Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
TB9057FG
Toshiba
1:
S/39.63
1,735 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9057FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
1,735 En existencias
1
S/39.63
10
S/30.95
25
S/28.77
100
S/26.35
250
Ver
250
S/25.22
500
S/24.52
1,000
S/23.98
2,500
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/11.37
2,070 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
2,070 En existencias
1
S/11.37
10
S/7.32
100
S/5.02
500
S/4.09
1,000
S/3.84
2,000
S/3.58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1:
S/11.48
2,193 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
2,193 En existencias
1
S/11.48
10
S/7.43
100
S/5.14
500
S/4.28
1,000
S/4.16
2,000
S/3.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
SSM3K337R,LF
Toshiba
1:
S/2.72
3,536 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
3,536 En existencias
1
S/2.72
10
S/1.69
100
S/1.10
500
S/0.841
3,000
S/0.67
6,000
Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.592
9,000
S/0.557
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/8.10
1,126 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
1,126 En existencias
1
S/8.10
10
S/5.18
100
S/3.49
500
S/2.77
2,000
S/2.34
4,000
Ver
1,000
S/2.54
4,000
S/2.25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/11.48
443 En existencias
2,000 Se espera el 16/10/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
443 En existencias
2,000 Se espera el 16/10/2026
1
S/11.48
10
S/6.85
100
S/5.02
500
S/4.28
1,000
S/4.09
2,000
S/4.01
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
Toshiba
1:
S/2.72
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
1
S/2.72
10
S/1.68
100
S/1.08
500
S/0.821
3,000
S/0.611
6,000
Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.557
9,000
S/0.541
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Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000:
S/2.13
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
No en existencias
2,000
S/2.13
4,000
S/2.02
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Min.: 2,000 Mult.: 2,000
Carrete :2,000
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Perú
