MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC ™ de Infineon aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de potencia.Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC de Infineon ofrecen ventajas para varias aplicaciones de semiconductores de potencia como sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos CC, controladores de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 reduce la pérdida de energía hasta un 10 % en comparación con las generaciones anteriores, a la vez que permite una mayor capacidad de carga sin afectar los factores de forma.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/80.22
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IMDQ65R010M2HXUMA1

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726-IMDQ65R010M2HXUM

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/80.22

S/68.43

S/59.20

Envase tipo carrete

S/59.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

154 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

651 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.78
731En existencias
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IMBG65R075M2HXTMA1

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726-IMBG65R075M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

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731En existencias

Cinta cortada

S/23.78

S/16.62

S/13.47

S/12.03

Envase tipo carrete

S/10.20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

+ 175 C

124 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.16
725En existencias
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IMLT65R075M2HXTMA1

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726-IMLT65R075M2HXTM

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/20.16

S/14.79

S/11.95

S/10.63

S/9.11

Envase tipo carrete

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

650 V

34.7 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/23.51
800En existencias
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726-IMT65R075M2HXUMA

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

800En existencias

Cinta cortada

S/23.51

S/16.43

S/13.27

S/11.79

Ver

Envase tipo carrete

S/10.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

TOLL-8

650 V

75 mOhms

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.55
737En existencias
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IMTA65R075M2HXTMA1

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726-IMTA65R075M2HXTM

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Cinta cortada

S/20.55

S/13.74

S/9.77

S/8.10

S/7.67

Envase tipo carrete

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

LHSOF-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

141 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.00
155En existencias
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IMTA65R026M2HXTMA1

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726-IMTA65R026M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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Cinta cortada

S/42.00

S/32.89

S/27.40

S/24.41

Envase tipo carrete

S/20.71

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

79 A

33 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.85
145En existencias
2,000Se espera el 16/02/2026
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726-IMTA65R033M2HXTM

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

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Cinta cortada

S/35.85

S/26.66

S/22.23

S/19.93

Envase tipo carrete

S/16.89

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.25
86En existencias
240Se espera el 9/07/2026
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IMW65R075M2HXKSA1

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86En existencias

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S/24.25

S/18.57

S/15.03

S/13.35

S/11.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26.6 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.47
218En existencias
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IMZA65R075M2HXKSA1

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S/26.47

S/19.35

S/15.65

S/13.90

S/11.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

26.6 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/59.56
2,073En existencias
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IMLT65R015M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R015M2HXTM

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Cinta cortada

S/59.56

S/46.09

S/39.86

S/39.51

Envase tipo carrete

S/39.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

15 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/77.50
1,914En existencias
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IMT65R010M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R010M2HXUMA

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Cinta cortada

S/77.50

S/66.09

S/59.91

Envase tipo carrete

S/54.69

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

168 A

13.1 mOhms

- 7V, + 23 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

681 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R050M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/27.29
1,992En existencias
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IMT65R050M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R050M2HXUMA

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/27.29

S/19.97

S/16.15

S/14.36

S/13.94

Envase tipo carrete

S/11.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

48.1 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.07
5,088En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R040M2HXKS

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S/35.07

S/20.63

S/17.48

S/16.31

S/16.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

49 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/49.24
1,845En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R020M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R020M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/49.24

S/40.09

S/33.40

S/29.78

S/25.26

Envase tipo carrete

S/25.26

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R050M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.90
1,853En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT65R050M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT65R050M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,853En existencias

Cinta cortada

S/26.90

S/19.70

S/15.92

S/14.17

S/12.53

Envase tipo carrete

S/12.49

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

50 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R033M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/37.60
1,756En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R033M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R033M2HXUMA

Nuevo producto

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/37.60

S/27.99

S/23.32

S/20.90

Envase tipo carrete

S/17.75

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/23.12
1,569En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMT65R060M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R060M2HXUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,569En existencias

Cinta cortada

S/23.12

S/17.48

S/14.13

S/12.57

S/12.18

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

41.4 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

IMW65R033M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.14
282En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R033M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R033M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

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282En existencias

S/41.14

S/32.19

S/26.82

S/23.86

S/20.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.32
511En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R040M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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511En existencias

S/36.32

S/22.93

S/21.37

S/19.00

S/17.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

49 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMZA65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/48.89
258En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R026M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

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258En existencias

S/48.89

S/36.51

S/31.61

S/29.86

S/25.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/109.69
1,178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R007M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R007M2HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,178En existencias

S/109.69

S/71.23

S/70.61

S/70.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

210 A

8.5 mOhms

- 18 V, + 18 V

5.6 V

439 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/81.94
364En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R010M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R010M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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364En existencias

Cinta cortada

S/81.94

S/69.87

S/60.41

Envase tipo carrete

S/60.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

158 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.45
980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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980En existencias

Cinta cortada

S/44.45

S/36.20

S/30.17

S/26.90

Envase tipo carrete

S/22.77

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

33 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.35
285En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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Hoja de datos

285En existencias

Cinta cortada

S/39.35

S/29.86

S/24.87

S/22.15

Envase tipo carrete

S/19.73

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.66
456En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R060M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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Hoja de datos

456En existencias

Cinta cortada

S/26.66

S/19.54

S/15.80

S/14.13

Envase tipo carrete

S/11.99

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

34.9 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W