Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

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Resultados: 40

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

STD6N52K3
STMicroelectronics
1: S/7.43
1,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

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1,330En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.71

S/3.16

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

STF3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.03
1,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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Hoja de datos

1,504En existencias

S/6.03

S/3.84

S/2.56

S/2.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3

STP4N52K3
STMicroelectronics
1: S/5.88
715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3

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Hoja de datos

715En existencias

S/5.88

S/3.72

S/2.47

S/1.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

525 V

2.5 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3.75 V

11 nC

20 W

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

STW5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/20.59
613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

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613En existencias

S/20.59

S/11.56

S/8.14

S/8.10

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

2.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF16N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.81
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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370En existencias

S/9.81

S/5.68

S/4.32

S/3.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

320 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3

STD4N62K3
STMicroelectronics
1: S/10.24
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD4N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3

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26En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.66

S/4.59

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

3.8 A

1.95 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3

STU4N52K3
STMicroelectronics
1: S/7.75
1,114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU4N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU4N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3

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1,114En existencias

S/7.75

S/4.94

S/3.28

S/2.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

525 V

2.5 A

2.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3

STU5N62K3
STMicroelectronics
1: S/9.26
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU5N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU5N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3

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74En existencias

S/9.26

S/4.52

S/3.93

S/3.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

620 V

4.2 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3

STF5N95K3
STMicroelectronics
1: S/16.00
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF5N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF5N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/16.00

S/8.21

S/7.47

S/6.15

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220

STF7N95K3
STMicroelectronics
1,000: S/7.71
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF7N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/7.71

S/7.36

S/7.28

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7.2 A

1.35 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3

STU3N45K3
STMicroelectronics
3,000: S/1.40
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STU3N45K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N45K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/1.40

S/1.38

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

450 V

1.8 A

3.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A

STU5N95K3
STMicroelectronics
3,000: S/4.94
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STU5N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU5N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/4.94

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A

STD6N62K3
STMicroelectronics
2,500: S/3.18
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.18

S/3.13

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

5.5 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V

STF10N65K3
STMicroelectronics
1,000: S/3.08
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF10N65K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N65K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/3.08

S/2.86

S/2.69

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH

STU2N62K3
STMicroelectronics
3,000: S/2.23
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STU2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/2.23

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.2 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

320 mOhms
680 mOhms
750 mOhms
850 mOhms
1 Ohms
1.2 Ohms
1.28 Ohms
1.3 Ohms
1.35 Ohms
1.6 Ohms
1.95 Ohms
2 Ohms
2.1 Ohms
2.5 Ohms
2.6 Ohms
2.7 Ohms
3 Ohms
3.6 Ohms
3.7 Ohms
3.8 Ohms