03LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

14,819En pedido

Cinta cortada

S/15.30

S/10.51

S/8.29

S/7.63

S/7.43

Envase tipo carrete

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

700 A

350 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.14
11,970En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

11,970En pedido

Cinta cortada

S/18.14

S/11.68

S/8.49

S/7.28

Ver

Envase tipo carrete

S/6.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.55
11,751En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

11,751En pedido

Cinta cortada

S/26.55

S/16.15

S/13.66

S/12.42

S/12.03

Envase tipo carrete

S/11.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.29
10,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

10,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/14.29

S/8.14

S/6.50

S/5.37

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQD016N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.40
5,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQD016N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD016N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

5,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

S/20.40

S/13.51

S/11.02

S/10.43

S/10.24

Envase tipo carrete

S/9.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

323 A

1.57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.09
4,540Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQDH88N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH88N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

4,540Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/17.09

S/11.29

S/9.26

S/8.52

S/7.90

Envase tipo carrete

S/7.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

447 A

860 uOhms

- 10 V, 10 V

1.1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

IQE012N03LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.60
6,000Se espera el 28/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE012N03LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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6,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/11.60

S/5.76

S/5.18

S/4.20

Ver

Envase tipo carrete

S/3.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.66
2,270Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,270Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/13.66

S/8.80

S/6.11

S/5.18

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.04
5,979Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

5,979Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

S/16.04

S/10.51

S/7.40

S/6.19

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
16 A
21 A
40 A
41 A
44 A
46 A
47 A
49 A
69 A
72 A
84 A
85 A
95 A
99 A
100 A
101 A
112 A
120 A
122 A

290 uOhms
350 uOhms
580 uOhms
750 uOhms
800 uOhms
850 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.57 mOhms

10 nC
11 nC
11.1 nC
12.5 nC
15 nC
17 nC
28 nC
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
39 nC
40 nC
43 nC
44 nC
47 nC
48 nC
49 nC
52 nC
53 nC

2.1 W
2.5 W
3.8 W
26 W
27 W
30 W
36 W
37 W
38 W
42 W
69 W
71 W
79 W
89 W
94 W
96 W
100 W
107 W
125 W
136 W