Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs with low on-resistance dissipate power up to 142W. The lineup is offered in small, high-powered packages that greatly reduce the mounting area. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified, RoHS compliant, and halogen free. Ideal applications for ROHM N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs include advanced driver assistance systems (ADAS), body, lighting, and infotainment.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3G03BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/8.52
1,336En existencias
2,500Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
RD3G03BATTL1

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755-RD3G03BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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1,336En existencias

2,500Se espera el 10/08/2026

Cinta cortada

S/8.52

S/4.98

S/3.56

S/2.93

S/2.68

Envase tipo carrete

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: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

40 V

35 A

19.1 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3E07BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/9.07
2,487En existencias
Nuevo producto

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RD3E07BBJHRBTL

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755-RD3E07BBJHRBTL

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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2,487En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.84

S/3.97

S/3.14

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.66

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

30 V

78 A

8.5 mOhms

- 20 V, 5 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

77 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L08BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/14.48
2,138En existencias
Nuevo producto

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RD3L08BBJHRBTL

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755-RD3L08BBJHRBTL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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2,138En existencias

Cinta cortada

S/14.48

S/9.46

S/6.62

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.98

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TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

80 A

10.7 mOhms

- 20 V, 5 V

2.5 V

145 nC

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+ 175 C

142 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L08CBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/11.09
2,490En existencias
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RD3L08CBLHRBTL

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755-RD3L08CBLHRBTL

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Cinta cortada

S/11.09

S/7.16

S/4.94

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.58

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

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1 Channel

60 V

80 A

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L08DBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/9.61
2,460En existencias
Nuevo producto

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RD3L08DBLHRBTL

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755-RD3L08DBLHRBTL

Nuevo producto

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S/9.61

S/6.19

S/4.24

S/3.37

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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TO-252-3

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1 Channel

60 V

80 A

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76 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET

RD3N06BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/12.46
1,826En existencias
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RD3N06BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3N06BATTL1

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S/12.46

S/8.10

S/5.61

S/4.52

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.05

Min.: 1
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: 2,500

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TO-252-3

P-Channel

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80 V

60 A

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4 V

110 nC

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+ 150 C

101 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 80V 105A

RD3N07BBHTL1
ROHM Semiconductor
1: S/14.48
3,182En existencias
Nuevo producto

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RD3N07BBHTL1

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755-RD3N07BBHTL1

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S/14.48

S/9.46

S/6.62

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Envase tipo carrete

S/4.98

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TO-252-3

N-Channel

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80 V

105 A

4.4 mOhms

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+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3P08BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/15.76
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755-RD3P08BBLHRBTL

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S/15.76

S/10.35

S/7.24

S/5.99

Envase tipo carrete

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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

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+ 175 C

142 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 235A, TO-263AB, Power MOSFET

RJ1N10BBHTL1
ROHM Semiconductor
1: S/31.30
780En existencias
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RJ1N10BBHTL1

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755-RJ1N10BBHTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

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Cinta cortada

S/31.30

S/21.21

S/15.53

S/14.13

Envase tipo carrete

S/14.13

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SMD/SMT

TO-263AB-3

N-Channel

1 Channel

80 V

235 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3G04BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/7.82
2,428En existencias
Nuevo producto

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RD3G04BBJHRBTL

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755-RD3G04BBJHRBTL

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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S/7.82

S/4.98

S/3.35

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

24 mOhms

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2.5 V

27.6 nC

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+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L04BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/9.19
1,388En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3L04BBJHRBTL

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755-RD3L04BBJHRBTL

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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1,388En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.01

S/3.20

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

48 A

30 mOhms

- 20 V, 5 V

2.5 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

77 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET

RD3N01BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/7.12
2,490En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3N01BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3N01BATTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET

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2,490En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.55

S/3.03

S/2.39

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

80 V

10 A

163 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET

RJ1G04BBGTL1
ROHM Semiconductor
1: S/16.93
800En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RJ1G04BBGTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RJ1G04BBGTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET

