Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
TB9057FG
Toshiba
1:
S/33.71
1,735 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9057FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
1,735 En existencias
1
S/33.71
10
S/26.27
25
S/24.44
100
S/22.42
250
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250
S/21.88
1,000
S/21.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/6.54
1,308 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
1,308 En existencias
1
S/6.54
10
S/4.83
100
S/3.26
500
S/2.58
2,000
S/2.12
4,000
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1,000
S/2.37
4,000
S/1.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
SSM3K337R,LF
Toshiba
1:
S/2.72
9,771 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
9,771 En existencias
1
S/2.72
10
S/1.69
100
S/1.10
500
S/0.841
3,000
S/0.627
6,000
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1,000
S/0.74
6,000
S/0.592
9,000
S/0.545
24,000
S/0.487
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/11.48
573 En existencias
2,000 Se espera el 14/05/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
573 En existencias
2,000 Se espera el 14/05/2026
1
S/11.48
10
S/6.85
100
S/5.02
500
S/4.28
2,000
S/3.74
4,000
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1,000
S/3.97
4,000
S/3.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/10.63
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
100 En existencias
1
S/10.63
10
S/6.89
100
S/4.75
500
S/3.84
1,000
S/3.79
2,000
S/3.13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1:
S/11.33
218 En existencias
2,000 Se espera el 20/02/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
218 En existencias
2,000 Se espera el 20/02/2026
1
S/11.33
10
S/7.40
100
S/5.14
500
S/4.28
2,000
S/3.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
Toshiba
1:
S/2.72
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
1
S/2.72
10
S/1.68
100
S/1.08
500
S/0.821
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S/0.611
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Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.557
9,000
S/0.483
24,000
S/0.471
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000:
S/1.93
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
2,000
S/1.93
4,000
S/1.76
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