MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC ™ de Infineon aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de potencia.Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC de Infineon ofrecen ventajas para varias aplicaciones de semiconductores de potencia como sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos CC, controladores de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 reduce la pérdida de energía hasta un 10 % en comparación con las generaciones anteriores, a la vez que permite una mayor capacidad de carga sin afectar los factores de forma.

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Resultados: 53

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/58.66
1,930En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R020M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R020M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,930En existencias

Cinta cortada

S/58.66

S/41.18

S/34.29

S/32.00

Envase tipo carrete

S/32.00

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/96.11
256En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R010M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R010M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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256En existencias

Cinta cortada

S/96.11

S/66.68

S/64.62

S/64.58

Envase tipo carrete

S/61.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

158 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.73
938En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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938En existencias

Cinta cortada

S/54.73

S/38.26

S/31.33

Envase tipo carrete

S/29.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

68 A

33 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/45.70
280En existencias
Nuevo producto

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IMBG65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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280En existencias

Cinta cortada

S/45.70

S/33.36

S/29.19

S/26.86

Envase tipo carrete

S/24.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

58 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.26
416En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R060M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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416En existencias

Cinta cortada

S/31.26

S/17.32

S/16.89

S/16.15

Envase tipo carrete

S/14.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

34.9 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.38
798En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R075M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R075M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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798En existencias

Cinta cortada

S/28.38

S/19.15

S/13.90

S/13.20

Envase tipo carrete

S/12.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

650 V

28 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

+ 175 C

124 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/67.42
901En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R015M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R015M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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901En existencias

Cinta cortada

S/67.42

S/50.06

S/46.52

Envase tipo carrete

S/43.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

94 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

499 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/64.27
499En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R020M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R020M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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499En existencias

Cinta cortada

S/64.27

S/38.61

S/36.51

Envase tipo carrete

S/36.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

97 A

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

394 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.34
909En existencias
1,800Se espera el 5/11/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

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909En existencias

1,800Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

S/44.34

S/24.80

S/23.82

S/22.54

Envase tipo carrete

S/22.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.50
846En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R075M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R075M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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846En existencias

Cinta cortada

S/25.50

S/13.51

S/12.34

S/10.82

Envase tipo carrete

S/10.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

1 Channel

650 V

34.7 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/93.11
835En existencias
2,000Se espera el 4/03/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R010M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R010M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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835En existencias

2,000Se espera el 4/03/2027

Cinta cortada

S/93.11

S/67.15

S/62.05

S/57.96

Envase tipo carrete

S/57.96

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

168 A

13.1 mOhms

- 7V, + 23 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

681 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R033M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/45.35
2,301En existencias
2,000Se espera el 5/08/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R033M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R033M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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2,301En existencias

2,000Se espera el 5/08/2027

Cinta cortada

S/45.35

S/31.37

S/24.52

S/22.89

Envase tipo carrete

S/22.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/28.69
870En existencias
2,000Se espera el 11/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R060M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R060M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

870En existencias

2,000Se espera el 11/09/2026

Cinta cortada

S/28.69

S/19.38

S/14.09

S/13.39

S/12.53

Envase tipo carrete

S/12.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

41.4 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.04
911En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R075M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R075M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

911En existencias

Cinta cortada

S/26.04

S/13.86

S/12.65

S/11.13

Envase tipo carrete

S/11.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

TOLL-8

650 V

75 mOhms

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/48.46
1,968En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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Hoja de datos

1,968En existencias

Cinta cortada

S/48.46

S/32.85

S/30.09

S/26.82

S/25.03

Envase tipo carrete

S/25.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

650 V

79 A

33 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.16
1,700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

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Hoja de datos

1,700En existencias

Cinta cortada

S/42.16

S/29.04

S/24.99

S/22.73

Envase tipo carrete

S/20.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMW65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/100.31
259En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R010M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R010M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

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Hoja de datos

259En existencias

S/100.31

S/64.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

130 A

13.1 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMW65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/58.00
538En existencias
240Se espera el 10/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R026M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

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Hoja de datos

538En existencias

240Se espera el 10/09/2026

S/58.00

S/32.62

S/31.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

IMW65R060M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.11
992En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R060M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R060M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

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Hoja de datos

992En existencias

S/35.11

S/20.51

S/17.28

S/17.24

S/16.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

32.8 A

73 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/56.79
10,336En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R020M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R020M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

10,336En existencias

Cinta cortada

S/56.79

S/39.78

S/32.89

S/30.71

Envase tipo carrete

S/30.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/136.35
1,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R007M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R007M2HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,004En existencias

S/136.35

S/93.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

210 A

8.5 mOhms

- 18 V, + 18 V

5.6 V

439 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/101.87
9En existencias
2,250En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R010M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R010M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

9En existencias

2,250En pedido

Cinta cortada

S/101.87

S/73.57

S/67.69

S/63.21

Envase tipo carrete

S/63.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

154 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

651 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R026M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/52.28
21En existencias
2,000Se espera el 15/07/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R026M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R026M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

21En existencias

2,000Se espera el 15/07/2027

Cinta cortada

S/52.28

S/36.43

S/29.51

Envase tipo carrete

S/27.56

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

81 A

33 mOhms

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R050M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/28.92
39En existencias
4,000Se espera el 4/03/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R050M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R050M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

39En existencias

4,000Se espera el 4/03/2027

Cinta cortada

S/28.92

S/20.44

S/16.97

S/15.65

S/14.60

Envase tipo carrete

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

48.1 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

IMW65R033M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.29
203En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R033M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R033M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

203En existencias

S/50.29

S/30.24

S/26.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

53 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W