Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Resultados: 85

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.02
7,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

7,719En existencias

Cinta cortada

S/11.02

S/7.12

S/4.90

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.93

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.13
2,776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,776En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.05

S/4.94

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.51
5,268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

5,268En existencias

Cinta cortada

S/13.51

S/8.80

S/6.11

S/5.14

Envase tipo carrete

S/5.14

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.61
1,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1,553En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.17

S/5.68

S/5.49

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.79
2,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

2,778En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/9.69

S/6.77

S/5.53

S/5.14

Envase tipo carrete

S/5.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC025N08NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.01
5,217En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

5,217En existencias

Cinta cortada

S/17.01

S/11.21

S/7.90

S/6.66

S/6.42

Envase tipo carrete

S/6.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

198 A

2.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.03
127,519En existencias
95,000Se espera el 17/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC022N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

127,519En existencias

95,000Se espera el 17/06/2027

Cinta cortada

S/6.03

S/3.80

S/2.53

S/1.98

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT013N08NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/38.42
2,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT013N08NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT013N08NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

2,382En existencias

Cinta cortada

S/38.42

S/26.31

S/19.73

S/18.41

Envase tipo carrete

S/18.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

333 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.1 V

158 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP083N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP083N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

434En existencias

S/12.81

S/6.38

S/5.76

S/4.63

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.03
54En existencias
3,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPTC014N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC014N10NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

54En existencias

3,600En pedido

Cinta cortada

S/25.03

S/16.78

S/12.11

S/11.17

S/10.43

Envase tipo carrete

S/10.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

365 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.83
87En existencias
6,000Se espera el 22/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

87En existencias

6,000Se espera el 22/04/2027

Cinta cortada

S/17.83

S/11.68

S/8.52

S/7.16

Ver

Envase tipo carrete

S/6.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
993En existencias
6,000Se espera el 19/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

993En existencias

6,000Se espera el 19/11/2026

Cinta cortada

S/15.30

S/10.04

S/7.01

S/5.76

S/5.37

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.10
107En existencias
6,000Se espera el 25/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

107En existencias

6,000Se espera el 25/02/2027

Cinta cortada

S/15.10

S/9.89

S/6.93

S/5.68

Ver

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.92
290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH86N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH86N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

290En existencias

Cinta cortada

S/18.92

S/12.49

S/10.47

S/7.67

Envase tipo carrete

S/7.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

394 A

1.47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.18
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH99N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH99N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

300En existencias

Cinta cortada

S/18.18

S/11.99

S/9.11

S/7.28

Envase tipo carrete

S/6.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

339 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.24
350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISG0614N06NM5HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

350En existencias

Cinta cortada

S/20.24

S/13.47

S/9.58

S/8.52

Envase tipo carrete

S/7.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

60 V

233 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.14
16,278En existencias
5,000Se espera el 7/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC0504NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0504NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

16,278En existencias

5,000Se espera el 7/09/2026

Cinta cortada

S/5.14

S/3.16

S/2.08

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

72 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11.1 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
21,060En existencias
20,000Se espera el 10/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ019N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

21,060En existencias

20,000Se espera el 10/06/2027

Cinta cortada

S/8.56

S/4.83

S/3.67

S/2.95

Ver

Envase tipo carrete

S/2.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.57
9,080En existencias
5,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

9,080En existencias

5,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/5.57

S/3.51

S/2.33

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
2,437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5N102ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5N102A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,437En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.67

S/2.43

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5

IAUS300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.90
884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N10S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N10S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5

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S/18.10

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S/11.91

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S/11.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

100 V

360 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.78
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IPT039N15N5ATMA1

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726-IPT039N15N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/13.04

S/12.26

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S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.30
2,640En existencias

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IPT054N15N5ATMA1

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726-IPT054N15N5ATMA1

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S/10.70

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

143 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
2,092En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5CGATMA1

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726-IQE008N03LM5CGAT

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
826En existencias

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IPP029N06NXKSA1

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726-IPP029N06NXKSA1

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S/2.53

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
16 A
21 A
40 A
41 A
44 A
46 A
47 A
49 A
69 A
72 A
84 A
85 A
95 A
99 A
100 A
101 A
112 A
120 A
122 A

290 uOhms
350 uOhms
580 uOhms
750 uOhms
800 uOhms
850 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.57 mOhms

10 nC
11 nC
11.1 nC
12.5 nC
15 nC
17 nC
28 nC
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
39 nC
40 nC
43 nC
44 nC
47 nC
48 nC
49 nC
52 nC
53 nC

2.1 W
2.5 W
3.8 W
26 W
27 W
30 W
36 W
37 W
38 W
42 W
69 W
71 W
79 W
89 W
94 W
96 W
100 W
107 W
125 W
136 W