Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.46
3,601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC012N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC012N06NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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3,601En existencias

Cinta cortada

S/19.46

S/15.57

S/12.61

S/11.21

S/9.58

Envase tipo carrete

S/9.58

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SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

60 V

311 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
2,818En existencias
3,600Se espera el 19/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC014N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC014N10NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

2,818En existencias

3,600Se espera el 19/03/2026

Cinta cortada

S/22.58

S/15.14

S/15.10

S/10.90

Ver

Envase tipo carrete

S/8.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

365 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQD009N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.65
4,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQD009N06NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD009N06NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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4,717En existencias

Cinta cortada

S/15.65

S/11.83

S/10.90

S/9.85

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Envase tipo carrete

S/8.02

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TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

445 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQD016N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.19
3,887En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQD016N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD016N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

S/16.19

S/12.30

S/11.29

S/10.24

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Envase tipo carrete

S/8.10

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SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

323 A

1.57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQD020N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.04
4,353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQD020N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD020N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Cinta cortada

S/16.04

S/11.17

S/9.58

S/9.30

S/8.99

Envase tipo carrete

S/8.02

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

273 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQDH29NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.87
4,903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQDH29NE2LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH29NE2LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Cinta cortada

S/11.87

S/8.17

S/6.93

S/6.70

Ver

Envase tipo carrete

S/6.15

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SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

789 A

290 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQDH35N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.70
2,450En existencias
5,000Se espera el 6/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQDH35N03LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH35N03LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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2,450En existencias

5,000Se espera el 6/08/2026

Cinta cortada

S/16.70

S/10.98

S/8.21

S/7.28

Ver

Envase tipo carrete

S/5.88

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

700 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.38
5,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQDH88N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH88N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Cinta cortada

S/15.38

S/11.64

S/10.70

S/9.65

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Envase tipo carrete

S/8.37

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

447 A

860 uOhms

- 10 V, 10 V

1.1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.20
9,164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Cinta cortada

S/10.20

S/7.12

S/5.02

S/4.13

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.44

MouseReel Disponible

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WHTFN-9

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1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
2,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Cinta cortada

S/11.37

S/7.36

S/5.10

S/4.24

Ver

Envase tipo carrete

S/3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
4,491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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4,491En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/6.07

S/5.06

Ver

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
3,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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3,518En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/8.87

S/8.84

S/6.19

Ver

Envase tipo carrete

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
5,922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

5,922En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/9.03

S/6.31

S/5.49

Ver

Envase tipo carrete

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.14
3,298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

3,298En existencias

Cinta cortada

S/12.14

S/8.21

S/5.84

S/4.98

Ver

Envase tipo carrete

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
2,664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,664En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/9.03

S/6.31

S/5.41

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.97
3,300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,300En existencias

Cinta cortada

S/13.97

S/9.15

S/6.38

S/5.61

Ver

Envase tipo carrete

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC015N06NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.35
6,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC015N06NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC015N06NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

6,780En existencias

Cinta cortada

S/13.35

S/10.08

S/9.93

S/8.10

Ver

Envase tipo carrete

S/6.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

275 A

1.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.45 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC025N08NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.97
3,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,835En existencias

Cinta cortada

S/16.97

S/11.99

S/8.56

S/7.12

S/7.05

Envase tipo carrete

S/6.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

198 A

2.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.54
2,708En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISG0614N06NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,708En existencias

Cinta cortada

S/19.54

S/13.66

S/9.77

S/8.72

Envase tipo carrete

S/7.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

60 V

233 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC007N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.17
2,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC007N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,498En existencias

Cinta cortada

S/27.17

S/18.41

S/13.70

S/12.57

Envase tipo carrete

S/11.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

750 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

209 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

IPP023N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.20
209En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

209En existencias

S/20.20

S/10.39

S/9.54

S/8.06

S/7.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP083N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP083N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

500En existencias

S/9.65

S/4.75

S/4.28

S/3.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.93
290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH86N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH86N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

290En existencias

Cinta cortada

S/19.93

S/16.47

S/13.31

S/11.83

S/10.12

Envase tipo carrete

S/9.15

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

394 A

1.47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.79
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH99N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH99N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

300En existencias

Cinta cortada

S/17.79

S/14.29

S/11.56

S/10.28

S/8.80

Envase tipo carrete

S/7.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

339 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.70
13,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N06S5L050ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N06S5L050A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

13,003En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.32

S/2.88

S/2.30

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
16 A
21 A
40 A
41 A
44 A
46 A
47 A
49 A
69 A
72 A
84 A
85 A
95 A
99 A
100 A
101 A
112 A
120 A
122 A

290 uOhms
350 uOhms
580 uOhms
750 uOhms
800 uOhms
850 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.47 mOhms
1.55 mOhms
1.57 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms

10 nC
11 nC
11.1 nC
12.5 nC
15 nC
17 nC
28 nC
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
39 nC
43 nC
44 nC
47 nC
48 nC
49 nC
52 nC
53 nC
55 nC

2.1 W
2.5 W
3.8 W
26 W
27 W
30 W
36 W
37 W
38 W
42 W
69 W
71 W
79 W
89 W
94 W
96 W
100 W
107 W
125 W
136 W