MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC ™ de Infineon aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de potencia.Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC de Infineon ofrecen ventajas para varias aplicaciones de semiconductores de potencia como sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos CC, controladores de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 reduce la pérdida de energía hasta un 10 % en comparación con las generaciones anteriores, a la vez que permite una mayor capacidad de carga sin afectar los factores de forma.

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Resultados: 53

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R007M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/110.90
258En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R007M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R007M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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258En existencias

Cinta cortada

S/110.90

S/92.68

S/81.08

Envase tipo carrete

S/81.08

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

196 A

8.5 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

179 nC

- 55 C

+ 175 C

937 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/62.82
447En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R015M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R015M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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447En existencias

Cinta cortada

S/62.82

S/48.62

S/42.04

Envase tipo carrete

S/42.00

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

94 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

499 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/51.96
624En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R020M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R020M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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624En existencias

Cinta cortada

S/51.96

S/38.81

S/33.59

S/31.80

Envase tipo carrete

S/26.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

97 A

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

394 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/43.40
1,048En existencias
1,800Se espera el 20/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R026M2HXTMA1

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726-IMLT65R026M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

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1,048En existencias

1,800Se espera el 20/02/2026

Cinta cortada

S/43.40

S/33.94

S/28.30

S/25.22

S/21.41

Envase tipo carrete

S/21.37

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

82 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/37.25
1,676En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

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Cinta cortada

S/37.25

S/27.71

S/23.08

S/20.59

S/18.33

Envase tipo carrete

S/18.29

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.05
1,627En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R040M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/30.05

S/20.51

S/15.69

S/12.85

Envase tipo carrete

S/12.81

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

40 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.73
1,783En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R060M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,783En existencias

Cinta cortada

S/22.73

S/17.17

S/13.90

S/12.34

S/10.98

Envase tipo carrete

S/10.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

60 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/49.05
682En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R020M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R020M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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682En existencias

Cinta cortada

S/49.05

S/36.63

S/31.68

S/30.01

S/29.97

Envase tipo carrete

S/25.42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R026M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/43.75
1,960En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R026M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R026M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,960En existencias

Cinta cortada

S/43.75

S/34.25

S/28.53

S/25.46

S/25.42

Envase tipo carrete

S/21.56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

81 A

33 mOhms

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R040M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/30.32
1,868En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R040M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R040M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,868En existencias

Cinta cortada

S/30.32

S/21.41

S/17.83

S/16.04

Envase tipo carrete

S/13.58

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

58.7 A

49 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

277 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMW65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/84.58
348En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R010M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R010M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

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Hoja de datos

348En existencias

S/84.58

S/72.13

S/62.40

S/62.36

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

130 A

13.1 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/65.20
480En existencias
240Se espera el 18/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R015M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R015M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

480En existencias

240Se espera el 18/06/2026

S/65.20

S/52.20

S/45.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

93 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R020M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/53.68
122En existencias
240Se espera el 20/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R020M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R020M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

122En existencias

240Se espera el 20/08/2026

S/53.68

S/32.74

S/28.77

S/28.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

83 A

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

273 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMW65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.37
380En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R026M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

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Hoja de datos

380En existencias

S/47.37

S/38.57

S/32.15

S/28.61

S/24.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R050M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.79
394En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R050M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R050M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

394En existencias

S/30.79

S/17.91

S/15.10

S/13.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

153 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMZA65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/82.83
243En existencias
480Se espera el 16/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R010M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R010M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

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Hoja de datos

243En existencias

480Se espera el 16/02/2026

S/82.83

S/52.47

S/49.51

S/49.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

144 A

13.1 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/64.73
1,063En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R015M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R015M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,063En existencias

S/64.73

S/40.13

S/36.12

S/36.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

103 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R050M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.84
361En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R050M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R050M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

361En existencias

S/31.84

S/18.61

S/15.69

S/14.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

153 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/62.90
136En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R015M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R015M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

136En existencias

Cinta cortada

S/62.90

S/44.49

S/40.95

Envase tipo carrete

S/33.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

115 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

416 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

IMW65R060M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.69
262En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R060M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R060M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

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Hoja de datos

262En existencias

S/28.69

S/20.24

S/16.89

S/15.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32.8 A

73 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

IMZA65R060M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.97
299En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R060M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R060M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

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Hoja de datos

299En existencias

S/29.97

S/21.18

S/17.63

S/15.69

S/13.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

32.8 A

73 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.45
343En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R040M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

343En existencias

Cinta cortada

S/28.45

S/20.09

S/16.74

S/15.03

Envase tipo carrete

S/12.73

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R050M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.21
333En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R050M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R050M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

333En existencias

Cinta cortada

S/24.21

S/18.57

S/15.03

S/13.35

S/12.92

Envase tipo carrete

S/10.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

50 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.93
276En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R060M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

276En existencias

Cinta cortada

S/22.93

S/16.04

S/12.96

S/11.52

S/11.37

Envase tipo carrete

S/9.61

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/59.94
1,996Se espera el 3/02/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R015M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R015M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,996Se espera el 3/02/2027

Cinta cortada

S/59.94

S/46.40

S/42.86

Envase tipo carrete

S/37.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

131 A

18 mOhms

- 7 V to 23 V

4.5 V

148 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W