Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.66
2,676En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT054N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT054N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Cinta cortada

S/19.66

S/13.08

S/9.34

S/8.87

Envase tipo carrete

S/7.71

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

143 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

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- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.12
2,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST011N06NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST011N06NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2,869En existencias

Cinta cortada

S/20.12

S/13.43

S/9.58

S/9.15

Envase tipo carrete

S/7.43

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1 Channel

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399 A

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110 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.15
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH68N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH68N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

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Cinta cortada

S/22.15

S/18.61

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S/13.39

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Envase tipo carrete

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273 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.06
3,631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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S/8.06

S/5.18

S/3.48

S/2.77

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
21,438En existencias
15,000Se espera el 24/12/2026

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BSC022N04LS6ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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S/6.73

S/4.59

S/3.20

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.02

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MouseReel Disponible

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100 A

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79 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
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BSC0504NSIATMA1

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726-BSC0504NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/1.87

S/1.76

S/1.39

S/1.38

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
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7,552En existencias
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BSC0901NSATMA1

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726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

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S/4.59

S/1.78

S/1.46

S/1.35

S/1.29

Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
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4,631En existencias
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BSC097N06NSATMA1

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726-BSC097N06NSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

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S/3.48

S/2.32

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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BSZ019N03LSATMA1

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726-BSZ019N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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S/7.59

S/4.83

S/3.28

S/2.60

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1 Channel

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2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.97
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BSZ0506NSATMA1

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726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/3.97

S/2.55

S/1.72

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

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1 Channel

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40 A

4.4 mOhms

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2 V

11 nC

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+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
29,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/4.24

S/2.22

S/1.71

S/1.34

Envase tipo carrete

S/0.965

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

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2 V

17 nC

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+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT008N06NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.04
1,671En existencias
2,000Se espera el 26/02/2026

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IPT008N06NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT008N06NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Cinta cortada

S/29.04

S/19.89

S/15.10

S/13.86

Envase tipo carrete

S/12.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT013N08NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.04
996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT013N08NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT013N08NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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996En existencias

Cinta cortada

S/26.04

S/20.09

S/15.41

S/14.83

Envase tipo carrete

S/12.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

333 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.1 V

158 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.93
3,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT039N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT039N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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3,670En existencias

Cinta cortada

S/22.93

S/15.38

S/11.09

S/10.90

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Envase tipo carrete

S/8.87

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.53
1,781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT063N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT063N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

1,781En existencias

Cinta cortada

S/18.53

S/12.30

S/8.76

S/8.64

S/8.37

Envase tipo carrete

S/6.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

122 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.25
5,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

5,133En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.28

S/5.18

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC010N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.96
3,262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC010N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC010N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3,262En existencias

Cinta cortada

S/18.96

S/12.57

S/8.95

S/8.91

S/8.60

Envase tipo carrete

S/6.85

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

330 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP029N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

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Hoja de datos

400En existencias

S/12.81

S/6.46

S/5.80

S/4.67

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP034N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

141En existencias

S/8.99

S/5.02

S/4.71

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.82
891En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP076N15N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP076N15N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

891En existencias

S/13.82

S/7.01

S/6.34

S/5.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

112 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.61
158En existencias
10,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

158En existencias

10,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/12.61

S/8.21

S/5.72

S/4.87

Ver

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.55
104En existencias
6,000Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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104En existencias

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Cinta cortada

S/13.55

S/8.84

S/6.34

S/5.45

Ver

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.38
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

S/12.38

S/8.06

S/5.61

S/4.75

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Envase tipo carrete

S/3.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.74
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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12,000En pedido

Cinta cortada

S/13.74

S/9.11

S/6.85

S/5.88

Ver

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH61N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.14
2,990Se espera el 5/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQFH61N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH61N06NM5ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

2,990Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/28.14

S/20.82

S/16.85

S/14.99

S/14.52

Envase tipo carrete

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

510 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
16 A
21 A
40 A
41 A
44 A
46 A
47 A
49 A
69 A
72 A
84 A
85 A
95 A
99 A
100 A
101 A
112 A
120 A
122 A

290 uOhms
350 uOhms
580 uOhms
750 uOhms
800 uOhms
850 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.47 mOhms
1.55 mOhms
1.57 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms

10 nC
11 nC
11.1 nC
12.5 nC
15 nC
17 nC
28 nC
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
39 nC
43 nC
44 nC
47 nC
48 nC
49 nC
52 nC
53 nC
55 nC

2.1 W
2.5 W
3.8 W
26 W
27 W
30 W
36 W
37 W
38 W
42 W
69 W
71 W
79 W
89 W
94 W
96 W
100 W
107 W
125 W
136 W