MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Resultados: 53

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Infineon Technologies
1: S/50.49
630En existencias
10,000En pedido
Nuevo producto

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IMTA65R020M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R020M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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630En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/50.49

S/38.50

S/32.07

S/29.08

S/28.61

Envase tipo carrete

S/26.70

MouseReel Disponible

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: 2,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/25.26
869En existencias
Nuevo producto

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IMT65R075M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R075M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

869En existencias

Cinta cortada

S/25.26

S/16.54

S/12.18

S/10.82

S/9.58

Envase tipo carrete

S/9.58

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TOLL-8

650 V

75 mOhms

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.53
813En existencias
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IMBG65R075M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R075M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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813En existencias

Cinta cortada

S/25.53

S/17.17

S/12.38

S/11.48

Envase tipo carrete

S/10.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

+ 175 C

124 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.97
780En existencias
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IMLT65R075M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R075M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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780En existencias

Cinta cortada

S/22.97

S/15.34

S/11.02

S/9.30

Envase tipo carrete

S/9.30

Min.: 1
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: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

650 V

34.7 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.88
643En existencias
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IMTA65R075M2HXTMA1

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726-IMTA65R075M2HXTM

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/21.88

S/14.56

S/10.39

S/9.85

S/8.72

Envase tipo carrete

S/8.72

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

LHSOF-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

141 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.49
218En existencias
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IMZA65R075M2HXKSA1

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726-IMZA65R075M2HXKS

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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218En existencias

S/28.49

S/16.35

S/13.66

S/12.42

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Through Hole

TO-247-4

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650 V

26.6 A

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5.6 V

14.9 nC

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+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/82.09
1,612En existencias
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IMT65R010M2HXUMA1

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726-IMT65R010M2HXUMA

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Cinta cortada

S/82.09

S/59.71

S/54.65

Envase tipo carrete

S/50.41

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

168 A

13.1 mOhms

- 7V, + 23 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

681 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R033M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/40.68
2,918En existencias
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IMT65R033M2HXUMA1

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726-IMT65R033M2HXUMA

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/40.68

S/27.91

S/21.33

S/19.93

Envase tipo carrete

S/19.93

Min.: 1
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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

IMZA65R033M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/45.35
6,319En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R033M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R033M2HXKS

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

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6,319En existencias

S/45.35

S/30.36

S/26.74

S/24.60

S/23.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/88.59
256En existencias
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IMBG65R010M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R010M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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256En existencias

Cinta cortada

S/88.59

S/65.39

S/59.32

S/58.08

Envase tipo carrete

S/52.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

158 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/46.87
950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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950En existencias

Cinta cortada

S/46.87

S/34.18

S/27.25

Envase tipo carrete

S/25.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

33 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/40.99
280En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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Hoja de datos

280En existencias

Cinta cortada

S/40.99

S/29.78

S/26.08

S/24.76

Envase tipo carrete

S/21.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/59.32
259En existencias
750Se espera el 28/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R015M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R015M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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259En existencias

750Se espera el 28/05/2026

Cinta cortada

S/59.32

S/43.83

S/40.44

S/37.76

Envase tipo carrete

S/37.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

94 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

499 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/50.06
558En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R020M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R020M2HXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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558En existencias

Cinta cortada

S/50.06

S/36.71

S/33.55

Envase tipo carrete

S/31.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

97 A

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

394 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.26
796En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

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796En pedido

Cinta cortada

S/44.26

S/31.80

S/24.95

S/23.28

Envase tipo carrete

S/23.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

82 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.31
1,664En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

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Hoja de datos

1,664En existencias

Cinta cortada

S/39.31

S/26.47

S/20.71

S/19.35

Envase tipo carrete

S/19.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R026M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/45.46
1,900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R026M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R026M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,900En existencias

Cinta cortada

S/45.46

S/31.22

S/25.65

S/24.83

S/23.98

Envase tipo carrete

S/23.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

81 A

33 mOhms

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R050M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/25.77
1,912En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R050M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R050M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,912En existencias

Cinta cortada

S/25.77

S/18.18

S/15.73

S/14.36

S/12.69

Envase tipo carrete

S/12.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

48.1 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/25.85
1,349En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R060M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R060M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,349En existencias

Cinta cortada

S/25.85

S/18.80

S/13.86

S/12.30

S/11.91

Envase tipo carrete

S/10.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

41.4 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.10
1,970En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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1,970En existencias

Cinta cortada

S/44.10

S/29.66

S/26.16

S/23.78

Envase tipo carrete

S/21.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

79 A

33 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/37.84
1,716En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

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Hoja de datos

1,716En existencias

Cinta cortada

S/37.84

S/25.07

S/19.38

S/18.10

Envase tipo carrete

S/18.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMW65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/89.88
276En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R010M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R010M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

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Hoja de datos

276En existencias

S/89.88

S/65.36

S/60.29

S/55.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

130 A

13.1 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.14
446En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R060M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Obtenga más información

Hoja de datos

446En existencias

Cinta cortada

S/28.14

S/18.49

S/15.76

S/14.21

Envase tipo carrete

S/12.26

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

34.9 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/88.40
11En existencias
2,250En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ65R010M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R010M2HXUM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

11En existencias

2,250En pedido

Cinta cortada

S/88.40

S/65.59

S/59.91

S/54.22

Envase tipo carrete

S/54.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

154 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

651 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMW65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/52.08
120En existencias
480Se espera el 11/06/2026
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IMW65R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R026M2HXKSA

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

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120En existencias

480Se espera el 11/06/2026

S/52.08

S/34.14

S/29.58

S/27.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W