Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 86

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

SSM6J501NU,LF
Toshiba
1: S/1.95
26,403Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J501NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J501NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

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Hoja de datos

26,403Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/1.95

S/1.20

S/0.852

S/0.685

Envase tipo carrete

S/0.525

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

20 V

10 A

15.3 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

29.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET

SSM3J378R,LXHF
Toshiba
1: S/2.41
98,982Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

98,982Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/2.41

S/1.49

S/0.954

S/0.72

Envase tipo carrete

S/0.529

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
1: S/0.467
139,603En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

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Hoja de datos

139,603En pedido

Cinta cortada

S/0.467

S/0.28

S/0.253

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

840 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

SSM3J143TU,LF
Toshiba
1: S/1.17
6,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J143TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J143TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

6,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/1.17

S/0.868

S/0.522

S/0.502

Envase tipo carrete

S/0.502

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.5 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A

SSM3J374R,LF
Toshiba
1: S/1.40
9,000Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J374R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J374RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

9,000Se espera el 15/06/2026

Cinta cortada

S/1.40

S/0.806

S/0.549

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.311

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4 A

71 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

SSM3K335R,LF
Toshiba
1: S/1.71
18,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K335R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K335RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

18,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/1.71

S/1.10

S/0.705

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

SSM6J503NU,LF
Toshiba
1: S/2.10
6,000Se espera el 13/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J503NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J503NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

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Hoja de datos

6,000Se espera el 13/02/2026

Cinta cortada

S/2.10

S/1.34

S/0.732

S/0.666

Envase tipo carrete

S/0.529

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

89.6 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A

SSM3J144TU,LF
Toshiba
1: S/2.10
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J144TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J144TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A

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Comentarios de Producto

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

S/2.10

S/1.28

S/0.817

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.432

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.7 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC

TPC8134,LQ(S
Toshiba
2,500: S/1.27
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TPC8134,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8134LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.27

S/1.13

S/1.11

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

5 A

66 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS

SSM6P47NU,LF
Toshiba
1: S/2.57
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P47NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P47NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.572

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

242 mOhms

- 8 V, 8 V

1 W

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000: S/1.93
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TJ80S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.93

S/1.76

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.2 mOhms

100 W

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W