Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
STD3N62K3
STMicroelectronics
1:
S/6.03
8,530 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD3N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
8,530 En existencias
1
S/6.03
10
S/3.83
100
S/2.55
500
S/2.00
2,500
S/1.55
5,000
Ver
1,000
S/1.83
5,000
S/1.53
10,000
S/1.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
620 V
2.7 A
2.5 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
STD7N52K3
STMicroelectronics
1:
S/8.14
4,865 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD7N52K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
4,865 En existencias
1
S/8.14
10
S/5.18
100
S/3.61
500
S/3.06
2,500
S/2.32
5,000
Ver
1,000
S/2.55
5,000
S/2.13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
525 V
6 A
850 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw
STD5N95K3
STMicroelectronics
1:
S/14.64
6,493 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw
6,493 En existencias
1
S/14.64
10
S/9.61
100
S/6.73
500
S/5.96
2,500
S/5.02
5,000
Ver
1,000
S/5.45
5,000
S/4.98
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
950 V
4 A
3 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
SuperMESH
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
STD2N62K3
STMicroelectronics
1:
S/8.14
2,969 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD2N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
2,969 En existencias
1
S/8.14
10
S/5.22
100
S/3.53
500
S/2.81
2,500
S/2.32
5,000
Ver
1,000
S/2.66
5,000
S/2.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
620 V
2.2 A
3.6 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
STF13N95K3
STMicroelectronics
1:
S/28.30
966 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
966 En existencias
1
S/28.30
10
S/15.88
100
S/14.60
500
S/12.38
1,000
S/12.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
10 A
850 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
+1 imagen
STW7N95K3
STMicroelectronics
1:
S/26.98
574 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW7N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
574 En existencias
1
S/26.98
10
S/15.14
100
S/11.13
600
S/11.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
7.2 A
1.35 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
STD5N62K3
STMicroelectronics
1:
S/6.89
1,691 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
1,691 En existencias
1
S/6.89
10
S/4.40
100
S/2.95
500
S/2.33
2,500
S/1.84
5,000
Ver
1,000
S/2.13
5,000
S/1.82
10,000
S/1.81
25,000
S/1.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
620 V
4.2 A
1.6 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
STF6N65K3
STMicroelectronics
1:
S/12.38
795 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF6N65K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
795 En existencias
1
S/12.38
10
S/3.93
1,000
S/3.89
10,000
S/3.75
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
5.4 A
1.3 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
STP13N95K3
STMicroelectronics
1:
S/27.21
374 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
374 En existencias
1
S/27.21
10
S/14.83
100
S/13.86
1,000
S/13.82
5,000
Ver
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
10 A
680 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
+1 imagen
STW13N95K3
STMicroelectronics
1:
S/33.59
1,107 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
1,107 En existencias
1
S/33.59
10
S/20.82
100
S/19.11
600
S/16.19
1,200
Ver
1,200
S/14.79
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
10 A
680 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
STD5N52K3
STMicroelectronics
1:
S/7.43
1,510 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
1,510 En existencias
1
S/7.43
10
S/4.71
100
S/3.16
500
S/2.55
2,500
S/1.97
5,000
Ver
1,000
S/2.28
5,000
S/1.84
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
525 V
4.4 A
1.2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
STU4N62K3
STMicroelectronics
1:
S/8.49
2,904 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU4N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
2,904 En existencias
1
S/8.49
10
S/4.63
100
S/3.70
500
S/3.11
1,000
Ver
1,000
S/2.63
3,000
S/2.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
620 V
3.8 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
STU6N62K3
STMicroelectronics
1:
S/8.95
2,970 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU6N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
2,970 En existencias
1
S/8.95
10
S/4.16
100
S/3.74
500
S/3.17
1,000
S/3.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
620 V
5.5 A
1.28 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
STP7N95K3
STMicroelectronics
1:
S/15.73
934 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP7N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
934 En existencias
1
S/15.73
10
S/7.59
100
S/6.58
500
S/6.31
1,000
Ver
1,000
S/5.41
5,000
S/5.29
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
7.2 A
1.35 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3
STD4N52K3
STMicroelectronics
1:
S/7.71
2,500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD4N52K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3
2,500 En existencias
1
S/7.71
10
S/4.90
100
S/3.26
500
S/2.67
2,500
S/1.93
5,000
Ver
1,000
S/2.34
5,000
S/1.85
25,000
S/1.83
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
525 V
3.8 A
2.6 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
STU3N62K3
STMicroelectronics
1:
S/7.63
2,988 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU3N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
2,988 En existencias
1
S/7.63
10
S/3.57
100
S/3.25
500
S/2.74
1,000
Ver
1,000
S/2.34
3,000
S/2.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
620 V
2.7 A
2.5 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
STF6N62K3
STMicroelectronics
1:
S/4.36
1,691 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF6N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
1,691 En existencias
1
S/4.36
10
S/3.52
100
S/3.46
500
S/3.41
2,000
Ver
2,000
S/3.16
5,000
S/3.11
10,000
S/3.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
620 V
5.5 A
1.28 Ohms
- 30 V, 30 V
3.75 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3
STF2N62K3
STMicroelectronics
1:
S/8.99
1,901 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF2N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3
1,901 En existencias
1
S/8.99
10
S/2.74
100
S/2.66
500
S/2.64
1,000
S/2.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
620 V
2.2 A
3.6 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
20 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
STF4N62K3
STMicroelectronics
1:
S/12.11
963 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF4N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
963 En existencias
1
S/12.11
10
S/4.05
100
S/3.93
500
S/3.87
1,000
Ver
1,000
S/3.70
2,000
S/3.61
5,000
S/3.60
10,000
S/3.48
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
620 V
3.8 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
STF10N62K3
STMicroelectronics
1:
S/10.55
976 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF10N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
976 En existencias
1
S/10.55
10
S/6.77
100
S/4.59
500
S/3.83
1,000
Ver
1,000
S/3.25
2,000
S/3.11
5,000
S/3.01
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
620 V
8.4 A
680 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1
STP6N62K3
STMicroelectronics
1:
S/7.59
939 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP6N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1
939 En existencias
1
S/7.59
10
S/3.32
100
S/3.23
500
S/3.21
1,000
Ver
1,000
S/3.02
5,000
S/2.91
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
620 V
5.5 A
1.28 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
STF5NK100Z
STMicroelectronics
1:
S/20.47
1,165 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF5NK100Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
1,165 En existencias
1
S/20.47
10
S/13.58
100
S/11.02
500
S/9.77
1,000
S/8.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
3.5 A
3.7 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
+2 imágenes
STN3N45K3
STMicroelectronics
1:
S/2.41
7,588 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STN3N45K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
7,588 En existencias
1
S/2.41
10
S/2.39
100
S/1.80
500
S/1.53
4,000
S/1.25
8,000
Ver
1,000
S/1.42
2,000
S/1.37
8,000
S/1.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
450 V
600 mA
4 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
9.5 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
SuperMESH
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
STP5NK100Z
STMicroelectronics
1:
S/17.59
1,342 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK100Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
1,342 En existencias
1
S/17.59
10
S/9.85
100
S/8.95
500
S/7.40
1,000
Ver
1,000
S/6.85
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
3.5 A
3.7 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STW8N120K5
STMicroelectronics
1:
S/30.63
815 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW8N120K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
815 En existencias
1
S/30.63
10
S/22.27
100
S/18.53
600
S/16.50
1,200
S/14.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
6 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
13.7 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube