Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063

TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/7.55
1,307En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063

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1,307En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.83

S/3.26

S/2.59

S/2.37

Envase tipo carrete

S/2.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

6.3 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: S/2.72
9,271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K337R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

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9,271En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/1.69

S/1.10

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/11.48
563En existencias
2,000Se espera el 6/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

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563En existencias

2,000Se espera el 6/03/2026

Cinta cortada

S/11.48

S/6.85

S/5.02

S/4.28

S/4.09

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

11.2 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1: S/10.63
100En existencias
2,000Se espera el 7/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK65S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

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2,000Se espera el 7/07/2026

Cinta cortada

S/10.63

S/6.89

S/4.75

S/3.84

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

65 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK

TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1: S/11.48
218En existencias
2,000Se espera el 6/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK90S06N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK

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Cinta cortada

S/11.48

S/7.43

S/5.14

S/4.28

S/4.09

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: S/2.72
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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Cinta cortada

S/2.72

S/1.68

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.611

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

34 V

2 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000: S/2.02
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TJ80S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

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S/2.02

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.2 mOhms

100 W

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel

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