MOSFETs de SiC – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC ™ de Infineon aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de potencia.Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC de Infineon ofrecen ventajas para varias aplicaciones de semiconductores de potencia como sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos CC, controladores de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 reduce la pérdida de energía hasta un 10 % en comparación con las generaciones anteriores, a la vez que permite una mayor capacidad de carga sin afectar los factores de forma.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 53

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.37
723En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R075M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R075M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

723En existencias

Cinta cortada

S/24.37

S/16.35

S/11.79

S/11.33

Envase tipo carrete

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

+ 175 C

124 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.88
709En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R075M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R075M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

709En existencias

Cinta cortada

S/21.88

S/14.91

S/10.67

S/9.46

S/9.42

Envase tipo carrete

S/9.42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

650 V

34.7 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.52
798En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R075M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R075M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

798En existencias

Cinta cortada

S/24.52

S/16.35

S/12.11

S/10.47

S/9.50

Envase tipo carrete

S/9.50

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

TOLL-8

650 V

75 mOhms

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.18
676En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R075M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R075M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

676En existencias

Cinta cortada

S/21.18

S/14.13

S/10.12

S/9.77

S/8.80

Envase tipo carrete

S/8.80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

LHSOF-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

141 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.04
86En existencias
240En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R075M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R075M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

86En existencias

240En pedido

S/26.04

S/15.18

S/12.69

S/11.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26.6 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.33
218En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R075M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R075M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

218En existencias

S/27.33

S/15.69

S/13.12

S/12.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

26.6 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/85.36
1,915En existencias
750Se espera el 23/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R010M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R010M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,915En existencias

750Se espera el 23/04/2026

Cinta cortada

S/85.36

S/63.80

S/56.83

S/55.90

Envase tipo carrete

S/55.90

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

154 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

651 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

IMZA65R033M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.06
6,405En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R033M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R033M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

6,405En existencias

S/50.06

S/28.34

S/23.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/78.55
1,748En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R010M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R010M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,748En existencias

Cinta cortada

S/78.55

S/57.84

S/54.11

S/54.07

Envase tipo carrete

S/50.52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

168 A

13.1 mOhms

- 7V, + 23 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

681 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/47.61
980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Obtenga más información

Hoja de datos

980En existencias

Cinta cortada

S/47.61

S/35.15

S/30.95

S/29.51

Envase tipo carrete

S/25.11

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

33 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/57.30
309En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R015M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R015M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

309En existencias

Cinta cortada

S/57.30

S/41.88

S/38.77

S/37.41

Envase tipo carrete

S/37.17

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

94 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

499 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/45.39
590En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R020M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R020M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

590En existencias

Cinta cortada

S/45.39

S/32.70

S/29.70

Envase tipo carrete

S/29.70

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

97 A

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

394 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/64.97
1,487En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R015M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R015M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,487En existencias

Cinta cortada

S/64.97

S/45.39

S/37.76

S/37.72

S/37.02

Envase tipo carrete

S/35.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

15 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/51.38
1,818En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R020M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R020M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,818En existencias

Cinta cortada

S/51.38

S/35.85

S/29.78

S/27.79

Envase tipo carrete

S/27.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.14
1,048En existencias
1,800En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

Obtenga más información

Hoja de datos

1,048En existencias

1,800En pedido

Cinta cortada

S/44.14

S/30.28

S/25.22

S/23.55

Envase tipo carrete

S/23.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

82 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/40.79
1,664En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

Obtenga más información

Hoja de datos

1,664En existencias

Cinta cortada

S/40.79

S/26.86

S/20.79

S/20.59

S/20.20

Envase tipo carrete

S/19.23

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/33.20
1,307En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R040M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,307En existencias

Cinta cortada

S/33.20

S/21.29

S/16.39

S/15.69

S/15.14

Envase tipo carrete

S/14.67

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

40 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R050M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.03
1,785En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R050M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R050M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,785En existencias

Cinta cortada

S/28.03

S/18.92

S/13.90

S/13.43

S/12.92

Envase tipo carrete

S/12.53

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

50 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.83
1,773En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R060M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,773En existencias

Cinta cortada

S/24.83

S/17.01

S/12.30

S/11.72

S/11.29

Envase tipo carrete

S/10.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

60 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R026M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/43.99
1,900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R026M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R026M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,900En existencias

Cinta cortada

S/43.99

S/29.74

S/24.83

S/24.80

S/24.52

Envase tipo carrete

S/23.74

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

81 A

33 mOhms

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R033M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/36.71
1,738En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R033M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R033M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,738En existencias

Cinta cortada

S/36.71

S/24.60

S/20.86

S/20.79

S/20.09

Envase tipo carrete

S/19.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R040M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/29.93
1,748En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R040M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R040M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,748En existencias

Cinta cortada

S/29.93

S/20.05

S/15.57

S/15.14

S/14.83

Envase tipo carrete

S/14.83

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

58.7 A

49 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

277 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R050M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/25.77
1,972En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R050M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R050M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,972En existencias

Cinta cortada

S/25.77

S/18.18

S/15.73

S/14.36

S/12.73

Envase tipo carrete

S/12.73

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

48.1 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/25.18
1,349En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R060M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R060M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,349En existencias

Cinta cortada

S/25.18

S/17.20

S/12.46

S/11.91

S/11.56

Envase tipo carrete

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

41.4 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/49.28
1,850En existencias
2,000Se espera el 16/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R020M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R020M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,850En existencias

2,000Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

S/49.28

S/34.41

S/28.96

S/28.49

Envase tipo carrete

S/27.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W