Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V

SSM3J134TU,LF
Toshiba
1: S/2.10
15,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J134TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J134TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V

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Cinta cortada

S/2.10

S/1.28

S/0.817

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.452

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

93 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

SSM6J212FE,LF
Toshiba
1: S/2.02
16,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J212FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J212FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

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16,109En existencias

Cinta cortada

S/2.02

S/1.56

S/1.04

S/0.817

Envase tipo carrete

S/0.522

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Carrete: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

94 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

14.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

TPC8132,LQ(S
Toshiba
1: S/6.07
6,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPC8132,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8132LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

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6,693En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/3.88

S/2.58

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.63

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

7 A

33 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W

TPC8133,LQ(S
Toshiba
1: S/8.25
2,409En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPC8133,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8133LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W

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Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.57

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.28

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

9 A

18 mOhms

1.9 W

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

TJ15P04M3,RQ(S
Toshiba
1: S/5.92
3,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ15P04M3,RQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15P04M3RQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

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Cinta cortada

S/5.92

S/3.83

S/2.63

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.58

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

15 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/5.88
4,317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ40S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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S/5.88

S/4.87

S/3.48

S/2.95

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S/2.50

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.1 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138

TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/10.43
11,061En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ50S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ50S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138

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S/10.43

S/6.73

S/4.63

S/3.74

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Envase tipo carrete

S/3.08

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package

SSM6J424TU,LF
Toshiba
1: S/2.37
442En existencias
3,000Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J424TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J424TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package

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3,000Se espera el 20/02/2026

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S/2.37

S/1.45

S/0.969

S/0.685

Envase tipo carrete

S/0.506

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SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

22.5 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

23.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W

TPC8129,LQ(S
Toshiba
1: S/3.70
3,760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPC8129,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8129LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W

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S/3.70

S/2.30

S/1.50

S/1.15

Envase tipo carrete

S/0.821

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

28 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

39 nC

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

SSM6N61NU,LF
Toshiba
1: S/2.72
6,318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

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Cinta cortada

S/2.72

S/1.68

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.545

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SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063

TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/6.54
1,308En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063

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Cinta cortada

S/6.54

S/4.83

S/3.26

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.12

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

6.3 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

SSM6N55NU,LF
Toshiba
1: S/1.28
9,826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N55NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N55NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

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S/1.28

S/0.852

S/0.619

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.381

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Carrete: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V

SSM3J130TU,LF
Toshiba
1: S/2.72
18,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J130TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J130TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V

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18,202En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/1.69

S/1.10

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.549

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

25.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K35CTC,L3F
Toshiba
1: S/0.934
79,690En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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Cinta cortada

S/0.934

S/0.584

S/0.335

S/0.272

Envase tipo carrete

S/0.128

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Carrete: 10,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W

TPC8125,LQ(S
Toshiba
1: S/4.63
6,192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPC8125,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8125LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W

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Cinta cortada

S/4.63

S/3.10

S/2.06

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.35

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

17 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V

SSM3J168F,LF
Toshiba
1: S/1.60
65,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J168F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J168FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V

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Comentarios de Producto

65,065En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/1.04

S/0.708

S/0.557

Envase tipo carrete

S/0.378

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.3 Ohms

- 20 V, 10 V

2 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS

SSM3J328R,LF
Toshiba
1: S/1.63
55,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J328R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J328RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS

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Hoja de datos

55,214En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/1.01

S/0.638

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.343

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

12.8 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

SSM3J332R,LF
Toshiba
1: S/1.44
152,117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J332R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J332RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

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Hoja de datos

152,117En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/0.724

S/0.498

S/0.378

Envase tipo carrete

S/0.284

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

P-Channel

1 Channel

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF

SSM3J334R,LF
Toshiba
1: S/1.17
49,696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J334R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J334RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF

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Hoja de datos

49,696En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.705

S/0.463

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.296

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

P-Channel

1 Channel

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: S/2.14
81,416En existencias
51,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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Comentarios de Producto

81,416En existencias

51,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/2.14

S/1.32

S/0.845

S/0.638

Envase tipo carrete

S/0.436

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET

SSM3J351R,LXHF
Toshiba
1: S/3.11
8,284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET

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Comentarios de Producto

8,284En existencias

Cinta cortada

S/3.11

S/2.09

S/1.40

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.837

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: S/1.63
67,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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S/1.63

S/1.01

S/0.638

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.343

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

300 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A

SSM3J372R,LF
Toshiba
1: S/1.40
28,108En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J372R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A

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S/1.40

S/0.837

S/0.537

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.272

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3J56MFV,L3F
Toshiba
1: S/1.44
36,378En existencias
24,000Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J56MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J56MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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Cinta cortada

S/1.44

S/0.876

S/0.51

S/0.385

Envase tipo carrete

S/0.226

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

390 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.6 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

SSM3K324R,LF
Toshiba
1: S/1.48
25,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K324R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K324RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

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25,968En existencias

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S/1.48

S/0.907

S/0.576

S/0.428

Envase tipo carrete

S/0.315

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W