MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC ™ de Infineon aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de potencia.Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC de Infineon ofrecen ventajas para varias aplicaciones de semiconductores de potencia como sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos CC, controladores de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 reduce la pérdida de energía hasta un 10 % en comparación con las generaciones anteriores, a la vez que permite una mayor capacidad de carga sin afectar los factores de forma.

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Resultados: 53

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.39
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IMBG65R075M2HXTMA1

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/29.39

S/19.15

S/13.74

S/12.14

Envase tipo carrete

S/11.21

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

+ 175 C

124 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.81
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726-IMLT65R075M2HXTM

Nuevo producto

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Cinta cortada

S/25.81

S/16.74

S/11.91

S/10.55

Envase tipo carrete

S/8.84

Ver

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: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

650 V

34.7 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

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+ 175 C

187 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.47
851En existencias
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IMT65R075M2HXUMA1

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726-IMT65R075M2HXUMA

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

851En existencias

Cinta cortada

S/26.47

S/17.20

S/12.26

S/10.82

Envase tipo carrete

S/9.11

Ver

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TOLL-8

650 V

75 mOhms

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
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591En existencias
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IMTA65R075M2HXTMA1

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/24.25

S/15.69

S/11.13

S/10.12

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S/8.33

Ver

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: 2,000

SMD/SMT

LHSOF-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

5.6 V

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+ 175 C

141 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.65
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IMZA65R075M2HXKSA1

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726-IMZA65R075M2HXKS

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S/31.65

S/19.62

S/15.76

S/13.97

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TO-247-4

N-Channel

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650 V

26.6 A

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5.6 V

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111 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/96.42
256En existencias
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IMBG65R010M2HXTMA1

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726-IMBG65R010M2HXTM

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S/96.42

S/69.29

S/62.47

S/61.54

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S/51.81

Ver

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

158 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
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950En existencias
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IMBG65R026M2HXTMA1

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726-IMBG65R026M2HXTM

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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S/55.78

S/40.25

S/32.04

S/29.15

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S/24.60

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

33 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/45.39
280En existencias
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IMBG65R033M2HXTMA1

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726-IMBG65R033M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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280En existencias

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S/45.39

S/32.50

S/27.75

S/25.85

Envase tipo carrete

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/110.27
375En existencias
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IMDQ65R010M2HXUMA1

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/110.27

S/83.03

S/74.15

S/71.58

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S/71.58

MouseReel Disponible

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HDSOP-22

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1 Channel

650 V

154 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

651 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/71.47
911En existencias
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IMDQ65R015M2HXUMA1

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726-IMDQ65R015M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/71.47

S/52.98

S/48.38

S/40.44

Envase tipo carrete

S/39.82

Ver

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SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

94 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

499 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/58.27
499En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R020M2HXUMA1

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726-IMDQ65R020M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/58.27

S/43.17

S/37.76

S/32.66

Envase tipo carrete

S/32.15

Ver

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: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

97 A

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

394 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.57
1,059En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

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1,059En existencias

Cinta cortada

S/44.57

S/29.51

S/23.82

S/21.72

Ver

Envase tipo carrete

S/19.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/91.51
921En existencias
2,000Se espera el 30/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R010M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R010M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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921En existencias

2,000Se espera el 30/07/2026

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S/91.51

S/66.29

S/56.87

S/55.62

Ver

Envase tipo carrete

S/48.27

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

168 A

13.1 mOhms

- 7V, + 23 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

681 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/59.75
1,940En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R020M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R020M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/59.75

S/43.67

S/34.84

S/31.92

Ver

Envase tipo carrete

S/26.86

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R033M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/45.08
2,430En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R033M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R033M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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2,430En existencias

Cinta cortada

S/45.08

S/30.24

S/25.50

S/22.81

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Envase tipo carrete

S/20.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/34.22
900En existencias
2,000Se espera el 16/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R060M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R060M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

900En existencias

2,000Se espera el 16/07/2026

Cinta cortada

S/34.22

S/23.08

S/16.78

S/14.09

Envase tipo carrete

S/11.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

41.4 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.41
1,968En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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1,968En existencias

Cinta cortada

S/44.41

S/30.40

S/26.16

S/24.48

Ver

Envase tipo carrete

S/21.68

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

79 A

33 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/41.42
1,712En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

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Hoja de datos

1,712En existencias

Cinta cortada

S/41.42

S/27.13

S/20.94

S/19.46

S/19.03

Envase tipo carrete

S/16.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMW65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/92.99
259En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R010M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R010M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

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259En existencias

S/92.99

S/71.12

S/66.91

S/58.82

Ver

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

130 A

13.1 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMW65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/58.27
558En existencias
240En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R026M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

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558En existencias

240En pedido

S/58.27

S/38.81

S/32.85

S/30.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/58.19
9,343En existencias
2,000Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R020M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R020M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

9,343En existencias

2,000Se espera el 15/07/2026

Cinta cortada

S/58.19

S/42.04

S/33.51

S/30.60

Ver

Envase tipo carrete

S/28.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.27
416En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R060M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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416En existencias

Cinta cortada

S/32.27

S/20.67

S/17.24

S/15.61

Envase tipo carrete

S/12.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

34.9 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R026M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/61.03
24En existencias
2,000Se espera el 17/06/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R026M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R026M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

24En existencias

2,000Se espera el 17/06/2027

Cinta cortada

S/61.03

S/42.58

S/29.70

Envase tipo carrete

S/25.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

81 A

33 mOhms

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R050M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/28.73
219En existencias
4,000Se espera el 6/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R050M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R050M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

219En existencias

4,000Se espera el 6/08/2026

Cinta cortada

S/28.73

S/20.40

S/17.67

S/15.61

S/14.09

Envase tipo carrete

S/14.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

48.1 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

IMW65R033M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/49.75
237En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R033M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R033M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

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Hoja de datos

237En existencias

S/49.75

S/31.72

S/28.65

S/24.60

S/22.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W