MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Resultados: 53

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

IMW65R060M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.51
40En existencias
720En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R060M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R060M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

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40En existencias

720En pedido

S/29.51

S/18.29

S/15.34

S/14.25

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32.8 A

73 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMZA65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/88.87
10En existencias
720En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R010M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R010M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

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720En pedido

S/88.87

S/58.31

S/57.06

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

144 A

13.1 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

112 nC

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+ 175 C

440 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.24
1,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R015M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R015M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,127En existencias

Cinta cortada

S/65.24

S/46.09

S/39.35

S/39.31

Envase tipo carrete

S/36.75

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

115 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

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+ 175 C

416 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/63.45
1,295En existencias
1,800Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R015M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R015M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,295En existencias

1,800Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/63.45

S/46.28

S/38.26

S/38.22

S/35.69

Envase tipo carrete

S/35.69

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

15 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/52.63
1,756En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R020M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R020M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,756En existencias

Cinta cortada

S/52.63

S/36.71

S/29.78

S/29.19

Envase tipo carrete

S/27.79

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SMD/SMT

TOLT-16

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1 Channel

650 V

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
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1,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R040M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,267En existencias

Cinta cortada

S/32.66

S/20.86

S/16.31

S/15.69

S/15.41

Envase tipo carrete

S/14.64

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SMD/SMT

TOLT-16

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650 V

40 mOhms

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CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R050M2HXTMA1
Infineon Technologies
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1,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R050M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R050M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,771En existencias

Cinta cortada

S/28.38

S/19.15

S/13.90

S/13.20

S/12.34

Envase tipo carrete

S/12.34

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TOLT-16

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1 Channel

650 V

50 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.26
1,763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R060M2HXTM

Infineon Technologies

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1,763En existencias

Cinta cortada

S/25.26

S/16.97

S/12.22

S/11.33

S/10.78

Envase tipo carrete

S/10.59

Min.: 1
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: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

60 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/64.11
590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R015M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R015M2HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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590En existencias

S/64.11

S/43.36

S/39.16

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

650 V

93 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/70.34
Plazo de entrega 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R015M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Plazo de entrega 52 Semanas

S/70.34

S/44.14

S/41.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

103 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R050M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.05
303En existencias
Nuevo producto

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IMTA65R050M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R050M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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303En existencias

Cinta cortada

S/27.05

S/17.44

S/13.51

S/12.38

Envase tipo carrete

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

50 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.76
146En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R060M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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146En existencias

Cinta cortada

S/24.76

S/16.15

S/11.95

S/11.02

S/10.63

Envase tipo carrete

S/10.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.51
246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R040M2HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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246En existencias

S/33.51

S/19.66

S/17.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

49 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R050M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.88
35En existencias
720Se espera el 17/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R050M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R050M2HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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35En existencias

720Se espera el 17/05/2027

S/31.88

S/20.09

S/16.93

S/14.56

S/13.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

153 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/133.24
7En existencias
960En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R007M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R007M2HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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7En existencias

960En pedido

S/133.24

S/106.65

S/92.25

S/87.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

210 A

8.5 mOhms

- 18 V, + 18 V

5.6 V

439 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R050M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.62
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R050M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R050M2HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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251En existencias

S/32.62

S/20.59

S/17.36

S/16.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

153 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.04
5En existencias
2,000Se espera el 29/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R040M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

5En existencias

2,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/32.04

S/20.32

S/16.31

S/14.99

Envase tipo carrete

S/13.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.22
25En existencias
480En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R075M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R075M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

25En existencias

480En pedido

S/28.22

S/17.67

S/14.44

S/12.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26.6 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMZA65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/49.08
11En existencias
720En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R026M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

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Hoja de datos

11En existencias

720En pedido

S/49.08

S/34.53

S/29.97

S/28.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

IMZA65R060M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.77
33En existencias
240En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R060M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R060M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

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Hoja de datos

33En existencias

240En pedido

S/28.77

S/20.28

S/15.73

S/14.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

32.8 A

73 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R007M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/118.41
1,450En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R007M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R007M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,450En pedido

Cinta cortada

S/118.41

S/91.47

S/84.04

S/76.14

Envase tipo carrete

S/76.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

196 A

8.5 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

179 nC

- 55 C

+ 175 C

937 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/59.63
4,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R015M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R015M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

4,000En pedido

Cinta cortada

S/59.63

S/46.09

S/39.35

S/37.91

Envase tipo carrete

S/36.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

131 A

18 mOhms

- 7 V to 23 V

4.5 V

148 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/50.80
2,000Se espera el 1/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R020M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R020M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000Se espera el 1/06/2026

Cinta cortada

S/50.80

S/36.75

S/29.82

Envase tipo carrete

S/27.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R040M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/33.05
3,972Se espera el 28/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R040M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R040M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

3,972Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/33.05

S/22.46

S/17.05

S/16.15

Envase tipo carrete

S/15.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

58.7 A

49 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

277 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.56
15,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R040M2HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

15,600En pedido

S/37.56

S/22.97

S/20.55

S/18.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

49 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

CoolSiC

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