Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs with low on-resistance dissipate power up to 142W. The lineup is offered in small, high-powered packages that greatly reduce the mounting area. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified, RoHS compliant, and halogen free. Ideal applications for ROHM N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs include advanced driver assistance systems (ADAS), body, lighting, and infotainment.

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Resultados: 33

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -50A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3P05BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/13.94
394En existencias
2,500Se espera el 25/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
RD3P05BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P05BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -50A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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Hoja de datos

394En existencias

2,500Se espera el 25/11/2026

Cinta cortada

S/13.94

S/9.07

S/6.34

S/5.14

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

100 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 40V 10A

RD3G01BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/7.05
21,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3G01BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3G01BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 40V 10A

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Hoja de datos

21,246En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.48

S/3.00

S/2.36

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

40 V

15 A

39 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

19.3 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3L01BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/7.05
11,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L01BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L01BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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Hoja de datos

11,783En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.48

S/3.00

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

10 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3L03BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/8.52
18,527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L03BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L03BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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Hoja de datos

18,527En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.68

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

35 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

RQ3L120BKFRATCB
ROHM Semiconductor
1: S/6.73
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3L120BKFRATCB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3L120BKFRATCB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

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Hoja de datos

4En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/4.28

S/2.86

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.3 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3L07BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/12.88
22,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
RD3L07BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L07BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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Hoja de datos

22,500En pedido

Cinta cortada

S/12.88

S/8.06

S/5.80

S/4.71

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

70 A

12.7 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3G08BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/14.32
2,500Se espera el 14/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
RD3G08BBJHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3G08BBJHRBTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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Hoja de datos

2,500Se espera el 14/08/2026

Cinta cortada

S/14.32

S/9.38

S/6.54

S/5.33

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.9 mOhms

- 20 V, 5 V

2.5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

142 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L04BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/7.94
2,364En pedido

N.º de artículo del Fabricante
RD3L04BBKHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L04BBKHRBTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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Hoja de datos

2,364En pedido

Cinta cortada

S/7.94

S/5.10

S/3.41

S/2.71

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 mOhms
3.1 mOhms
4.4 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5.3 mOhms
6.2 mOhms
7.1 mOhms
7.6 mOhms
8.5 mOhms
9.6 mOhms
10.7 mOhms
12.7 mOhms
13.5 mOhms
14.6 mOhms
14.7 mOhms
15.8 mOhms
17.5 mOhms
19.1 mOhms
24 mOhms

7.3 nC
8.5 nC
13 nC
13.6 nC
15 nC
15.2 nC
17.3 nC
19 nC
19.3 nC
19.4 nC
21 nC
22 nC
27.6 nC
32 nC
37 nC
38 nC
39 nC
41 nC
46 nC
47 nC