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800En existencias

Cinta cortada

S/16.93

S/11.13

S/7.82

S/6.19

Envase tipo carrete

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263AB-3

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

RJ1L04BBGTL1
ROHM Semiconductor
1: S/16.97
162En existencias
800Se espera el 23/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RJ1L04BBGTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RJ1L04BBGTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

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Hoja de datos

162En existencias

800Se espera el 23/10/2026

Cinta cortada

S/16.97

S/11.17

S/7.86

S/6.70

Envase tipo carrete

S/6.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263AB-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3G08CBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/11.25
2,272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3G08CBKHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3G08CBKHRBTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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Hoja de datos

2,272En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.28

S/5.02

S/4.05

S/3.79

Envase tipo carrete

S/3.56

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

96 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3P02BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/8.87
2,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3P02BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P02BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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2,467En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/5.68

S/3.85

S/3.07

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

100 V

20 A

116 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3P06BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/9.69
2,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3P06BBKHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P06BBKHRBTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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2,705En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/6.23

S/4.24

S/3.39

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

100 V

59 A

15.8 mOhms

2.5 V

17.3 nC

- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101

RF9G120BKFRATCR
ROHM Semiconductor
1: S/6.62
3,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RF9G120BKFRATCR

N.º de artículo de Mouser
755-RF9G120BKFRATCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101

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Hoja de datos

3,375En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive

RF9L120BKFRATCR
ROHM Semiconductor
1: S/6.58
3,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RF9L120BKFRATCR

N.º de artículo de Mouser
755-RF9L120BKFRATCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive

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3,465En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.16

S/2.77

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.74

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.3 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.

RQ3G270BKFRATCB
ROHM Semiconductor
1: S/8.14
3,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3G270BKFRATCB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3G270BKFRATCB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.

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Hoja de datos

3,500En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.22

S/3.50

S/2.78

S/2.54

Envase tipo carrete

S/2.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8AG

N-Channel

1 Channel

40 V

27 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

RQ3L270BKFRATCB
ROHM Semiconductor
1: S/8.41
3,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3L270BKFRATCB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3L270BKFRATCB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

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Cinta cortada

S/8.41

S/5.37

S/3.62

S/2.88

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8AG

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

14.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

RQ3L270BLFRATCB
ROHM Semiconductor
1: S/8.41
3,500En existencias

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RQ3L270BLFRATCB

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755-RQ3L270BLFRATCB

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S/5.37

S/3.62

S/2.88

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S/2.38

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: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8AG

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

14.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

RQ3P270BKFRATCB
ROHM Semiconductor
1: S/8.45
3,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3P270BKFRATCB

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755-RQ3P270BKFRATCB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

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S/8.45

S/5.41

S/3.65

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.51

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: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L04BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/7.94
367En existencias
2,500Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
RD3L04BBKHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L04BBKHRBTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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367En existencias

2,500Se espera el 16/07/2026

Cinta cortada

S/7.94

S/5.10

S/3.41

S/2.71

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3P01BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/7.36
2,370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3P01BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P01BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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S/7.36

S/4.71

S/3.15

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

100 V

10 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

19.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 mOhms
3.1 mOhms
4.4 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5.3 mOhms
6.2 mOhms
7.1 mOhms
7.6 mOhms
8.5 mOhms
9.6 mOhms
10.7 mOhms
12.7 mOhms
13.5 mOhms
14.6 mOhms
14.7 mOhms
15.8 mOhms
17.5 mOhms
19.1 mOhms
24 mOhms

7.3 nC
8.5 nC
13 nC
13.6 nC
15 nC
15.2 nC
17.3 nC
19 nC
19.3 nC
19.4 nC
21 nC
22 nC
27.6 nC
32 nC
37 nC
38 nC
39 nC
41 nC
46 nC
47 nC